電子發燒友App
應用:
DC-DC轉換
SMPS中的同步整流
硬開關和高速電路
電動工具
電機控制
概述：
PL1303N04是寶礫微推出的4開關N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產品具有較強的體二極管dv/dt能力和雪崩強度，經過100％的UIS測試和Rg測試，適用于DC-DC轉換等。
最大額定值方面，漏源電壓為40V，具有一定的耐壓性能。連續漏*電流(@25℃)高達2**。脈沖漏*電流高達90A，電流耐受性較好。耗散功率為2.5W。工作溫度和存儲溫度范圍為-55℃~150℃，溫度適應性較好。結殼熱阻為2.5℃/W，結至環境的熱阻為50℃/W，散熱性能較好。25℃下，漏源導通電阻的典型值為9.6mΩ(@VGS=10V，ID=9A)或14.5mΩ(@VGS=4.5V，ID=6A)，產品導通損耗較低?？倴?電荷的典型值為24nC。
特點：
高速功率開關，邏輯電平
較強的體二極管dv/dt能力
較強的雪崩強度
經過100％UIS測試，100％Rg測試
無鉛，無鹵素
QFN6*6-40L封裝
深圳市芯美力科技有限公司
寶礫微原廠代理商，可提供樣品測試，原廠技術支持，歡迎聯系咨詢
審核編輯?黃宇
寶礫微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N溝道功率MOSFET
- MOSFET(209664)
- 封裝(140858)
- DC-DC(80052)
相關推薦
D3N04H-VB一款2個N—Channel溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明
型號: D3N04H-VB絲印: VBA3638品牌: VBsemi參數:- 2個N-Channel溝道- 額定電壓: 60V- 額定電流: 6A- RDS(ON): 27mΩ @ VGS=10V
2024-03-16 16:37:54
N溝道40 V，2.6 mOhm，160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，2.6 mOhm，160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:58:30
0
0N溝道40 V，2.2 mOhm，180 A標準電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，2.2 mOhm，180 A標準電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:56:390
0N溝道40 V，2.1 mOhm，180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，2.1 mOhm，180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:55:140
0N溝道40 V，1.9 mOhm，200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，1.9 mOhm，200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:53:300
0N溝道40 V，1.8 mOhm，200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，1.8 mOhm，200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:51:470
0N溝道40 V，3.5 mOhm，120 A標準電平MOSFET PSMN3R5-40YSB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，3.5 mOhm，120 A標準電平MOSFET PSMN3R5-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:50:270
0N溝道40 V，3.3 mOhm，120 A邏輯電平MOSFET PSMN3R2-40YLB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，3.3 mOhm，120 A邏輯電平MOSFET PSMN3R2-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:46:420
0N溝道40 V，2.8 mOhm，160 A標準電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數據手冊
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，2.8 mOhm，160 A標準電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:45:020
0AM40N04-20D-T1-PF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
**封裝：** TO252- **類型：** N-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級：** 40V- **電流等級：** 50A- **導通電阻（RD
2024-02-20 11:29:44
SUD70N03-04P-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
**SUD70N03-04P-VB**- **絲印：** VBE1303- **品牌：** VBsemi- **參數：** - 封裝：TO252 - 溝道類型：N
2024-02-20 10:54:09
IPB120N04S4-02-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應用分析
**IPB120N04S4-02-VB****絲印：** VBL1402 **品牌：** VBsemi **參數：** TO263；N—Channel溝道, 40V；180A
2024-02-19 17:33:28
ZC3201 耐壓40V輸出12V 300mA LDO
ZC3201是一款40V高精度微安級功率LDO穩壓器。只有luA的功耗使其適用于大多數高壓節電系
統。其最大工作電壓高達40V.
其他功能包括低壓差，±1%的極高輸出精度，限流保護和高紋波抑制比
2024-02-19 16:12:50
NP40N10PDF-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應用分析
**NP40N10PDF-VB****絲印：** VBL1104N **品牌：** VBsemi **參數：** TO263；N—Channel溝道, 100V；45A
2024-02-19 15:14:12
IPB100N04S4-H2-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應用分析
**VBsemi IPB100N04S4-H2-VB****詳細參數說明:**- 類型: N溝道場效應管 (N-Channel MOSFET)- 額定電壓(VDS): 40V- 最大電流(ID
2024-02-19 11:16:03
SSM6L35FU-VB一種N+P溝道SC70-6封裝MOS管
: N+P—Channel溝道- 額定電壓: ±20V- 額定電流: 2.5A (正向), -1.5A (反向)- 開態電阻 (RDS(ON)): 130mΩ @ VG
2024-02-03 13:47:03
40N03GP-VB一款N溝道TO220封裝MOSFET應用分析
型號: 40N03GP-VB絲印: VBM1310品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N—Channel- 額定電壓: 30V- 額定電流: 80A- 導通電阻 (RDS(ON)): 6
2024-02-03 11:48:33
LFPAK56中的N溝道40 V，1.3 mΩ邏輯電平MOSFET BUK9Y1R3-40H數據手冊
電子發燒友網站提供《LFPAK56中的N溝道40 V，1.3 mΩ邏輯電平MOSFET BUK9Y1R3-40H數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-26 09:25:320
0N溝道40 V，0.81 mOhm，320 A標準電平MOSFET PSMNR70-40YSN英文資料
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，0.81 mOhm，320 A標準電平MOSFET PSMNR70-40YSN英文資料.pdf》資料免費下載
2024-01-04 14:19:310
0NSF040120L4A0：1200 V，40 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表
電子發燒友網站提供《NSF040120L4A0：1200 V，40 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:26:191
1雙N溝道40 V，13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D（半橋配置）產品數據表
電子發燒友網站提供《雙N溝道40 V，13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D（半橋配置）產品數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 14:31:020
0IPP048N04NG-VB場效應管一款N溝道TO220封裝的晶體管
型號: IPP048N04NG-VB絲印: VBM1405品牌: VBsemi參數:- 封裝: TO220- 溝道類型: N—Channel- 額定電壓(V): 40V- 額定電流(A
2023-12-29 17:16:37
STP120N4F6-VB場效應管一款N溝道TO220封裝的晶體管
—Channel - 最大電壓：40V - 最大電流：110A - 開啟電阻（RDS(ON)）：6mΩ @ VGS=10V, 6mΩ
2023-12-28 17:36:19
PC5028可調頻率輸出內置驅動MOSFET低至100KHZ頻率寬壓輸入輸出
概述PC5028是一款高性能的增壓器驅動N溝道MOSFET的控制器同步升壓功率級，從寬輸入電源范圍從4.5V到40V。當控制器從輸出電壓偏置控制器可以從低至啟動后1V。開關頻率可以通過編程FREQ
2023-12-25 18:23:47
TK35S04K3L-VB場效應管一款N溝道TO252封裝的晶體管
型號：TK35S04K3L-VB絲?。篤BE1405品牌：VBsemi參數說明：- N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 靜態導通電阻(RDS(ON))：4mΩ@10V, 5m
2023-12-21 17:25:01
SUP85N03-3M6P-GE3-VB場效應管一款N溝道TO220封裝的晶體管
型號：SUP85N03-3M6P-GE3-VB絲?。篤BM1303品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大持續電流：120A- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：3m
2023-12-21 12:00:06
MDU1517RH-VB一款N溝道DFN8(5X6)封裝MOSFET應用分析
型號：MDU1517RH-VB絲印：VBQA1303品牌：VBsemi參數說明：- 類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：120A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：3mΩ @ 10V
2023-12-20 15:52:36
IPD90P04P4L-04-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號：IPD90P04P4L-04-VB絲印：VBE2406品牌：VBsemi參數說明：- 類型：P溝道- 額定電壓：-40V- 最大電流：-110A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：4.8m
2023-12-20 11:40:39
SUD40N10-25-E3-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號：SUD40N10-25-E3-VB絲?。篤BE1104N品牌：VBsemi參數：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth
2023-12-20 10:39:02
SUD40N06-25L-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號：SUD40N06-25L-VB絲印：VBE1638品牌：VBsemi參數：N溝道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:35:17
NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南
電子發燒友網站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520
04N06L30-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:4N06L30-VB是一款N溝道功率MOSFET，適用于各種高功率和高電壓應用。這款器
2023-12-19 11:22:53
AO6402A-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
：**- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：6A- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V- 門源
2023-12-19 10:34:52
IPD90N04S4-05-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
：** VBsemi**參數：**- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5m
2023-12-18 17:18:54
IRLMS2002TRPBF-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
型號：IRLMS2002TRPBF-VB絲?。篤B7322品牌：VBsemi參數說明：- N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：6A- RDS(ON)：30mΩ @ 10V, 40
2023-12-18 09:19:32
IPD036N04L-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號：IPD036N04L-VB絲印：VBE1405品牌：VBsemi參數：- N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 開態電阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5m
2023-12-15 11:27:04
SUD50N04-8M8P-4GE3-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB絲?。篤BE1405品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 導通電阻（RDS
2023-12-14 16:25:40
BSL302SN-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
型號：BSL302SN-VB絲?。篤B7322品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大連續電流：6A- 靜態開啟電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V, 40
2023-12-14 15:43:06
AOB470L-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應用分析
型號：AOB470L-VB絲?。篤BL1806品牌：VBsemi參數：- N溝道- 額定電壓：80V- 最大電流：120A- 開態電阻 (RDS(ON))：6mΩ @ 10V, 10m
2023-12-14 15:32:10
FDC637AN-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
型號：FDC637AN-VB絲?。篤B7322品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：6A- 導通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V
2023-12-14 15:12:28
FQD6N40CTM-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號：FQD6N40CTM-VB絲?。篤BE165R07S品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 最大耐壓：650V- 最大持續電流：7A- 開通電阻（RDS(ON)）：700m
2023-12-13 17:18:09
STD30NF04LT-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號：STD30NF04LT-VB絲印：VBE1410品牌：VBsemi參數：- 類型：N溝道- 額定電壓（Vds）：40V- 最大持續電流（Id）：50A- 導通電阻（RDS(ON)）：12m
2023-12-13 15:47:01
UT100N03L-VB一款N溝道TO220封裝MOSFET應用分析
型號：UT100N03L-VB絲印：VBM1303品牌：VBsemi詳細參數說明：- 類型：N溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：30V- 額定電流（Id）：120A- 導通電阻（RDS
2023-12-13 15:30:53
FDC6301N-VB一款2個N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
Ω @ 2.5V, 12Vgs (±V)，1.2~2.2Vth (V)- 封裝：SOT23-6應用簡介：FDC6301N-VB是一款使用在各種電子設備中的N溝道MOSFET，
2023-12-13 15:26:20
SQD40P10-40L-GE3-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析
型號： SQD40P10-40L-GE3-VB絲印： VBE2104N品牌： VBsemi參數： P溝道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs
2023-12-13 14:24:33
SI3442CDV-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
SI3442CDV (VB7322)參數說明：N溝道，30V，6A，導通電阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.2V，封裝：SOT23-6。
2023-12-13 10:18:11
SL3061耐壓40V降壓恒壓芯片 40V降12V降5V 支持電流2.5A
。
SL3061 40V/2.5A開關降壓型轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
P2402CAG-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
P2402CAG (VB7322)參數說明:極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：6A；導通電阻：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓
2023-12-08 16:34:43
IRLR7843TRPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析
)閾值電壓：1.9V；封裝：TO252應用簡介：IRLR7843TRPBF (VBE1303) 是一款N溝道MOSFET，適用于高電流和高功率應用。其高額定電流和低導
2023-12-08 15:47:58
NTGS4141NT1G-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET
型號：NTGS4141NT1G-VB絲?。篤B7322品牌：VBsemi參數：- 類型：N溝道- 最大耐壓：30V- 最大電流：6A- 靜態開啟電阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V
2023-11-13 16:55:47
40V耐壓SL3061內置MOS,電流2.5A,可兼容替代XL1509系列
轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
用運放實現1~-40V的脈沖電源，使用LT1010可以實現嗎？
想用運放實現1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時間為2us，計算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規級高壓運放，請問下使用LT1010可以實現嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
FQD6N40CTM-VB-TO252封裝N溝道MOSFET
"型號 FQD6N40CTM-VB絲印 VBE165R07S品牌 VBsemi參數 溝道類型 N溝道 最大耐壓
2023-11-11 11:24:57
SQD40P10-40L-GE3-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
型號 SQD40P10-40L-GE3-VB 功能類型 P溝道功率MOSFET 最大電壓 -100V 最大電流
2023-11-09 16:05:38
30N06L-VB-TO252封裝N溝道MOSFET
Ω@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth(V)、TO252應用簡介 該型號的30N06L-VB是一款功率N溝道MOSFET。由
2023-11-08 17:17:38
IPD036N04LG-VB-TO252封裝N溝道MOSFET
型號 IPD036N04LG-VB 絲印 VBE1405 品牌 VBsemi N溝道 最大額定電壓
2023-11-08 11:43:26
RSQ045N03TR-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET
額定電流 6A 開態電阻(RDS(ON)) 30mΩ@10V, 40mΩ@4.5V 門壓(Vgs) 20
2023-11-07 11:59:39
SIR422DP-T1-GE3-VB-DFN8(5X6)封裝N溝道MOSFET
SIR422DPT1GE詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 40V 額定電流 75A 導通電阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-03 13:55:28
50N04-VB-TO252封裝N溝道MOSFET
型號 50N04絲印 VBE1405品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 85A 導通電阻 4mΩ @10V, 5mΩ @4.5V 門源
2023-10-30 10:47:29
AO6400-VB-SOT23-6封裝溝道MOSFET
型號 AO6400絲印 VB7322品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6A 導通電阻 30mΩ @10V, 40mΩ @4.5V 門源
2023-10-28 11:17:26
FDC5661N-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET
)- 閾值電壓 1~3Vth (V)- 封裝類型 SOT23-6應用簡介 FDC5661N是一款N溝道MOSFET，具有較高的額定電壓和額定電流，適合在各種電源管理
2023-10-27 17:10:05
ZXMN6A07ZTA-VB-SOT89-3封裝N溝道mosfet
：ZXMN6A07ZTA適用于中功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、穩壓和電機控制等領域模塊。其中等功率承載能力適合中功率應用場景。優勢與適用領域：適用于中功率
2023-10-27 10:30:17
AON6884，AOS/萬代，40V雙N溝道MOSFET
AON6884，規格書， 設計方案，使用方法，AOS/萬代，40V雙N溝道MOSFET 一般說明,AON6884采用先進的溝槽技術以低柵極電荷提供優異的RDS（ON）。這是一個適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
ZXGD3006E6Q 40V、8A、柵極驅動器 晶體管
ZXGD3006E6Q 產品簡介DIODES 的ZXGD3006E6Q這是一款用于開關 IGBT 和 SiC MOSFET 的 40V 柵極驅動器 。它可以將高達 10A
2023-10-19 11:28:50
LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數據表 ADI
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數據表相關產品參數、數據手冊，更有LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數據表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-08 16:47:10
500V N溝道超級結功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
650V N溝道超級結功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
600V N溝道超級結功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP4047LFDE 40V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管
DMP4047LFDE 產品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關性能
2023-09-14 19:46:59
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45
474
474東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600
600
寶礫微 PL8311 SOP-8 4.5~36V/1.5A單片式降壓型開關穩壓器
PL8311是寶礫微電子推出的一款36V，1.5A單片式降壓型開關穩壓器。 PL8311集成了36V 250mΩ高側和36V，140mΩ低側MOSFET，可在4.5V至36V寬工作輸入電壓范圍內提供
2023-08-23 17:07:49
東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設備實現高散熱和小型化
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557
557
STF140N6F7 N 溝道功率 MOSFET
STF140N6F7內容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結構
2023-08-21 16:34:33
STD4NK60ZT4一款N溝道600 V，1.7 Ω 內阻，4A超級MESH功率MOS管
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應用場景：適用于高效率開關電源、電機驅動器和照明應用等，可用于電源因數校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
寶礫微PWM控制器PL83081 QFN5x5-32封裝 100% 負載
原廠代理寶礫微
PL83081是一款 PWM 控制器，專為高性能同步 Buck DC/DC 應用設計，輸入電壓為3.0 V 至24 V。PL83081采用恒開時間控制。根據 FREQ 引腳和 GND
2023-08-16 11:33:09
NP75N04VUK40 V-75A -N溝道功率 MOS FET應用：汽車
NP75N04VUK40 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:42:040
0NP60N04VLK40 V-60A -N溝道功率 MOS FET應用：汽車
NP60N04VLK40 V - 60 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:41:410
0NP90N04VLK40 V-90A -N溝道功率 MOS FET應用：汽車
NP90N04VLK40 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:41:240
0NP30N04QUK40 V-30A-雙N溝道功率 MOS FET應用：汽車
NP30N04QUK40 V - 30 A - 雙 N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:41:080
0NP29N04QUK40 V-30A-雙N溝道功率 MOS FET 應用：汽車
NP29N04QUK40 V - 30 A - 雙 N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-07 18:40:360
0DA14581 DEVKT -Pro 子板 QFN40 Electrical 原理圖s
DA14581 DEVKT -Pro 子板 QFN40 Electrical 原理圖s
2023-07-06 19:42:130
0RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A –N溝道功率 MOS FET 應用：汽車
RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:050
0英飛凌推出OptiMOS 7技術的40V車規MOSFET產品系列
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678
678
英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302
302
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速開關和改進的dv/it能力
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
2023-06-08 14:28:28663
663
英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性
最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026
1026
怎么判斷MRFE6VS25N壞了沒有？
我在網上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效，他們提到 MegaOhms，我在 gs 上的讀數是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假設您了解什么是 MRFE6VS25N 的電阻。
2023-06-05 09:02:14
具有負載斷開控制的20V同步升壓轉換器PL30502
PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉換器，內置柵極驅動器，可斷開負載。 PL30502集成了兩個低導通電阻功率FET：一個7mΩ的開關FET和一個7mΩ的整流FET。PL
2023-05-30 14:54:09
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓IC
USB充電數據線專用升壓恒壓驅動芯片
一般說明
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓IC
AP8660是一種電流模式升壓DC-DC轉換器。內置0.25Ω的PWM電路
功率MOSFET
2023-05-18 11:23:50
BL6N120-A N溝道功率MOSFET 6A 1200V 貝嶺 絲印6N120
描述BL6N120，硅N溝道增強MOSFET，由先進的MOSFET獲得降低傳導損耗的技術，提高開關性能并增強雪崩能量。晶體管適合用于開關電源、高速開關和通用應用程序。特點? 快速切換? 低Crss
2023-05-16 16:28:47
STM32F765IIT6芯片、 STM32F765IIK6 、S912ZVCA19AMLFR
SAK-TC275T-64F200W DC
SAK-TC264D-40F200N BC
SAL-TC277T-64F200S DC
STM32F765IIT6
STM32F765IIK6
2023-05-15 18:01:49
A2T27S020N有大功率型號嗎？
我想用A2T27S020N實現1420M-1530M的功率放大，需要線性達到6W功率。目前這款功放還沒有大功率型號。沒有模型嗎？
2023-04-26 06:18:02
寶礫微的PL1201 鋰電充電芯片
PL1201 鋰電充電芯片產品型號供貨狀態模式串數(s)鋰離子（V）磷酸鐵鋰輸入電壓(V)充電電流(A)靜態電流（uA）指示燈輸入過壓(V)輸入欠壓(V)封裝PL1201量產Linear Charger14.20/4.35N4.5-241.22Y6.53.9ESOP8DFN3x3-10
2023-04-07 14:11:45
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓IC
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓ICAP8660是一種電流模式升壓DC-DC轉換器。內置0.25Ω的PWM電路功率MOSFET使該調節器具有很高的功率效率。內部補償網絡大限度地減少多達
2023-03-23 09:01:15
工商網監
評論