電子發燒友網報道（文/劉靜）2018年開始氮化鎵被引入快充充電器，為充電器工廠提供了巨大的發展空間，大批的傳統充電器廠商紛紛轉戰氮化鎵市場。隨著蘋果推出140W大功率的筆電快充方案，充電器
2023-07-21 09:08:38
2500 
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器在1.2GHz至1.4GHz脈沖射頻連續波下工作。該款100W、50V
2024-02-26 23:12:06
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 Weltrend新參考設計表明，擁有成本優勢的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器 ，為客戶帶來規模經濟以及無與倫比的氮化鎵穩健性 ? ? 2023 年 12 月 28
2024-01-03 15:17:33125 2024紫光同創盤古家族產品將全面更新，推出多款新品，涵蓋紫光同創Logos/Logos2/Titan2/Compa全系列，滿足多方位需求，同時，針對高校教學，推出盤古EU22K(PGL22G)(教學版/合并下載器)、盤古PGX(PGL50H)(電賽定制)，產品豐富
本主題由 dianzi_0
2024-01-03 14:49:15
事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
也提出了更高的要求。 按照柵極特性差異，GaN分為 常開的 耗 盡型（D-mode ）和 常關的增強型（E-mode） 兩種類型；按照應用場景差異，GaN需要 隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負壓關斷 等多種驅動方式。針對不同類型的GaN和各種應用場景，納芯微推出
2023-12-20 13:35:02235 
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
德州儀器 (TI) 今日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 今年PI InnoSwitch3系列反激式開關IC再添新品，“900V耐壓”和“100W輸出功率”非常吸引眼光。本次，我們將從新品性能、參考設計以及Demo測評三個角度，初步認識本次新品。
2023-11-28 15:24:42719 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 雖然氮化鎵（GaN）半導體在汽車應用中仍處于早期階段，它正迅速進入更高電壓領域。考慮到其高功率密度和效率，氮化鎵技術正逐漸在汽車工業中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應用，它能應用于各種汽車系統。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預計，它會對汽車工業產生顯著影響。
2023-11-22 13:45:31153 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23619 
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC
2023-10-31 11:12:52266 氮化鎵功率半導體器件的先鋒企業 Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設計充分發揮氮化鎵晶體管的優勢，而E-Mode設計卻必須在性能上做出妥協
2023-10-24 14:12:26531 有無大佬知道這個SYN15-AAC是個啥?半導小芯查不到
這東西不知道被誰插在電腦上了,還插在了打印機線上,是同事問我打印機找不到了才發現這么個東西,插電腦上有一聲響但不知道是干啥用的
2023-10-20 14:14:48
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:44544 后，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們全部集成到一個封裝中，降低了寄生參數對高頻開關的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設計。
2023-10-11 15:33:30311 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23476 
與器件接地參考控制信號。自舉電容器 CBST、圖騰柱雙極驅動器和常規柵極電阻器都可作為電平位移電路。此外，一些驅動芯片已內置自舉電路，可直接將自舉信號接入功率器件基準端。
驅動電路按照電路結構分為隔離型
2023-10-07 17:00:40
作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 
86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當第三代半導體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會帶來怎樣的新驚喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產品將高性能、高可靠性電流控制
2023-09-20 16:07:23387 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:342697 
推出非常關鍵的同步整流控制器，解決了氮化鎵快充的全部難點。在移動電源領域，智融同樣不斷克服技術難題，推出同步升降壓控制器、協議芯片、SoC 芯片等產品，致力于為客戶提供端到端的全套解決方案。
2023-09-18 15:52:03
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。意法半導體的數字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設計、技術文檔和eDesignSuite軟件配置器和設計工具來實現
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 這是以電源IC AN7115為主要部分搭建的微型音頻放大器電路。通常，使用 9VDC 電源和 4Ω 揚聲器時，該放大器將提供約 2.1W 的功率。當電源電壓（Vcc）為9.0VDC、THD=10%、RL=8Ω時，AN7114的輸出功率可達1.4W，噪聲輸出為3mV。
2023-08-02 15:33:10412 
相對于傳統的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統的硅電源會產生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233605 氮化鎵功率器件多用于充電器領域，出貨量很大。并陸續擴展到車載OBC、數據中心的電源、分布式電源等應用。最近羅姆發布EcoGaN? Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。該產品
2023-07-27 11:06:201179 
R2A20112SP/DD 數據表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-07-13 19:23:53
0 深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC，原裝現貨 型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
。這款電源內置英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開關管，采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬態耐壓為800V，具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓
2023-07-05 22:38:44
NP83P06PDG 數據表
2023-06-30 20:17:160 NP100P06PDG 數據表
2023-06-30 20:17:040 NP83P04PDG 數據表
2023-06-30 20:13:510 NP100P04PDG 數據表
2023-06-30 20:00:430 NP110N04PDG 數據表
2023-06-26 20:55:200 NP82N06PDG 數據表
2023-06-26 20:54:420 NP82N04PDG 數據表
2023-06-26 19:41:180 功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
座采用橙色膠芯，正負極加寬設計。
全部拆解完畢，來張全家福。
充電頭網拆解總結
橙果電子推出的這款氮化鎵充電器為長條柱狀造型設計，具備折疊插腳，小巧便攜。充電器具備2C1A接口，總輸出功率為65W
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業“主力”開關速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
。
在器件層面，根據實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優值系數，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化
2023-05-30 09:03:15384 e-mode GaN 的弱點，過壓穩健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現 dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件相同，新型 650 V H2 IC
2023-05-15 10:47:11947 
業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商。
2023-05-10 11:23:31820 業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
NP110N04PDG 數據表
2023-05-06 19:09:180 NP82N06PDG 數據表
2023-05-06 19:08:400 NP82N04PDG 數據表
2023-05-05 19:48:410 鎵PD-65W應用器件先進封裝關鍵技術研究與開發、PDPN5*6 IC器件封裝工藝研究、SOP16 IC器件封裝工藝研究、TO247大功率器件封裝工藝研究、TO220F大功率器件封裝工藝研究。目前晶導
2023-04-14 16:00:28
愛美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭，采用茂睿芯成熟穩定的 IC 芯片及第三代半導體制造商-潤新微 GaN-MOS，充電器具備 2C1A 三個輸出接口，兩個 USB-C
2023-04-07 10:59:141224 
智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內置多快充協議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨立限流。內置的同步降壓轉換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術，可提供高達100W的功率，效率超過93%，因而無需散熱片，并可簡化空間受限型應用的電源設計。
2023-03-31 02:10:003363 
R2A20112SP/DD 數據表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-03-30 19:52:440 、高耐壓的半導體器件。近期，深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)宣布推出900V耐壓的氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關IC再添新品。 據了解，新IC采用該公司特有的PowiGaN技術，使用獨
2023-03-30 11:48:45562 AP7115-25SEG
2023-03-28 14:52:17
在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021193 
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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