式電源?(SMPS)。 ? 首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:42
1844 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達(dá)98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 SiC MOSFET在開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導(dǎo)體（Si）實(shí)現(xiàn)不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本
2020-09-24 16:23:17
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
日益增長(zhǎng)的需求，適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。 英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
項(xiàng)目需求一個(gè)80V的電壓功率放大器，要求如下：1)、輸入信號(hào)：0～1V （60kHz,方波）2)、輸出信號(hào)：0～80V（
2017-11-09 19:18:24
產(chǎn)品概述： ZCC2480是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速 環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓（4.5 V至80V）提供最大1.5A電流
2020-06-15 13:58:44
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-05 10:07:06
產(chǎn)品概述： ZCC2480是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速 環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓（4.5 V至80V）提供最大1.5A電流
2021-04-20 17:47:52
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
汽車級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET，應(yīng)用于高頻非隔離的DCDC變換器，以提高系統(tǒng)的效率，降低系統(tǒng)的體積。AOS的AON6240就是采用這種技術(shù)，電壓40V，Rdson=1.6m，廣泛的應(yīng)用于通訊模塊電源的副邊同步整流。溝漕和平
2016-10-10 10:58:30
星期二海報(bào)對(duì)話會(huì)議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級(jí)功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
;<p>過(guò)去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪?b class="flag-6" style="color: red">汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引
2008-08-01 15:32:09
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應(yīng)用電源的外形尺寸且有效解決方案是當(dāng)下電源設(shè)計(jì)人
2012-04-28 10:21:32
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
克服了上述問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開(kāi)關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個(gè)晶體管（某種晶體管）來(lái)打開(kāi)和關(guān)閉它。P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管P溝道區(qū)域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
朝著更高功率密度、更高能效的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方向前進(jìn)，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封裝代替有管腳的SMD封裝或適用于低壓MOSFET的過(guò)孔器件。由于存在封裝
2018-12-07 10:21:41
產(chǎn)品概述：SL3040是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓（4.5 V至80V）提供最大1.5A電流的高效率輸出
2022-01-14 10:50:35
技術(shù)開(kāi)始超級(jí)融合，電源傳感技術(shù)更新迭代，催生出電源設(shè)計(jì)更高、更智能的標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌作為半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案行業(yè)領(lǐng)先者，連接現(xiàn)實(shí)與數(shù)字世界，推出的電源管理、傳感器等核心芯片，將滿足新時(shí)代的能效需求，智領(lǐng)“電源
2021-06-29 15:23:50
驅(qū)動(dòng)。我們現(xiàn)在看到設(shè)計(jì)人員了解如何使用GaN，并看到與硅相比的巨大優(yōu)勢(shì)。我們正與領(lǐng)先的工業(yè)和汽車伙伴合作，為下一代系統(tǒng)如服務(wù)器電源、旅行適配器和車載充電器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技術(shù)，安森美半導(dǎo)體將確保額外的篩檢技術(shù)和針對(duì)GaN的測(cè)試，以提供市場(chǎng)上最高質(zhì)量的產(chǎn)品。
2020-10-27 09:33:16
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
CoC TIer2和DoE Level VI效率要求。 圖8：不同輸入電壓和負(fù)載條件下的ACF評(píng)估板能效曲線總結(jié)如今的高功率密度充電器和適配器應(yīng)用常常使用GaN HEMT，因?yàn)橄啾扔诠?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET
2022-04-12 11:07:51
CoC TIer2和DoE Level VI效率要求。 圖8：不同輸入電壓和負(fù)載條件下的ACF評(píng)估板能效曲線總結(jié)如今的高功率密度充電器和適配器應(yīng)用常常使用GaN HEMT，因?yàn)橄啾扔诠?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET
2022-06-14 10:14:18
，降低成本，并且提供了準(zhǔn)諧振以及抖頻功能，改善系統(tǒng)的EMI特性，同時(shí)滿足六級(jí)能效。芯片內(nèi)部集成了逐周期峰值電流限制，過(guò)流保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)、VDD過(guò)壓保護(hù)等多種功能，提高系統(tǒng)的可靠性。 電路原理圖
2016-07-28 15:07:01
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
導(dǎo)讀：日前，凌力爾特公司 （以下簡(jiǎn)稱“Linear”）宣布推出一款具M(jìn)PPT的80V太陽(yáng)能鉛酸和鋰電池充電控制器--LT8490.該器件非常適合于對(duì)多種鋰電池或鉛酸化學(xué)類型電池進(jìn)行充電。 日前
2018-09-29 17:04:03
耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級(jí)水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。ROHM在推出該
2019-04-08 08:48:17
在PFC電路中使用升壓轉(zhuǎn)換器提高功率密度
2022-11-02 19:16:13
，這些特性便顯得尤為重要。GaN可處理更高頻率和更高能效的電源，與硅組件相比，它可以在尺寸和能耗減半的條件下輸送同等的功率。由此便可以提高功率密度，幫助客戶在不增大設(shè)計(jì)空間的同時(shí)滿足更高的功率要求。更高
2019-03-01 09:52:45
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
驅(qū)動(dòng)。我們現(xiàn)在看到設(shè)計(jì)人員了解如何使用GaN，并看到與硅相比的巨大優(yōu)勢(shì)。我們正與領(lǐng)先的工業(yè)和汽車伙伴合作，為下一代系統(tǒng)如服務(wù)器電源、旅行適配器和車載充電器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技術(shù)，安森美半導(dǎo)體將確保額外的篩檢技術(shù)和針對(duì)GaN的測(cè)試，以提供市場(chǎng)上最高質(zhì)量的產(chǎn)品。
2018-10-30 08:57:22
通；P溝道MOSFET通過(guò)施加給定的負(fù)的柵-源極電壓導(dǎo)通。MOSFET的柵控決定了它們?cè)赟MPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開(kāi)關(guān)，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
公司的 DrMOS 專業(yè)技術(shù)在諸如高性能計(jì)算及通信的同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器之類的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度以及高開(kāi)關(guān)頻率。透由整合的方式，整個(gè)開(kāi)關(guān)功率級(jí)為驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)
2013-12-09 10:06:45
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō)，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
碳化硅（SiC） MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專知和經(jīng)驗(yàn)支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開(kāi)發(fā)周期。本文將主要介紹針對(duì)主流功率等級(jí)的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應(yīng)用提供性能。因此，設(shè)計(jì)工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統(tǒng)尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池?cái)?shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
產(chǎn)品概述： ZCC2480是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速 環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓（4.5 V至80V）提供最大1.5A電流
2020-11-09 14:53:40
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡(jiǎn)化熱管理。 因此，可以提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)成本。 繼去年發(fā)布展示有巨大優(yōu)勢(shì)的全新30V硅技術(shù)產(chǎn)品之后
2018-12-06 09:46:29
48V 電壓驅(qū)動(dòng)至電路板。那么，還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數(shù)據(jù)中心的功率密度呢？本文概述了一種兩級(jí)架構(gòu)解決方案——以一種靈活的、可調(diào)節(jié)的、高性價(jià)比方式，將 48V 電壓驅(qū)動(dòng)至負(fù)載點(diǎn)
2021-05-26 19:13:52
開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過(guò)一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見(jiàn)繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來(lái)減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
，上世紀(jì)80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng)，致使可以采用小型電源組件供給單個(gè)電路板安裝。例如，提供桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)的開(kāi)關(guān)電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
全球法規(guī)和新的標(biāo)準(zhǔn)迫使電源設(shè)計(jì)人員提高電源的整體能效。美國(guó)和歐洲能源部門已經(jīng)確定了新的能效標(biāo)準(zhǔn)。如果我們看看歐洲行為準(zhǔn)則，一個(gè)40-W電源的最低平均能效在2014年和2016年之間約提升1%。請(qǐng)
2018-10-19 08:59:53
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23651 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52712 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211076 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551514 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 的散熱
通過(guò)機(jī)電元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:061906 
N 溝道器件實(shí)現(xiàn)高功率密度，降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)；一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:213717 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201161 
80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D230-80E
2023-02-20 19:58:35
0 80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D81-80E
2023-02-20 20:03:220 80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB360ENEA
2023-02-21 19:19:370 在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電站和電動(dòng)汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來(lái)的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28196 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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