Micro LED被視為是抵御OLED的終極武器，目前國際大廠與臺廠紛紛鴨子劃水默默研發，更是吸引LCD與LED兩大陣營分頭進擊。不過，現階段的Micro LED還有許多技術瓶頸待突破，近期
2016-10-14 10:09:05
1009 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
，這一成果標志著該校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。（圖片來源：西安郵電大學官網）近年來，我國在氧化鎵的制備上連續取得突破性進展，從去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化鎵制備技術越來越
2023-03-15 11:09:59
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發現鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發到商業化應用，氮化鎵的發展是當下的顛覆性技術創新，其影響波及了現今整個微波和射頻行業。氮化鎵對眾多射頻應用的系統性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響，并實現了利用傳統半導體技術無法實現
2017-08-15 17:47:34
波段，隨著襯底、外延、芯片和封裝技術的不斷進步，藍光激光器的性能在不斷提升。 圖3、（a）氮化鎵/藍寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比（圖中暗斑為位錯缺陷） 在襯底方面，早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
的關鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術的性能優勢已經過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎設施的實際促技術，其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業客戶聯系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及，使
2021-11-28 11:16:55
有限公司承辦。 本屆論壇為期3天，同期二十余場次會議，25日上午 “氮化鎵材料與器件技術”分會如期召開，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應用。意法半導體和MACOM為提高意法半導體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導體預計2018年開始量產樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達優勢供應NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印：NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在開發中。微控制器和數字信號處理器（DSP），也可以用來實現目前軟開關電路拓撲結構，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優化的磁性材料，已經可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
Apple Watch 3將采用Micro LED顯示面板，也令整個行業都炸開了鍋。 索尼在核心顯示技術方面一直都有著舉足輕重的地位，對于Micro LED索尼自己其實也一直在不斷研發。早在2012
2017-08-16 10:15:41
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
這樣的領導者正在將氮化鎵和固態半導體技術與這些過程相結合，以更低的成本進行廣泛使用，從而改變行業的基礎狀況。采油與傳統的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
33μF400V。
另一顆規格為47μF400V。
差模電感采用磁環繞制，外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內部采用兩路PI的電源芯片，對應兩顆不同大小的變壓器，組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
9月17日，深交所上市公司深康佳A（康佳集團）發布公告稱，擬出資15億元與重慶兩山產業投資有限公司（以下簡稱重慶兩山）合資成立重慶投資建設康佳半導體光電研究院。并以該研究院為主體投資不超過25.5億元采購Micro LED相關的機器設備，開展Micro LED相關的產品研發、生產和銷售。
2019-09-18 10:39:171285 10月31日，“未來之境”康佳APHAEA未來屏全球發布會在重慶舉行，康佳在現場發布了APHAEA未來屏新品，是基于5G、8K、AI、IoT以及云技術，圍繞Micro LED超大屏以及智慧屏而打造。
2019-11-01 15:04:334580 10月31日，瞄準Micro LED等新型顯示技術的重慶康佳半導體光電產業園在璧山國家高新區正式開工建設，總投資共300億元。同日，康佳發布首款Micro LED系列產品Smart Wall，標志著
2019-12-10 09:23:12746 康佳集團近日舉行新品發布會，對標三星推出了118寸4K、117寸6K，甚至236寸8K的Micro LED顯示器。
2019-12-13 15:35:433402 昨（17）日，全球領先的半導體行業沉積設備供應商愛思強（AIXTRON）宣布，康佳集團已訂購了多個AIX G5+C和AIX 2800G4-TM MOCVD系統，以建立該公司基于GaN（氮化鎵）和砷磷材料的Mini及Micro LED的批量生產能力。
2020-03-18 13:56:24836 /Micro LED的批量生產能力。這一舉措為聯建光電與康佳共同推進Mini/Micro LED的商用化進程奠定了基礎。
2020-03-19 16:03:583021 也是康佳自去年發布8K的Micro LED電視后，首次實現了5G+8K電視直播的落地和應用。有鑒于此，也被很多業界人士視為康佳Micro LED的5G直播首秀。
2020-06-15 16:55:133426 的技術成果開始一一展現。現在市場上已可見到搭載MiniLED背光技術的顯示產品，Micro LED的示范技術也持續突破演進。
2020-07-21 10:27:022372 
據報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576 前不久，康佳發布了全球首款Micro LED手表，并引起了行業高度重視。然而，除此款產品爆火外，康佳還研發出了P0.375全球首個玻璃基板上最小間距的Micro LED顯示屏。相關人士坦言，康佳
2021-01-18 11:26:315103 以康佳為代表的國內彩電廠商已經開始加快在Mini/Micro LED領域的研發生產進程。
2020-11-11 10:16:113194 國產氮化鎵快充研發取得重大突破，三大核心芯片實現自主可控，性能達到國際先進水準。氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊式傳統硅（Si）技術加快了二十
2020-12-18 10:26:523387 今天，2020 重慶 Micro LED 產業創新論壇暨康佳半導體顯示技術及產品發布會開幕，在會上，康佳集團正式發布了 APHAEA Micro LED 未來屏產品矩陣，涵蓋點間距從 P1.2
2020-12-19 10:14:593069 至P0.12等多形態、多場景小間距產品，加快實現全場景顯示應用。其中，康佳集團全球首發Micro LED手表APHAEA Watch，其搭載的P0.12 AM-LTPS Micro LED微晶屏，點間距
2020-12-21 17:03:36961 近日，加拿大Micro LED初創企業VueReal宣布其專有的倒裝芯片Micro LED結構研究獲得突破，可實現垂直LED結構所具有的高良率和低成本特點，良率超99.9%。
2020-12-23 15:55:02870 12月18日，康佳發布了全球首款Micro LED手表——APHAEA Watch，該手表采用的是2英寸的Micro LED微晶屏，續航時間可達35天。Micro LED手表的發布是中國第一次在顯示技術領域走在了世界前面。
2020-12-23 17:22:101027 在“2020重慶Micro LED產業創新論壇暨康佳半導體顯示技術及產品發布會”上，康佳集團發布全球首款Micro LED手表APHAEA Watch，以及以這款手表為代表的Micro LED未來屏產品矩陣。
2020-12-25 13:50:002100 LED的量產問題，據外媒報道稱，加拿大公司VueReal宣布其Micro LED屏幕技術取得了突破，良率高達99.9996%。公司一直致力于研究倒裝結構的Micro LED芯片。 據了解，VueReal的發光芯片大小僅為8微米，其生產過程基于兩步臺面工藝，跟其它廠商使用通孔工藝，這會導致結構
2020-12-30 10:27:383265 8月11日下午14：00，「UMicro 重塑新章」洲明Micro LED新品發布會在福永總部盛大召開。洲明集團顯示產品線總裁田守進、Micro LED技術部總經理張金剛、產品管理部總經理萬庚，在云端全方位展示洲明最新COB LED微間距的技術突破與產品研發成果。
2022-08-12 09:27:161279 “公司正在積極推進Micro LED產業化工作，已建成MicroLED全制程批量生產線，Micro LED芯片開始進入量產階段。”
2022-08-29 15:13:41913 氮化鎵（GaN）基Micro LED由于在新一代顯示技術、高速可見光通信等方面有著廣泛的應用前景，吸引了眾多研究者的關注。相比于常規尺寸LED，Micro LED可實現更高的顯示分辨率與更高的調制速率。
2023-02-01 10:18:56469 氮化鎵技術是由美國物理學家威廉·貝克（William Beck）于1962年突破的技術。（該答案未能證實） 1993年，Nichia公司首先研制成發光亮度超過lcd的高亮度GaInN/AlGaN異質結藍光LED，使用摻Zn的GaInN作為有源層，外量子效率達到2.7%，峰值波長450
2023-02-16 17:48:442805 據高工LED調研了解，目前康佳已建成了 MLED 芯片量產線，自主研發的 4 吋Mini LED 芯片和Micro LED 芯片等高端芯片實現產業化，芯片整體性能、結構性與可靠性處于行業領先水平
2023-05-30 17:34:40370 對于半導體業務：一是保持技術領先，以市場為導向推動 Micro LED 的產業化。以客戶需求為導向，對芯片、巨量轉移技術持續攻關。二是以客戶為導向，推動 Mini LED 的銷售規模化。”康佳在半年報中劃定了新目標。
2023-08-28 14:21:34400 采用國星光電自主研發的巨量轉移技術路線，實現＞50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉移良率＞99.9%。此外，國星Micro LED研發平臺未來還可支持12寸以內基板上芯片多次拼接鍵合。
2023-12-12 14:36:17234 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發過程至關重要。下面將詳細介紹氮化
2024-01-10 10:11:39264
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