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化合物半導體+大直徑晶圓制造,Aeluma光電探測器開始送樣

MEMS ? 來源:麥姆斯咨詢 ? 2023-04-07 11:34 ? 次閱讀

據麥姆斯咨詢報道,Aeluma(美國中級場外交易市場OTCQB代碼:ALMU)是一家專注于為激光雷達(LiDAR)、通信和傳感提供可擴展、經濟、高效的光電探測器技術的半導體公司。該公司近日宣布,已開始送樣其大直徑晶圓兼容的化合物半導體光電探測器,首批包括某汽車Tier-1供應商。

Aeluma工程樣品采用大直徑晶圓制造平臺生產,該平臺與大規模CMOS代工制造工藝兼容。該Tier-1汽車供應商預計將對樣品進行性能驗證評估。

Aeluma最近還宣布了一種新型光電探測器的性能突破。該探測器可實現小于100皮安(pA)的暗電流,以及高于90%的量子效率。并且,這一突破是在大直徑晶圓襯底平臺上實現的,從而使每片晶圓能夠生產更多的探測器芯片。更高的單片晶圓芯片數量,加上高度自動化的制造,直接帶來了更低的芯片成本,得以更經濟地生產光電探測器陣列。

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不同的是,現有的高性能化合物半導體光電探測器是在小尺寸晶圓襯底上通過低產量、特定工藝制造的。這些光電探測器價格昂貴,并且無法擴展到大眾市場應用所需要的規模。Aeluma的平臺將大直徑晶圓制造與高性能化合物半導體相結合,為大規模市場應用提供了可能,并且,在不犧牲器件性能的前提下大幅降低了成本。

兩全其美

激光雷達應用通常采用硅單光子雪崩二極管(SPAD)和銦鎵砷(InGaAs)光電二極管。雖然SPAD可以在大尺寸晶圓上生產,但它們的效率通常低于InGaAs光電二極管。此外,它們通常在905 nm至940 nm波長范圍內工作,需要低激光功率以確保人眼安全。這反過來又限制了激光雷達的探測范圍。提高該波段光電探測器的效率,將提高激光雷達的性能。

InGaAs光電二極管可以在900 nm到1700 nm的范圍內工作,包括用于遠距離激光雷達的1550 nm區域。1550 nm激光功率明顯更高,并且可以保持人眼安全,從而能夠在更遠的距離實現更高的分辨率。

因此,Aeluma的光電探測器技術跨越了900 nm至1700 nm的范圍,既可以提高1550 nm器件的成本效益,還能夠提高905 nm至940 nm器件的性能。

關于Aeluma

Aeluma專注于開發傳感和通信應用的新型光電器件。Aeluma開創了一種在大直徑晶圓上利用高性能化合物半導體材料制造光電探測器的技術。該技術有望提高器件性能的同時,提供具有成本效益的大規模制造,性能和成本對未來的激光雷達及其他傳感器應用都至關重要。Aeluma正在其位于美國加利福尼亞州戈萊塔的總部開發一種簡化的商業模式,其總部擁有最先進的制造潔凈室(9000平方英尺)。

審核編輯 :李倩

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原文標題:化合物半導體+大直徑晶圓制造,Aeluma光電探測器開始送樣

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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