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數據： CSD18509Q5B N 通道 NexFET功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 數據表 (Rev. A)
這個40V，1mΩ，SON5x6 NexFET?功率MOSFET的設計旨在追求以最大限度降低功率轉換應用中的功率損耗。
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所有商標均為其各自所有者的財產。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD18509Q5B |
|---|
| 40 ? ? |
| Single ? ? |
| 1.7 ? ? |
| 1.2 ? ? |
| 400 ? ? |
| 150 ? ? |
| 17 ? ? |
| SON5x6 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.9 ? ? |
| 299 ? ? |
| 100 ? ? |
| Yes ? ? |
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