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　　CCl校驗位相異對應出錯數據位列號倒數第二位為1;CC2對應列號倒數第3位為1，可以推出錯誤數據位的列號為110，同理行號相關的幾個校驗位中CC4，CC5出現相異可以推出錯誤數據位的行號為0110，由此可以知道出錯的數據位是DA22，再對確認出錯的數據位取反就實現了糾正1位錯誤的功能。而如果出現2位錯誤，比如數據位DAl和DA34同時出錯，如圖2中所示，這會引起新老校驗位中的CC0，CCl，CC3，CC4，CC6同時出現相異。這時如果還按照上述糾正1位錯誤時的算法，就會推出出錯數據位的行號為1011列號為011，這樣，就會認為是數據為DA51發生了翻轉，從而產生錯誤的檢糾錯結果，如圖2中粗箭頭所示。以前的測試數據表明，若在近地軌道中，SRAM存儲器中的每一個存儲數據位一天之內發生SEU概率約是10-7(位·天)，則可以推導出這個SRAM中1組64位的數據，在一天時間內有2位同時出現錯誤的可能性約為10-10(次·天)，在南大西洋輻射異常區和太陽活動高峰期，這種情況的發生率可能還會提高1～2個數量級。

　　為了避免在發生雙位元錯誤時出現錯檢錯糾的情況，需要增加1個校驗位CC7，它是所有數據位的奇偶校驗結果，即CC7=DA0⊕DAl⊕DA2⊕DA3⊕…⊕DA63。這樣在每次出現1個數據位錯誤時，新生成的NCC7也都會與先前的值相異，而當數據位中有2個存儲單元出錯，其他校驗位會檢測有錯誤出現，但NCC7不會發生變化，NCC7⊕CC7=0，這時就可以判斷出有雙位錯誤，從而使系統實現了檢測雙位錯誤的功能。

　　2 設計實現

　　將所有與主存儲器中數據一一對應的校驗位(CCl～CC8)存儲在另一個獨立的8位SRAM中，系統的硬件結構如圖3所示。

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　　存儲校驗位的8位數據SRAM2同樣遇到出現SEU效應得可能，通過分析可以知道，SRAM2出現1位數據翻轉時，只有對應的一位數值與通過數據位新生成的校驗位數值相異，而其他的7個校驗位數據都沒有變化，此時對對應的校驗位取反就實現了糾錯功能。對于出現雙位元錯誤的可能，通過理論分析，可以知道一組8位的校驗數據在一天中出現這種情況的概率約為7×10-13。，相比于主存儲器而言降低了兩三個數量級，暫時可以不予考慮。