英特爾（Intel）持續(xù)全力扶植大陸供應(yīng)鏈，不僅攜手大陸相關(guān)業(yè)者搶攻全球IT市場(chǎng)，根據(jù)英特爾最新計(jì)劃，將在年度重頭戲IDF展會(huì)前夕舉行中美創(chuàng)新高峰論壇，聚焦物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，揭露英特爾與大陸供應(yīng)鏈業(yè)者?？低暋⒋笕A科技、升騰資訊、深信服科技等最新戰(zhàn)略。
2015-07-07 09:48:15
845 后來(lái)進(jìn)入10nm級(jí)，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領(lǐng)先三星和臺(tái)積電一代以上。不過，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325873 
有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲(chǔ)解決方案帶來(lái)前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。 ? ? ? 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁
2022-07-28 14:35:41813 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
Hittite推出業(yè)界領(lǐng)先的商業(yè)DRO產(chǎn)品線
2019-09-11 06:01:58
，三星電子和東芝(Toshiba)分別處于技術(shù)領(lǐng)先的地位，美光和英特爾(Intel)的IM Flash是在2009年正式量產(chǎn)34奈米制程技術(shù)后，才一舉追趕過競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，勇奪NAND Flash市場(chǎng)技術(shù)領(lǐng)先
2022-01-22 08:05:39
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
BSIMProPlus?是業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件SPICE建模平臺(tái)，在其產(chǎn)品二十多年的歷史中一直為全球SPICE建模市場(chǎng)和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，被全球一百多家領(lǐng)先的集成電路制造和設(shè)計(jì)公司作為標(biāo)準(zhǔn)SPICE
2020-07-01 09:36:55
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
Altera和賽靈思20年來(lái)都在FPGA這個(gè)窄眾市場(chǎng)激烈的競(jìng)爭(zhēng)者，然而Peter Larson基于對(duì)兩個(gè)公司現(xiàn)金流折現(xiàn)法的研究表明，賽靈思是目前FPGA市場(chǎng)的絕對(duì)領(lǐng)先者。
2019-09-02 06:04:21
全球領(lǐng)先的傳感器供應(yīng)商InvenSense（INVN)7日宣布收購(gòu)法國(guó)運(yùn)動(dòng)處理技術(shù)公司Movea,旨在通過此次收購(gòu)在運(yùn)動(dòng)傳感器和聯(lián)網(wǎng)式（GPS/WIF）數(shù)據(jù)追蹤技術(shù)方面得以提升，此項(xiàng)收購(gòu)的規(guī)模為8100萬(wàn)美元，其中現(xiàn)金部分為7500萬(wàn)美元。
2020-04-28 06:14:17
科技積極引進(jìn)國(guó)內(nèi)先進(jìn)技術(shù)，擁有多項(xiàng)核心技術(shù)，在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中具有明顯的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。在積極利用自身優(yōu)勢(shì)進(jìn)行科研開發(fā)工作的同時(shí)，華德利科技還與武漢多所高校建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，研發(fā)實(shí)力進(jìn)一步增強(qiáng)。 為激發(fā)研發(fā)
2013-09-16 14:38:40
全球新車市場(chǎng)需求的近35%。今天，人們對(duì)于車載連接集成的關(guān)注度也正在急速升溫。互聯(lián)汽車的核心理念在于利用半導(dǎo)體芯片實(shí)現(xiàn)連通性。隨著技術(shù)的不斷革新，分析師預(yù)測(cè)到2020年每輛車上的芯片數(shù)量將接近1，000個(gè)。下面讓我們來(lái)更加深入地了解促進(jìn)車聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的各種領(lǐng)先技術(shù)。
2019-07-10 07:14:30
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
黃金時(shí)代正式到來(lái)。與此同時(shí)，無(wú)可辯駁的，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大遺憾是我們幾乎沒有自己的核心芯片，無(wú)論MCU、DSP或是FPGA等，主流技術(shù)仍被國(guó)際廠商所壟斷。
2019-11-01 08:12:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間， NAND的市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 7%。技術(shù)方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù)，讓制造商能進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)。領(lǐng)先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
日前，美容科技發(fā)達(dá)，祛斑的方法各色各樣，王者風(fēng)范在祛斑界的效果已經(jīng)是遙遙領(lǐng)先了，那么，南寧OPT王者風(fēng)范祛斑的原理是什么？下面我們就有請(qǐng)南寧整形醫(yī)院專家給我們介紹。王者風(fēng)范祛斑的原理是利用光能被皮膚
2012-10-10 10:26:08
系統(tǒng)工程師是如何借助SDR平臺(tái)領(lǐng)先一大步的？
2021-05-21 06:32:20
`在2015年北京中關(guān)村智能硬件創(chuàng)業(yè)節(jié)上，藍(lán)宙電子與全球領(lǐng)先的開源軟硬件平臺(tái)Arduino達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 藍(lán)宙電子正式成為Arduino官方授權(quán)的中國(guó)區(qū)域代理商，標(biāo)志著藍(lán)宙電子正式成為國(guó)內(nèi)
2016-04-08 13:32:25
第七章 克服關(guān)鍵組織障礙第八章 寓執(zhí)行于戰(zhàn)略第九章 結(jié)論：藍(lán)海戰(zhàn)略的可持續(xù)性與更新附錄A 藍(lán)海戰(zhàn)略案例縱覽附錄B 價(jià)值創(chuàng)新：戰(zhàn)略的結(jié)構(gòu)再造觀點(diǎn)附錄C 價(jià)值創(chuàng)新的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)分析
2008-07-03 14:48:07
題為《OpenHarmony技術(shù)領(lǐng)先筑生態(tài)，萬(wàn)物智聯(lián)贏未來(lái)》的主題演講。他圍繞萬(wàn)物智聯(lián)趨勢(shì)，分享OpenHarmony四大技術(shù)架構(gòu)特征的關(guān)鍵技術(shù)成果與未來(lái)演進(jìn)方向，并發(fā)布了多項(xiàng)技術(shù)指導(dǎo)委員會(huì)近期孵化
2023-11-06 14:35:46
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了
2006-04-17 20:48:523067 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06909 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 集線器網(wǎng)絡(luò)移動(dòng)通信交換解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 MACH 今天公布新戰(zhàn)略
盧森堡2009年10月15日電 -- 旨在簡(jiǎn)化并加快移動(dòng)通信供應(yīng)鏈創(chuàng)建和運(yùn)行的解決方案領(lǐng)先供
2009-10-15 16:48:21852 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對(duì)快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略（圖1）。東芝計(jì)劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實(shí)力，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來(lái)的
2011-09-23 09:27:581526 
意法半導(dǎo)體（ST）將于2012年12月10日公布新戰(zhàn)略計(jì)劃 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）將于2012年12月10日
2012-12-06 09:26:33711 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣布推出一個(gè)新的串行外設(shè)接口（SPI）閃存產(chǎn)品家族。
2013-12-31 10:57:20657 11月17日,國(guó)家射頻識(shí)別(RFID)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)在上海召開發(fā)布會(huì),會(huì)上發(fā)布了國(guó)家射頻識(shí)別產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)容覆蓋協(xié)議符合性、性能性、可靠性、環(huán)境適應(yīng)性、電磁兼容性及安全性六大方面,將進(jìn)一步推動(dòng)射頻識(shí)別技術(shù)的民用化進(jìn)程。
2016-11-21 11:27:111148 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會(huì)是東芝的下一個(gè)計(jì)劃。
2017-12-27 14:06:091773 富路集團(tuán)董事長(zhǎng)陸付軍先生對(duì)富路品牌作新戰(zhàn)略、新啟航的報(bào)告；陸董回顧不平凡的2017年，在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇、環(huán)保高壓、市場(chǎng)低迷的大環(huán)境下，富路逆勢(shì)而上，加大產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)投入，運(yùn)用汽車沖壓、焊裝、涂裝、總裝檢測(cè)四大工藝標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)制造電動(dòng)車，依托三大核心技術(shù)奠定了富路在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。
2018-01-23 09:25:524460 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，為了滿足PC、智能手機(jī)市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的持續(xù)高需求，Intel正在與中國(guó)紫光集團(tuán)談判，授權(quán)其生產(chǎn)64層3D NAND閃存。這種閃存技術(shù)來(lái)自Intel、美光合資的IMFlash，不過到明年初，雙方將結(jié)束合作。
2018-03-15 11:45:485454 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟連續(xù)五年被科技部評(píng)為“高活躍度聯(lián)盟”
2018-07-05 15:31:363517 美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度?？梢?，3D NAND閃存已經(jīng)成為國(guó)際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。
2018-07-17 10:34:084865 
從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 英特爾(Intel Corp.)距離推出10納米服務(wù)器芯片、將有長(zhǎng)達(dá)2年的空窗期，Raymond James證券認(rèn)為，臺(tái)積電的技術(shù)將遙遙領(lǐng)先。
2018-09-28 10:35:402682 至少2年時(shí)間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同，堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39395 任正非日前在上研所5G業(yè)務(wù)匯報(bào)會(huì)上發(fā)表講話，他指出，華為要堅(jiān)持多路徑、多梯次、多場(chǎng)景化的研發(fā)路線，攻上“上甘嶺”，實(shí)現(xiàn)5G戰(zhàn)略領(lǐng)先。
2018-11-08 09:56:443287 NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán)，甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2018-11-23 08:45:2812115 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
12月27日上午，以新定位、新戰(zhàn)略、新零售為主題的愛瑪全球領(lǐng)先2019戰(zhàn)略年會(huì)在集團(tuán)總部天津盛大啟幕，愛瑪集團(tuán)副董事長(zhǎng)段華、集團(tuán)掌舵人王偉，央視廣告經(jīng)營(yíng)管理中心副主任李怡，德國(guó)博世電動(dòng)兩輪車事業(yè)部
2018-12-28 16:08:56656 根據(jù)江蘇省科技廳《關(guān)于公布2017年度江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟績(jī)效評(píng)價(jià)結(jié)果的通知》（蘇科高發(fā)【2018】378號(hào)），江蘇省集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟被評(píng)定為A類聯(lián)盟。
2018-12-29 15:33:335671 工業(yè)和信息化部通信科技委常務(wù)副主任韋樂平發(fā)表了題為《網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)先是實(shí)現(xiàn)國(guó)家5G戰(zhàn)略的基石》的主題演講。
2019-07-18 16:33:412697 全球碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)科銳與德國(guó)采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的高效率電傳動(dòng)設(shè)備。
2019-11-06 15:01:54745 四級(jí)單元（QLC）NAND正在進(jìn)入企業(yè)領(lǐng)域，它可幫助降低價(jià)格，低于目前領(lǐng)先的三級(jí)單元（TLC）NAND。四級(jí)單元應(yīng)該會(huì)讓NAND閃存在未來(lái)幾年保持主流地位，盡管有人預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）和持久內(nèi)存技術(shù)最終將取代NAND。SCM和持久內(nèi)存可彌合NAND與更快更昂貴的DRAM之間的價(jià)格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003352 在過去50年的歷史中，AMD絕大多數(shù)時(shí)候都會(huì)在CPU工藝上落后Intel一兩代，不是AMD不努力，而是Intel實(shí)在是太強(qiáng)了，這二十多年來(lái)一直都擁有地球上最先進(jìn)的制程工藝，官方之前還表態(tài)他們的制造工藝領(lǐng)先對(duì)手三年半，當(dāng)然說(shuō)這話的時(shí)候是22nm之前的節(jié)點(diǎn)了。
2019-12-14 09:30:433982 成本領(lǐng)先戰(zhàn)略和產(chǎn)品差異化戰(zhàn)略均能夠通過提升顧客價(jià)值而提升企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。成本領(lǐng)先戰(zhàn)略將成本降到低于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的水平來(lái)贏得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，而憑借產(chǎn)品差異化戰(zhàn)略，企業(yè)能夠提升客戶對(duì)本企業(yè)產(chǎn)品或服務(wù)價(jià)值的認(rèn)知
2019-12-18 14:54:5014 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
根據(jù)國(guó)科微官方的消息，國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053 憑借領(lǐng)先一代的PCM相變存儲(chǔ)技術(shù)3D XPoint，Intel的傲騰系列內(nèi)存/SSD在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)上占了上風(fēng)，延遲超低，壽命也遠(yuǎn)超閃存。
2020-03-05 14:34:41872 在NAND閃存市場(chǎng)，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 據(jù)悉，美國(guó)國(guó)防部近日公布了一項(xiàng)新戰(zhàn)略，以推動(dòng)對(duì)安全和具有彈性的5G網(wǎng)絡(luò)的采用，并保持領(lǐng)先于潛在對(duì)手。
2020-05-27 15:52:031119 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 作價(jià) 90 億美元，Intel 又賣出了旗下的一個(gè)重要業(yè)務(wù)。這個(gè)業(yè)務(wù)，就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購(gòu) ARM 之后，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一筆重大交易。
2020-10-21 09:37:571755 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321345 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:43:421123 據(jù)報(bào)道，第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào)，決心通過從英特爾手中收購(gòu)NAND業(yè)務(wù)，在NAND市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:421538 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 ，即使隔著屏幕也能感受到Intel撲面而來(lái)的“殺氣”。 此次Intel仍然發(fā)布了3D NAND產(chǎn)品，3款產(chǎn)品中有2款都拿到一個(gè)“業(yè)界第一”，即便是其閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士，其閃存產(chǎn)品性能依然風(fēng)騷“不減”。 在傲騰業(yè)務(wù)方面，Intel公司執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)平臺(tái)事業(yè)部總經(jīng)理Navin She
2020-12-17 14:09:371728 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對(duì)于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對(duì)于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:342354 今天下午，在Lipro智能家居品牌分享會(huì)上，魅族科技正式公布了2021年全新戰(zhàn)略——一體兩翼。其中，魅族式旗艦手機(jī)仍為核心業(yè)務(wù)，新增雙項(xiàng)戰(zhàn)略引擎，智能穿戴與智能家居業(yè)務(wù)。
2020-12-30 15:41:323834 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論