基于Crosslight先進的半導體器件仿真設計平臺，我司技術團隊已開發出可靠精準的雪崩光電探測器模型，在低反向偏壓下，暗電流在2.5 nA/cm2左右，隨著反向偏壓慢慢增加，暗電流緩慢增加，直到反向偏壓增加到161 V時，器件發生雪崩擊穿，造成暗電流驟增，280 nm波長的峰值響應度為0.11 A/W，仿真計算數據與實驗測試數據高度吻合。同時技術團隊還針對于SACM型雪崩光電探測器做了深入系統的研究，細致的研究了器件結構設計過程中的一些敏感參數對于器件性能的重要影響，獲得器件關鍵指標與材料結構參數之間的依賴關系，找出器件的優化設計規則，對于優化器件結構和提高器件性能具有重要的理論指導意義。

相關研究成果以"Optimization strategy of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Avalanche Photodiode Structure for High Ultraviolet Detection Efficiency"為題被權威期刊Nanoscale Research Letters錄用。