Intel全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒
近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
慧榮今天宣布，作為Intel的高級合作伙伴，慧榮多年來持續(xù)作為Intel SSD提供主控方案，而這次發(fā)布的SSD 670p、傲騰H20混合式SSD，用的也都是慧榮主控。
事實(shí)上，Intel上一代的SSD 660p/650p、傲騰H10也都是慧榮主控，而且都是慧榮SM2263。
這次的主控方案具體型號未公布，但參照慧榮產(chǎn)品線，大概率還是SM2263，因為它的后續(xù)產(chǎn)品已經(jīng)是支持PCIe 4.0規(guī)格的SM2264，而這兩款SSD并不支持PCIe 4.0。
慧榮SM2263均支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3，支持四個閃存通道，支持LDPC ECC糾錯、AES/TCG硬件加密，12×12毫米封裝。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
456文章
51154瀏覽量
426268 -
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1799瀏覽量
115055 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3483瀏覽量
186304
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺式電腦、移動終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場合.
NAND閃存類型
按照每個單元可以存儲的位數(shù)，可以將
發(fā)表于 01-15 18:15
【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技
發(fā)表于 12-17 17:34
鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存
近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存儲需求日益增長的移動應(yīng)用程序領(lǐng)域
SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
蘋果將在iPhone中運(yùn)用QLC NAND閃存技術(shù)
據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報告顯示，據(jù)悉，蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項技術(shù)的實(shí)際投入使用，預(yù)計最早可在2026年看到成果，屆時，iPho
3D NAND閃存來到290層，400層+不遠(yuǎn)了
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第
美光率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品
美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿足了客戶端對數(shù)據(jù)存儲的高需求，同時也為數(shù)據(jù)中心提供了更高效的存儲解決方案。
美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)
美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM S
美光232層QLC NAND芯片已量產(chǎn)并出貨，推出SSD新品
美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步，鞏固了其在
三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，采用290層雙重堆疊技術(shù)
作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了
三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄
三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第
三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層
鎧俠計劃2030-2031年推出千層級3D NAND閃存，并開發(fā)存儲級內(nèi)存（SCM）
目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù)，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200M
Tech Talk：解讀閃存原理與顆粒類型
，NAND閃存的存儲方式和堆疊技術(shù)也在持續(xù)演進(jìn)。本文將圍繞閃存顆粒相關(guān)的概念以及發(fā)展趨勢做介紹。NAND
三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)
三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論