OLED屏幕顏色三種實現(xiàn)方案

　　下面提到的這種高端大氣上檔次的“蒸鍍”法，主要應用于RGB三色排列的典型OLED屏幕。三星的諸多OLED電視產品都是基于這種方法蒸鍍出來的，效果很不錯，三原色都非常純粹，但成本非常高昂。這類蒸鍍所用的技術叫FMM，精細金屬掩模板，就是蒸鍍的時候為了區(qū)分像素，蓋個掩膜，所以對齊的問題，以及掩膜材料本身都會成為技術難點。

　　實際上，人類為了控制成本，OLED電視不止上述一種，有一類藍光+色變換層：這種方案只需要蒸鍍藍光OLED元件，經(jīng)過變換層將光轉為RGB三色，這類技術受到色彩轉換器開發(fā)難度的限制，并未被大規(guī)模采用。

　　還有一類OLED電視是白光+三種彩色濾光片，原理上和LCD液晶面板有些類似，以白色為背光，再加彩色濾光片—這種方式在成本上顯然就低了很多，LG就曾以這種方案生產OLED電視，白光OLED +彩色濾光片也一度被認為是OLED進一步實現(xiàn)低成本的方案。只不過加上濾光片，透光率光色純度都更成問題，所以亮度、對比度、色彩、節(jié)能表現(xiàn)理論上都不及RGB OLED。

　　AMOLED平板顯示研發(fā)過程和技術難點

　　AMOLED技術的開發(fā)主要涉及到TFT背板和OLED器件兩個方面。在技術路線的選擇上，目前國際上尚未統(tǒng)一，有多種技術方案在開發(fā)中。

　　發(fā)光器件即OLED的性能決定了AMOLED顯示屏的色彩表現(xiàn)力、功耗等品質，因此OLED器件技術的開發(fā)對產品競爭力的提高具有非常重要的意義。 OLED器件制備技術主要有兩個關鍵點，一個是開發(fā)高遷移率的傳輸材料和高效率、長壽命發(fā)光材料，另一個是開發(fā)新型器件結構，提高器件性能。因此，開發(fā)新型有機材料、設計新型器件結構和改進真空蒸鍍技術將是研究的重點。

　　目前，TFT背板中的溝道層半導體材料主要有非晶硅（a-Si）、微晶硅（μ-Si）、低溫多晶硅（LTPS）、單晶硅、有機物和氧化物等。由于 OLED是電流驅動型器件，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光特性。為了達到足夠的亮度，AMOLED需要TFT的溝道材料具有較高的遷移率，以提供較高的電流密度，因此目前普遍應用于TFT-LCD中的非晶硅TFT由于遷移率較低很難滿足要求。另外，與TFT-LCD所不同的是，AMOLED需要TFT長時間處于開啟狀態(tài)，非晶硅TFT的閾值電壓漂移問題也使其很難應用在AMOLED中。從技術發(fā)展現(xiàn)狀來看，較有希望的是LTPS TFT和氧化物TFT等技術，但也存在很多難點。

　　目前，應用在AMOLED中最成熟的TFT背板技術是低溫多晶硅（LTPS）技術。在LTPS技術中，最重要的工藝難點即為多晶硅溝道層的制備。工藝流程中首先使用PECVD等方法在不含堿離子的玻璃基板上淀積一層非晶硅，而后采用激光或者非激光的方式使非晶硅薄膜吸收能量，原子重新排列以形成多晶硅結構，從而減少缺陷并得到較高的電子遷移率。

　　對LTPS結晶化技術而言，激光結晶化技術尤其是準分子激光退火（ELA）技術目前在小尺寸應用方面已經(jīng)較為成熟，全球已經(jīng)量產的AMOLED產品基本都使用了ELA技術。ELA技術的難點在于TFT的一致性問題，各像素間TFT特性的不同導致OLED的發(fā)光強度出現(xiàn)不均勻，進而導致面板成品率無法保障，因此提高ELA技術制備的TFT一致性一直是國內外各單位研發(fā)的重點。另外，ELA技術在大尺寸基板的量產方面也存在較大的問題。

　　另一方面，非激光結晶化技術在實現(xiàn)大尺寸基板量產并降低成本，以及在TFT均勻性方面具有很大優(yōu)勢。但非激光結晶化技術在現(xiàn)階段也同樣存在著技術難題。其中金屬誘導晶化（MIC）技術因為金屬污染導致的漏電流等問題，使得缺陷和壽命問題很難解決；固相結晶化（SPC）技術在大尺寸AMOLED的制備上具有較大的綜合性優(yōu)勢，但其載流子遷移率與激光結晶化技術相比較低，而且在量產技術方面仍然需要進一步完善。

　　AMOLED制作工藝

　　LTPS-AMOLED的制作工藝囊括了顯示面板行業(yè)的諸多尖端技術，其主要分為背板段，前板段以及模組段三道工藝。 背板段工藝通過成膜，曝光，蝕刻疊加不同圖形不同材質的膜層以形成LTPS（低溫多晶硅）驅動電路，其為發(fā)光器件提供點亮信號以及穩(wěn)定的電源輸入。其技術難點在于微米級的工藝精細度以及對于電性指標的極高均一度要求。

　　鍍膜工藝是使用鍍膜設備，用物理或化學的方式將所需材質沉積到玻璃基板上（2）；

　　曝光工藝是采用光學照射的方式，將光罩上的圖案通過光阻轉印到鍍膜后的基板上（3、4、5）；

　　蝕刻工藝是使用化學或者物理的方式，將基板上未被光阻覆蓋的圖形下方的膜蝕刻掉，最后將覆蓋膜上的光阻洗掉，留下具有所需圖形的膜層（7、8）。