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多晶硅準(zhǔn)入新門檻即將出臺

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IGBT輸出IV溫度特性介紹

IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585

硅通孔TSV-Through-Silicon Via

編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001

可控與中繼的區(qū)別#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:19:14

單相可控的使用方法#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:14:01

9.6 多晶硅薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

9.5 非晶薄膜材料(下)

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:41:04

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317

為什么氮化鎵比更好?

氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。 的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

如何解決85-015G-XX壓力傳感器的零點漂移

零點熱漂移是影響85-015G-XX壓力傳感器性能的一個重要指標(biāo),得到了廣泛的重視。在國際之上,一般認(rèn)為零點熱漂移只與力敏電阻的不等式及其溫度非線性有關(guān)。實際上,零點熱漂移也與力敏電阻的反向泄漏有關(guān)。在這方面,多晶硅可以吸收襯底中的重金屬雜質(zhì),從而減少力敏電阻的反向漏,改善零點熱漂移。
2023-06-13 14:14:27359

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423975

ME設(shè)備越過門檻運(yùn)動試驗裝置

ME設(shè)備越過門檻運(yùn)動試驗裝置       本設(shè)備符合標(biāo)準(zhǔn)GB 9706.1-2020   醫(yī)用
2023-06-12 10:02:04

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)

當(dāng)晶體管尺寸縮小時,多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860

19歲天才少年純手工自制1200個晶體管的CPU

這位叫做 Sam Zeloof 的美國大學(xué)生,最終打造出1200個晶體管的CPU! 在10微米的多晶硅柵極工藝上實現(xiàn),命名為Z2。 重點是,與英特爾上世紀(jì)70年代聞名于世的處理器4004使用了相同技術(shù)。
2023-06-06 11:46:111084

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評】組件大幅走跌,光伏市場價格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價格110-123元/千克,多晶硅價格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價格再度走跌,多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān),硅片價格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(工業(yè)硅、多晶硅、電池片、組件、光伏玻璃)

審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(多晶硅、電池片、光伏膠膜、光伏玻璃、逆變器)

審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245

5.5太陽能級多晶硅的物理冶金制備

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

00009 單向可控為什么一旦觸發(fā)就無法截止?必須斷電才能恢復(fù)?!

可控
學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2023-05-31 20:37:11

單向可控的如何使用#硬聲創(chuàng)作季

可控
也許吧發(fā)布于 2023-05-31 11:22:21

SMM硅基光伏晨會紀(jì)要(硅石、工業(yè)硅、多晶硅、硅片......)

審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149

VCSEL激光技術(shù)為光伏設(shè)備的可靠檢測降本增效

近年來,隨著光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,技術(shù)迭代升級不斷加快,智能制造迅速推廣,中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛。中國在全球清潔能源產(chǎn)品供應(yīng)鏈中占據(jù)有重要地位,太陽能光伏制造業(yè)中,中國擁有全球90%以上的晶圓產(chǎn)能、2/3的多晶硅產(chǎn)能和72%的組件產(chǎn)能。
2023-05-29 17:31:31716

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

LTC3524EUF#TRPBF是一款驅(qū)動器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

提高數(shù)據(jù)中心能源可持續(xù)性:短期與長期策略

歐盟(EU)呼吁數(shù)據(jù)中心到2030年實現(xiàn)碳中和。歐盟還在起草一項《綠色協(xié)議》,到2030年將整個數(shù)據(jù)中心行業(yè)的凈溫室氣體排放量減少至少55%。即將出臺的立法的前景,促使歐洲數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商提前執(zhí)行任務(wù)。
2023-04-24 09:43:16476

勵磁功率單元和勵磁可控作用一樣嗎?

勵磁功率單元和勵磁可控作用一樣嗎?求解答
2023-04-13 10:12:53

LTC2934是一款監(jiān)控器

可以獨(dú)立地進(jìn)行配置。當(dāng) PFI 輸入降至 0.4V 以下時,將在電源故障輸出端 (PFO) 上提供一個“即將出現(xiàn)低電壓條件”的預(yù)警。監(jiān)控電路負(fù)責(zé)監(jiān)視 ADJ 輸入,
2023-04-12 11:45:30

光伏電站對人有影響嗎

首先我們要知道光伏發(fā)電的原理是什么,光伏發(fā)電是利用半導(dǎo)體界面的光生伏特效應(yīng)而將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵元件是太陽能電池,太陽能光伏發(fā)電的最基本元件是太陽能電池(片),有單晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜電池等。
2023-04-11 15:32:1027720

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因為它受到多個因素的影響。一般來說,標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

光耦MOC3063驅(qū)動可控

如圖所示:1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個高電平后光耦3063會立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導(dǎo)通,是否可以認(rèn)為可控兩端的電壓為零,此時可控不導(dǎo)通,那如果是這樣請問這個電路可控是何時導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅
2023-04-07 09:48:162195

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出,SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

1045398002

IllumiMate 壓接母端子,即將停產(chǎn)
2023-03-28 18:23:53

1734193-1

線到板母端子,即將停產(chǎn),接替型號2476787-1
2023-03-24 14:47:57

單片機(jī)控制可控調(diào)壓簡介

  1.可控簡介  可控,也叫晶閘管,廣泛應(yīng)用于交流控制系統(tǒng)中,可實現(xiàn)小功率控制大功率設(shè)備。  可控分單向可控和雙向可控,雙向可控在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控反向連接,可以實現(xiàn)雙向
2023-03-23 15:19:30

為什么一般將出線開關(guān)設(shè)置為漏電斷路器呢?

為什么一般將出線開關(guān)設(shè)置為漏電斷路器,而不是將進(jìn)線開關(guān)設(shè)置為漏電斷路器?
2023-03-23 09:47:13

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