**SUD70N03-04P-VB**

- **絲印：** VBE1303
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - 封裝：TO252
 - 溝道類型：N—Channel
 - 最大溝道電壓（VDS）：30V
 - 最大漏極電流（ID）：100A
 - 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓（Vth）：1.9V

**詳細參數說明：**
SUD70N03-04P-VB 是一款N—Channel MOSFET，封裝為TO252，具有最大30V的溝道電壓和100A的最大漏極電流。其靜態漏極-源極電阻為2mΩ，閾值電壓為1.9V。

**應用簡介：**
SUD70N03-04P-VB廣泛應用于高功率功率電子應用，包括電源開關、電機驅動和電源逆變器等。

**領域模塊應用：**
1. **電源開關模塊：** 在電源開關模塊中，SUD70N03-04P-VB可用于實現高效能耗的電源開關，提供可靠的電源控制。
2. **電機驅動：** 作為電機驅動器的一部分，該器件能夠控制電機的運行，適用于高功率的電動工具和工業自動化系統。
3. **電源逆變器：** 在電源逆變器中，SUD70N03-04P-VB可用于控制逆變電路，將直流電源轉換為交流電源，適用于太陽能發電系統等。

**作用：**
- 提供可靠的高功率電源開關和控制。
- 用于高功率電機的驅動和控制。
- 控制高功率電源逆變器，將直流電源轉換為交流電源。

**使用注意事項：**
1. 遵循數據手冊中的最大額定值，以確保在規定條件下使用。
2. 注意散熱，確保器件工作在安全的溫度范圍內。
3. 在設計中考慮閾值電壓，以確保在正確的電壓條件下工作。
4. 確保正確的封裝和引腳連接，以避免引起電路連接問題。