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數據： CSD16570Q5B 25V N 通道 NexFET功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 數據表 (Rev. A)
這款25V，0.49mΩ，SON 5mm×6mm NexFET?功率MOSFET用于最大限度地減小ORing和熱拔插應用的電阻，不適用于開關應用。
所有商標均為其各自所有者的財產。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD16570Q5B |
|---|
| 25 ? ? |
| Single ? ? |
| 0.82 ? ? |
| 0.59 ? ? |
| 400 ? ? |
| 95 ? ? |
| 31 ? ? |
| SON5x6 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.5 ? ? |
| 456 ? ? |
| 100 ? ? |
| Yes ? ? |
型號：CSD16570Q5B 封裝：VSON8_5X6MM
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=590mΩ@10V
金額：￥
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