4、深度技術拆解:深入變頻器電子電動機內部世界
電子發燒友網訊:你可以把電子電動機的世界劃分為兩個不同的類別——直流和交流,它們控制著速度、轉矩、方向和產生一定馬力。一個AC變頻電機控制AC感應電動機,和相應的DC變頻電機一樣,控制速度,轉矩和馬力。通常情況下一個DC變頻電機就控制一個并聯的場電路和動鐵芯分開的直流電動機。這會掀翻施耐德電氣的Altivar12變頻器對這類變頻器的關鍵性能的詳細定義。
風扇、排風機、壓縮機和水泵等轉動設備消耗掉超過三分之一的美國自產電能。這些設備或許應用變頻器技術,通過這些技術,電動速度自調整以適應負載要求,在提高生產率和降低能耗方面有明顯功用。例如,調低風扇和水泵15%到20%的速度可以使其軸功率降低30%。
適當的變頻器應用是可承擔的、可信賴的和靈活的。它能夠通過減少電能消耗而節省開支。電動變頻器透過脈沖寬度調制來改變感應電動機的電壓和頻率。這些變頻器利用絕緣柵門極晶體管將固定頻率的ac電源電壓改變為可調頻率、可調電壓的ac電源為馬達供電,同時也可在10%到200%間調整感應電動機的速度,甚至可以在更大范圍內調節。這些變頻器同樣能夠調整與輸出頻率相對稱的輸出電壓以提供一個相對穩定比率的電壓、頻率比,這樣的話可以產生足夠的轉矩。
Altivar12手冊建議你移除B型和C型支架入口保護的通氣孔蓋,因為IP20的保護是足夠的,但我們要將其保留在A類型支架的外殼上(圖一)。ANSI/IEC 60529-2004將這些描述為外圍設備提供的防護等級。這是一個把防護等級分類的系統,專為那些進入危險部分工作操作者和對那些會被固體外物和水破壞的設備而準備的。A型支架在通氣孔蓋放在適當位置的前提下,允許每邊多于50mm的可用空間,B類型支架允許不帶通氣孔蓋的變頻器的并排安裝(參考一)。C類型支架除了拿去了通氣孔蓋以外,其他和A類型的基本一致。
5、朝鮮衛星三級運載火箭解體災難真相曝光
圖為朝鮮衛星于周四發射升空的Unha-3火箭,火箭只按照原計劃飛行4分鐘隨之解體
電子發燒友網訊:根據火箭專家分析,朝鮮衛星Unha-3三級運載火箭在3月12號(周四)發射失敗,其主要原因很可能是在火箭發射早期進入飛行軌道,在一分鐘內的火箭發射中由于Max Q或最大限度的空氣流動壓力產生的劇烈振蕩所導致。
當朝鮮衛星的火箭在較低階段持續數分鐘的飛行時,位于運載火箭頂部的電子自旋共振導致第三級Max Q過高而造成火箭解體的災難,資深空間技術策略分析師指出。振動使得朝鮮衛星升空的夢想徹底破滅。
和朝鮮衛星連著在一起的第三級運載火箭,在一開始進入飛行的一分鐘時間里便注定了以失敗告終的悲慘結局。在世界的譴責聲中,朝鮮堅持聲稱只是進行衛星飛行測試,將極地軌道衛星送上天。但是,很多國外專家堅稱朝鮮平壤使用三級運載火箭用于彈道導彈的發射。
6、深入賽靈思Kintex-7 FPGA內部:透視HKMG技術
電子發燒友網訊:終于逮到機會評估前沿高端新技術。在眾多的革新性工藝技術中,賽靈思和臺積電首次將高K金屬柵極(HKMG)技術應用到FPGA中尤其是其中的佼佼者。現在就讓電子發燒友網帶領大家從賽靈思的工藝革新發展歷史到目前代表行業領域最高科技的Kintex-7 FPGA內部架構,這是令人興奮的一次高科技之旅。
賽靈思的工藝革新史
賽靈思早在1984年就利用無晶圓商業模式制造出賽靈思首顆芯片,代工廠商為Seiko 和 Monolith。當他們從65nm工藝節點轉入較低節點時,賽靈思和UMC, Samsung 及Toshiba 尋求合作生產 FPGAs。直到現在,賽靈思采用臺積電的HKMG工藝不但用于領先的FPGAs的Kintex-7系列產品,也囊括了很多其他即將來臨的產品設備,包括Artix-7和 Virtex-7 FPGA系列和Zynq-7000 EPP系列。這一決定將賽靈思所有產品推向進入到28nm節點時代。
FPGAs 產品家族的Kintex-7系列采用了臺積電28nm高性能低功耗(HPL)工藝節點技術來進行設計封裝制造,為客戶提供低功耗和高性能體驗。它的市場戰略目標為下一代廣播電視點播系統和下一代無線網絡等等應用領域。
Kintex-7組件能被配置到支持多空中接口,如LTE, WiMAX, WCDMA以及為PCI Express (Gen1/Gen2)提供八通道內置設計需求。Kintex-7 FPGA家族擁有領先的可擴展賽靈思架構,可對前一代產品(40-nm) Virtex-6 FPGAs進行簡便地移植使用。
談及到移植的問題,眾多的晶圓廠從65-nm節點的主要基于多晶硅門和應變工程過渡到到高K金屬門柵極絕緣層,伴隨著技術難度的加大和高成本,每次過渡都充滿著潛在性危險。
回首HKMG工藝技術,Intel憑借45-nm后柵極工藝最先進入到金屬門。臺積電是第二個晶圓代工廠能提供后柵極金屬門工藝的廠商。Intel的競爭者——AMD,直到現在才為其32-nm工藝節點引進后柵極金屬門工藝,據信,這是因為日本松下公司為其首次金屬門工藝采用金屬門重疊多硅結構。
賽靈思選擇較為簡單的HKMG工藝降低來自高功耗(HP)或低功耗(LP)28nm工藝所帶來的風險。選擇高性能,低功耗(HPL)HKMG技術可有效規避產量和漏電等異常事件發生。
選擇HPL方案,賽靈思可以更好的在進行FPGA設計時處理復雜和昂貴的靜態電源管理方案,使得能專注于開發具有統一標準的7 系列 FPGAs架構(如Artix-7 和 Virtex-7)。這些統一的架構為開發者帶來了許多好處,在FPGAs家族中不同的產品中可向上或向下移植兼容,客戶代碼和IP及普通模塊(RAM, DSP, I/O,時鐘,互連邏輯,存儲器接口)復用。
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