作為氮化鎵快充控制器國產(chǎn)化的先行者，KeepTops率先實(shí)現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產(chǎn)集成GaN直驅(qū)的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可，現(xiàn)已推出。

KeepTops繼推出氮化鎵控制器后，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅(qū)動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們?nèi)考傻揭粋€封裝中，降低了寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設(shè)計(jì)。

氮化鎵芯片

KT65C1R120D是一種高能效、高可靠性的高頻準(zhǔn)諧振反激變換器。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置高壓啟動電路，可實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗和超快的啟動速度。KT65C1R120D提供自適應(yīng)頻率折疊式，在滿載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率。在QR和DCM模式下，山谷被打開以提高效率。無負(fù)載時，芯片工作在突發(fā)模式下，以降低待機(jī)功耗。

內(nèi)部集成了一個650V耐電壓氮化鎵開關(guān)管，以及一個高電壓啟動電路，軟啟動電路，以及超寬輸出范圍分段電源電路。在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流，最大工作頻率為175KHz，支持頻率抖動以改善電磁干擾性能，支持谷導(dǎo)通，并在輕載和空載模式下以突發(fā)模式工作，以降低功耗和提高效率。

芯片內(nèi)置過熱保護(hù)、電源過壓保護(hù)、電源欠壓鎖定、逐周期限流、兩級過流保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)和過載保護(hù)，提供完整全面的保護(hù)功能。

在同步整流管的背面是KeepTops KT65C1R120D同步整流控制器，KT65C1R120D 是一顆自適應(yīng)開通檢測和快速關(guān)斷同步整流控制器，無需輔助線圈供電，輸出電壓最低可低至 0V，專利的自適應(yīng)開通檢測電路避免同步整流管誤開通，兼容多種 MOS，具有超低的靜態(tài)電流，支持多種工作模式，支持高側(cè)和低側(cè)同步整流，外圍元件非常精簡。

氮化鎵芯片

氮化鎵的重要性
許多由氮化鎵制成的東西正在改變電力電子的行業(yè)。今天，你可以買到小型的USB-C充電器，這些充電器的電量足以同時為你的筆記本電腦、手機(jī)和平板電腦充電，即使它們的電量并不比我們多年來使用的小設(shè)備差多少。版本要大得多。

將一種電壓電平轉(zhuǎn)換為另一種電壓電平的電力電子設(shè)備也是電動汽車許多方面的關(guān)鍵。它們體積更小、重量更輕、效率更高、散發(fā)的熱量更少，讓電動汽車充一次電可以行駛更遠(yuǎn)的距離。這些產(chǎn)品還非常善于從太陽能電池板等可再生能源中榨取更多電力。即使是少量的能量轉(zhuǎn)換效率，當(dāng)它們發(fā)生多次時也會增加，例如在包括電池存儲在內(nèi)的可再生能源電網(wǎng)中。

GaN可能是一種神奇的材料，但它面臨著來自久經(jīng)考驗(yàn)的硅和越來越多的新材料的競爭，這些新材料有可能徹底改變我們的電子產(chǎn)品。不過，它的用途仍在擴(kuò)大,降低功耗和廢熱可以轉(zhuǎn)化為大量節(jié)省電費(fèi)。然而，其數(shù)據(jù)中心的客戶都沒有公開承認(rèn)使用過這項(xiàng)技術(shù)。

與硅相比，GaN可以處理相對較大的電流。它有一個不尋常的特性，既能很好地移動電子，又能很好地阻止它們?nèi)ツ悴幌胱屗鼈內(nèi)サ牡胤剑@使得它既有用又相對安全。除了導(dǎo)電能力外，GaN還能在比硅高得多的頻率下工作。在商業(yè)應(yīng)用中快30到500倍這使得充電器比傳統(tǒng)充電器更小或提供更多的功率。

審核編輯 黃宇