日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L，這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
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德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0010404 TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:001421 %-100% 負(fù)載下 η =>95% ? 基于 CCM GaN 的圖騰柱無(wú)橋 PFC 級(jí)，峰值效率 >99%，通過(guò)具有集成式驅(qū)動(dòng)器的 LMG341x GaNFET 實(shí)現(xiàn) ? 峰值
2020-06-22 18:22:03
的 FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器。GaN FET 的開(kāi)關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動(dòng)器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計(jì)人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14
硅MOSFET功率晶體管多年來(lái)一直是電源設(shè)計(jì)的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計(jì)中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動(dòng)器電路
2017-05-03 10:41:53
通電阻非常低，僅70mΩ，這款門(mén)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置了降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，從而可以產(chǎn)生負(fù)電壓來(lái)關(guān)閉GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率級(jí)器件的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是在硬切換時(shí)控制轉(zhuǎn)換速率，這種控制對(duì)于抑制
2019-07-16 00:27:49
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed datasheet
2022-11-04 17:22:44
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
部件：具有輸入（滾輪）和輸出（GaN驅(qū)動(dòng)器）的Hercules控制器，以及功率調(diào)節(jié)：具有輸入 (LaunchPad) 和輸出（燈泡）的GaN驅(qū)動(dòng)器。 圖4：硬件模塊對(duì)于固件來(lái)說(shuō)也是如此。一個(gè)狀態(tài)機(jī)管理
2018-06-01 11:31:35
新應(yīng)用，產(chǎn)生了對(duì)超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉(zhuǎn)換器的需求。車載牽引電機(jī)驅(qū)動(dòng)器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達(dá)2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開(kāi)關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
推薦課程：張飛軟硬開(kāi)源：基于STM32的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
克服了上述問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開(kāi)關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
的 PSoC? 6 Pioneer套件。PSoC 6 WiFi-BT Pioneer套件適合物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用及可穿戴設(shè)備，可用于開(kāi)發(fā)使用高性能Cypress 6 微控制器的Wi-Fi應(yīng)用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">貿(mào)澤
2018-09-21 11:51:15
模塊。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目 前針對(duì)戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
領(lǐng)域的客戶進(jìn)行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開(kāi)發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機(jī)由一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對(duì)常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測(cè)試方面的專業(yè)知識(shí)，TI已經(jīng)對(duì)GaN進(jìn)行了超百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片
2021-01-22 06:45:02
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì) 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計(jì)的伺服驅(qū)動(dòng)器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動(dòng)的GaN FET功率級(jí)芯片
2019-03-14 06:45:08
此參考設(shè)計(jì)為3kW 雙向交錯(cuò)式連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無(wú)橋功率因數(shù)校正 (PFC) 功率級(jí)，采用 C2000? 實(shí)時(shí)控制器和具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG
2023-01-17 09:51:23
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開(kāi)關(guān)頻率下，可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
的某些特性。在汽車中，飛行時(shí)間（TOF）通常用于確定范圍。LIDAR的精度和分辨率取決于各種因素，包括開(kāi)關(guān)頻率和激光信號(hào)的清晰度。短脈沖激光是皮質(zhì)的，以確保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驅(qū)動(dòng)器演示
2019-11-11 15:48:09
單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN單級(jí)解決方案——采用TPS53632G 無(wú)驅(qū)動(dòng)器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級(jí)（驅(qū)動(dòng)器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
的 OBC。特性96.5% 系統(tǒng)效率3.8kW/L 功率密度支持 GaN 技術(shù)的高工作頻率（500kHz 至 800kHz）經(jīng)驅(qū)動(dòng)器集成優(yōu)化的 GaN用于 PFC 和 CLLLC 的單個(gè) TMS
2022-08-15 10:22:18
LMG3410 單通道 GaN 功率級(jí)包含一個(gè) 70-mΩ、600-V GaN 功率晶體管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封裝的專用驅(qū)動(dòng)器。直接驅(qū)動(dòng)架構(gòu)用于創(chuàng)建常關(guān)器件，同時(shí)提供 GaN 功率晶體管
2022-04-12 14:11:49
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開(kāi)關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開(kāi)關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動(dòng)器PFC通過(guò)調(diào)整來(lái)提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡(jiǎn)化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動(dòng)損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開(kāi)關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
。這些優(yōu)勢(shì)正是當(dāng)下高功耗高密度系統(tǒng)、服務(wù)器和計(jì)算機(jī)所需要的，可以說(shuō)專家所預(yù)測(cè)的拐點(diǎn)已經(jīng)到來(lái)！時(shí)下，多個(gè)廠商正在大量的生產(chǎn)GaN器件，這些GaN器件正在被應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)甚至要求極為嚴(yán)格的汽車領(lǐng)域的電力
2019-06-21 08:27:30
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級(jí)具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可確保電路可靠性并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)使用 TI
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來(lái)，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)。
2020-10-28 06:59:27
如何利用高速ADC設(shè)計(jì)用于汽車的LIDAR系統(tǒng)？
2021-05-17 06:28:04
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
合理開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。傳統(tǒng)上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN器件和驅(qū)動(dòng)器基于不同的處理技術(shù)…
2022-11-16 06:23:29
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)。訂購(gòu)具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動(dòng)器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動(dòng)評(píng)估模塊。
2017-08-21 14:21:03
怎么測(cè)量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
有誰(shuí)知道貿(mào)澤電子賣的運(yùn)放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)的TI用戶指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門(mén)的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)Hercules微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)它。圖1
2022-11-17 06:56:35
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
各位工程師大家好，初入電子領(lǐng)域，目前在研究高頻驅(qū)動(dòng)電路，在高頻柵極驅(qū)動(dòng)芯片的選型上遇到了難題，目前有沒(méi)有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片或者有沒(méi)有推薦的搜索網(wǎng)站，希望各位大佬指點(diǎn)一下
2023-02-21 11:10:50
描述此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測(cè)）參考設(shè)計(jì)展示了一款低側(cè)納秒 (ns) 級(jí) GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 LMG1020，該驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) FET 產(chǎn)生功率超過(guò) 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
Hercules微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)它。圖1顯示的是將用來(lái)驅(qū)動(dòng)LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區(qū)發(fā)生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級(jí)是天生的一對(duì)兒。它們?cè)诠I(yè)和汽車
2018-08-31 07:15:04
開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過(guò)一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見(jiàn)繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
驅(qū)動(dòng)器，采用基于傳感器的梯形控制。本設(shè)計(jì)采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術(shù)，將兩個(gè)采用半橋配置的 FET 集成到一個(gè) SON 5x6 封裝中，從而實(shí)現(xiàn)極高的功率密度。本設(shè)計(jì)使用兩個(gè)并聯(lián)的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
集成來(lái)減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動(dòng)器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-15 15:44:50
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動(dòng)器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-20 15:04:38
中紅外激光功率密度探測(cè)單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測(cè)器，研制了可用于中紅外激光功率密度測(cè)量的探測(cè)單元，主要包括衰減片、探測(cè)器
2010-04-28 16:05:36
10 Micrel推出具最高功率密度的降壓穩(wěn)壓器MIC22950
MIC22950是麥瑞半導(dǎo)體(Micrel)的10A全集成同步降壓穩(wěn)壓器，該公司高功率密度系列降壓穩(wěn)壓器的創(chuàng)新產(chǎn)品
2010-04-03 08:41:01921 
適合空間受限應(yīng)用的最高功率密度、多軌電源解決方案
2016-01-04 17:40:200 宜普公司為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。
2017-12-29 10:40:006493 本報(bào)告對(duì)德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價(jià)格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動(dòng)器的半橋氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）設(shè)計(jì)，并采用先進(jìn)的多芯片封裝技術(shù)（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）
2018-03-05 13:56:1810013 設(shè)計(jì)人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評(píng)估模塊和SPICE模型快速輕松地評(píng)估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級(jí)參考設(shè)計(jì)，快速開(kāi)始氮化鎵設(shè)計(jì)。
2018-03-16 14:10:436146 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG1020相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG1020的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG1020真值表，LMG1020管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
本文介紹了LMG1020主要特性，框圖和典型應(yīng)用電路圖以及高壓評(píng)估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框圖，電路圖，材料清單和PCB設(shè)計(jì)圖。
2019-04-05 11:02:006111 
此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開(kāi)關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著改善
2020-06-30 08:00:000 此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測(cè)）參考設(shè)計(jì)展示了一款低側(cè)納秒級(jí) GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 LMG1020，該驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) FET 產(chǎn)生功率超過(guò) 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020 機(jī)電元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 的散熱
通過(guò)機(jī)電元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長(zhǎng)的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。
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為何選擇GaN？
當(dāng)涉及功率密度時(shí)，GaN為硅MOSFET提供了幾個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，
2021-12-09 11:08:161428 
(MOSFET)，因?yàn)樗軌?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792 
。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅(qū)動(dòng)器，采用 EPC 專有的 GaN IC 技術(shù)，采用芯片級(jí) BGA 外形尺寸，尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)；一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:213715 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí)，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下工作，從而顯著降低對(duì)偏置電源的要求。
2023-02-06 14:29:32274 作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個(gè)令人興奮的機(jī)會(huì)，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢(shì)為工程師開(kāi)啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長(zhǎng)的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
您可以通過(guò)多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無(wú)源元件和分立邏輯門(mén)的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
MASTERGAN4介紹ST推出世界首款集成半橋驅(qū)動(dòng)IC和一對(duì)氮化鎵（GaN）的MASTERGAN產(chǎn)品平臺(tái)。該解決方案可用于最高400W以下的一代消費(fèi)性電子、工業(yè)充電器，以及電源轉(zhuǎn)接器
2022-11-21 16:14:24510 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 Allegro 在行業(yè)盛事慕展期間發(fā)布氮化鎵（GaN）隔離柵極驅(qū)動(dòng)器AHV85110，這是Allegro Power-Thru產(chǎn)品系列的首次發(fā)布，AHV85110能夠提供2倍功率密度，以及更簡(jiǎn)單
2023-07-13 16:05:02416 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電站和電動(dòng)汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
通過(guò)GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580
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