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電子發燒友網>制造/封裝>電子技術>首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM

首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM

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2021-09-22 15:48:252082

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靜態存儲SRAM芯片包含業界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標準的工業,醫療,商業,汽車和軍事應用。快速SRAM是諸如交換機和路由器,IP電話,測試設備和汽車電子產品之類的網絡應用的理想選擇。
2021-10-11 16:33:1112541

剖析STM32F103讀寫W25Q64

可說的。關于FATFS的移植下一篇文章介紹。本篇文章主要介紹W25Q64和驅動函數。W25Q64容量是64Mbit的flash,64Mbit = 8MByte。其內部組織關系如下:W25Q64內部分為128個塊(Block),每個塊的大小是64K字節。 計算方式: (81024)K/128 = 64K字
2021-12-02 11:21:3931

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579

偉凌創芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I

暫存器以及工業應用中的緩沖存儲器。 ? 偉凌創芯4Mbit異步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit異步快速SRAM芯片,位寬為256K*16K字。它使用16條公共輸入和輸出
2021-12-21 15:49:531080

國產存儲16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM

快速異步SRAM,存取時間為35ns(或更短)的異步SRAM可被歸類為“快速異步SRAM。 國產SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit異步快速隨機靜態存儲器
2022-01-07 16:43:331660

高性能異步SRAM技術角度

當前有兩個不同系列的異步SRAM快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術角度看來,這種權衡是合理的。在低功耗SRAM中,通...
2022-02-07 12:37:562

非易失性閃存內存模塊VDRF64M16xS54xx1V90用戶手冊

VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時讀/寫非易失性閃存內存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:401

VDEE8M32xS64xx8V250用戶手冊

VDEE8M32XS64XX8V250是一種256K×32位電可擦除可編程CMOS ROM組織為兩組4Mbit(128k×32)。每個銀行都有32位接口,并通過特定的#歐洲標準化委員會。所有其他信號
2022-06-07 15:51:251

SBC 85 1Mbit內存板開源設計

電子發燒友網站提供《SBC 85 1Mbit內存板開源設計.zip》資料免費下載
2022-08-11 11:30:302

具有快速數據傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體正在批量生產具有快速數據傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實現每秒 54MByte 的數據傳輸率,并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:44445

英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲器已開始批量供貨

【 2022 年 11 月 22 日,德國慕尼黑訊】 近日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON
2022-11-23 13:57:42336

1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403

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