IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)，變頻器的核心部件
2024-03-18 17:12:31
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IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但IGBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
2024-03-13 11:46:21107 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12253 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
在IGBT短路時，假設(shè)在導(dǎo)通時短路，此時IGBT驅(qū)動電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動電壓
2024-02-25 11:31:12
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級和電流大小，那么IGBT的開通時間和關(guān)斷時間是否相同，如果不相同，哪個時間更長一些？并且，在設(shè)計IGBT
2024-02-25 11:06:01
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28468 IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實際應(yīng)用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT驅(qū)動電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有
2024-01-23 13:44:51669 業(yè)內(nèi)周知，功率SiC IDM 仍是其主流商業(yè)模式，而6英寸是龍頭廠商的主流SiC晶圓尺寸。在供不用求的刺激下，行業(yè)內(nèi)已有多家公司基于這一成熟平臺有多種產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。
2024-01-19 11:18:44387 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個專門的驅(qū)動電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動電路。 一、IGBT驅(qū)動電路的作用 IGBT驅(qū)動電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)臇艠O
2024-01-17 13:56:55552 
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521668 半導(dǎo)體廠商強(qiáng)調(diào)，中國車企轉(zhuǎn)向選用非車規(guī)級芯片將主要影響中國分銷商報價。2021至2022年間，由于全球芯片供應(yīng)緊張，IDM報價大幅上漲，然而2023年后立刻恢復(fù)常態(tài)。
2024-01-08 14:13:29185 IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件，它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢。在本文中，我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)點(diǎn)，以便更好地理解其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 首先
2024-01-04 16:35:47787 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種電力開關(guān)裝置，常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開關(guān)和硬開關(guān)是兩種不同的IGBT工作模式，它們在開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率
2023-12-18 09:40:221150 
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。
2023-12-08 14:14:31913 igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:38785 igbt的作用和功能? IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
2023-12-07 16:32:552936 IGBT驅(qū)動電路中的鉗位電路
2023-11-30 18:05:10880 
在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）所構(gòu)成
2023-11-29 14:08:04547 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50513 
IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51883 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281259 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
多線程idm下載軟件
2023-10-23 09:23:27
0 igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 IGBT的工作原理 IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎？IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種？ 一、IGBT的工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即增強(qiáng)型
2023-10-19 17:08:082591 igbt可以反向?qū)▎幔咳绾慰刂?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051887 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028151 igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個IGBT晶體管、驅(qū)動電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號，而且
2023-10-19 17:01:221313
l 華潤微
成立時間：1997年
業(yè)務(wù)模式：IDM
簡介：中國最大的功率器件企業(yè)之一，主要產(chǎn)品包括以MOSFET、IGBT 為代表的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品和以光電傳感器、煙報傳感器、MEMS 傳感器為主
2023-10-16 11:00:14
選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計中的重要任務(wù)，因為正確的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56921 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足
2023-09-12 16:53:531804 
igbt吸收電路? IGBT吸收電路是一種電路設(shè)計，旨在在IGBT開關(guān)開關(guān)時保護(hù)其不受過電壓的損壞。在電路中，IGBT或異型晶體管是一種高速、大功率的開關(guān)，廣泛應(yīng)用于交流電機(jī)驅(qū)動器、照明電器、電源
2023-08-29 10:26:021926 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543320 igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān)，具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻，用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:293998 ? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182216 
摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301501 
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:303800 
博格華納繼eDM電驅(qū)動模塊實現(xiàn)量產(chǎn)后，順勢推出適用于純電力驅(qū)動和P4混動的（iDM，integrated Drive Module）全集成電驅(qū)動解決方案。 博格華納iDM電驅(qū)動模塊是汽車產(chǎn)業(yè)電氣化
2023-07-05 10:51:35529 物理機(jī)器是由CPU，內(nèi)存和I/O設(shè)備等一組資源構(gòu)成的實體。虛擬機(jī)也一樣，由虛擬CPU，虛擬內(nèi)存和虛擬I/O設(shè)備等組成。
2023-06-06 15:47:001599 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231245 
KIT REF DESIGN MDL - IDM
2023-03-30 11:45:14
IDM05G120C5
2023-03-28 14:47:19
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