一、SIMD

Arm NEON 是適用于 Arm Cortex-A 和 Cortex-R 系列處理器的一種 SIMD（Single Instruction Multiple Data）擴(kuò)展架構(gòu)。

SIMD 采用一個(gè)控制器來控制多個(gè)處理器，同時(shí)對(duì)一組數(shù)據(jù)（又稱“數(shù)據(jù)向量”）中的每個(gè)數(shù)據(jù)分別執(zhí)行相同操作，從而實(shí)現(xiàn)并行技術(shù)。

SIMD 特別適用于一些常見的任務(wù)，如音頻圖像處理。大部分現(xiàn)代 CPU 設(shè)計(jì)都包含了 SIMD 指令，來提高多媒體使用的性能。

SIMD 操作示意圖

如上圖所示，標(biāo)量運(yùn)算時(shí)一次只能對(duì)一對(duì)數(shù)據(jù)執(zhí)行乘法操作，而采用 SIMD 乘法指令，則一次可以對(duì)四對(duì)數(shù)據(jù)同時(shí)執(zhí)行乘法操作。

A. 指令流與數(shù)據(jù)流

費(fèi)林分類法根據(jù)指令流（Instruction）和數(shù)據(jù)流（Data）的處理方式進(jìn)行分類，可分成四種計(jì)算機(jī)類型：

費(fèi)林分類示意圖

1. SISD（Single Instruction Single Data）

機(jī)器的硬件不支持任何形式的并行計(jì)算，所有的指令都是串行執(zhí)行。單個(gè)核心執(zhí)行單個(gè)指令流 , 操作存儲(chǔ)在單個(gè)內(nèi)存中的數(shù)據(jù) , 每次一個(gè)操作。早期的計(jì)算機(jī)都是SISD機(jī)器，如馮諾.依曼架構(gòu)，IBM PC機(jī)等。

2. MISD（Multiple Instruction Single Data）

是采用多個(gè)指令流來處理單個(gè)數(shù)據(jù)流。由于實(shí)際情況中，采用多指令流處理多數(shù)據(jù)流才是更有效的方法，因此MISD只是作為理論模型出現(xiàn)，沒有投入到實(shí)際應(yīng)用之中。

3. MIMD（Mutiple Instruction Mutiple Data）

計(jì)算機(jī)具有多個(gè)異步和獨(dú)立工作的處理器。在任何時(shí)鐘周期內(nèi)，不同的處理器可以在不同的數(shù)據(jù)片段上執(zhí)行不同的指令，也即是同時(shí)執(zhí)行多個(gè)指令流，而這些指令流分別對(duì)不同數(shù)據(jù)流進(jìn)行操作。MIMD架構(gòu)可以用于諸如計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)、計(jì)算機(jī)輔助制造、仿真、建模、通信交換機(jī)的多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。

除了以上模型外，由NVIDIA公司生產(chǎn)的GPU引入SIMT體系結(jié)構(gòu)：

4. SIMT（Single Instruction Multiple Threads）

類似 CPU 上的多線程，所有的核心各有各的執(zhí)行單元，數(shù)據(jù)不同，執(zhí)行的命令是相同的。多個(gè)線程各有各的處理單元，和 SIMD 共用一個(gè) ALU 不同。

SIMT 示意圖

B. SIMD 特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)

1. SIMD 優(yōu)勢(shì)與不足

2. SIMD發(fā)展趨勢(shì)

以Arm架構(gòu)下的下一代 SIMD 指令集?SVE（Scalable Vector Extension，可擴(kuò)展矢量指令）為例，其是_針對(duì)高性能計(jì)算（HPC）和機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域開發(fā)的一套全新的矢量指令集_。

SVE 指令集中有很多概念與 NEON 指令集類似，例如矢量、通道、數(shù)據(jù)元素等。

SVE指令集也提出了一個(gè)全新的概念：可變矢量長(zhǎng)度編程模型。

SVE 可擴(kuò)展模型

傳統(tǒng)的 SIMD 指令集采用固定大小的向量寄存器，例如 NEON 指令集采用固定的 64/128 位長(zhǎng)度的矢量寄存器。

而支持 VLA 編程模型的 SVE 指令集則支持可變長(zhǎng)度的矢量寄存器。因此允許芯片設(shè)計(jì)者根據(jù)負(fù)載和成本來選擇一個(gè)合適的矢量長(zhǎng)度。

SVE 指令集的矢量寄存器的長(zhǎng)度最小支持 128 位，最大可以支持 2048 位，以 128 位為增量。SVE 設(shè)計(jì)確保同一個(gè)應(yīng)用程序可以在支持不同矢量長(zhǎng)度的 SVE 指令機(jī)器上運(yùn)行，而不需要重新編譯代碼。

Arm 在 2019 年便推出了 SVE2，以最新的 Armv9 為基礎(chǔ)，擴(kuò)充了更多的運(yùn)算類型以全面替代 NEON，同時(shí)增加了矩陣相關(guān)運(yùn)算的支持。

二、 Arm?的 SIMD 指令集

1. Arm?處理器的 SIMD 支持 - NEON

Arm NEON 單元默認(rèn)包含在 Cortex-A7 和 Cortex-A15 處理器中，但在其他 Armv7 Cortex-A 系列處理器中是可選的，某些實(shí)現(xiàn) Armv7–A 或 Armv7–R 架構(gòu)配置文件的Cortex-A 系列處理器可能不包含NEON單元。

符合 Armv7 的內(nèi)核的可能組合有以下四種：

因此必須首先確認(rèn)處理器是否支持 NEON 和 VFP。可以在編譯和運(yùn)行的時(shí)候進(jìn)行檢查。

NEON 發(fā)展史

2. ARM 處理器的 SIMD 支持檢查

2.1 編譯階段檢查

檢測(cè) NEON 單元是否存在的最簡(jiǎn)單方法。在 Arm 編譯器工具鏈（armcc）v4.0 及更高版本或 GCC 中，檢查預(yù)定義宏?ARM_NEON?或者?__arm_neon?是否開啟。

armasm?等效的預(yù)定義宏是?TARGET_FEATURE_NEON。

2.2 運(yùn)行階段檢查

在運(yùn)行時(shí)檢測(cè) NEON 單元需要操作系統(tǒng)的幫助。ARM 架構(gòu)有意不向用戶模式應(yīng)用程序公開處理器功能。在Linux下，/proc/cpuinfo?以可讀的形式包含此信息，比如：

在Tegra（帶有FPU的雙核Cortex-A9處理器）

$ /proc/cpuinfo 
swp half thumb fastmult vfp edsp thumbee vfpv3 vfpv3d16

帶有 NEON 單元的 ARM Cortex-A9 處理器

$ /proc/cpuinfo 
swp half thumb fastmult vfp edsp thumbee neon vfpv3

由于?/proc/cpuinfo?輸出是基于文本的，因此通常首選查看輔助向量?/proc/self/auxv，其包含二進(jìn)制格式的內(nèi)核?hwcap，可以輕松地在?/proc/self/auxv?文件中搜索?AT_HWCAP?記錄，以檢查?HWCAP_NEON?位（4096）。

某些 Linux 發(fā)行版?ld.so?鏈接器腳本被修改為通過 glibc 讀取?hwcap?，并為啟用 NEON 的共享庫添加額外的搜索路徑。

3. 指令集關(guān)系

在Armv7中，NEON 與 VFP 指令集具有以下關(guān)系：

具有 NEON 單元但沒有VFP單元的處理器無法在硬件中執(zhí)行浮點(diǎn)運(yùn)算。

由于 NEON SIMD 操作更有效地執(zhí)行向量計(jì)算，因此從 ARMv7 的引入開始，VFP 單元中的向量模式操作已被棄用。因此，VFP 單元有時(shí)也稱為浮點(diǎn)單元（FPU）。

VFP 可以提供完全兼容 IEEE-754 的浮點(diǎn)運(yùn)算，Armv7 NEON 單元中的單精度運(yùn)算不完全符合 IEEE-754。

NEON不能取代 VFP。VFP 提供了一些在 NEON 指令集中沒有等效實(shí)現(xiàn)的專用指令。

半精度指令僅適用于包含半精度擴(kuò)展的 NEON 和 VFP 系統(tǒng)。

在Armv8中，VFP已被NEON取代，以上問題如 NEON 并不完全符合 IEEE 754 標(biāo)準(zhǔn)，并且有一些指令 VFP 支持而 NEON 不支持的問題已在 ARMv8 中得到解決。

三、NEON

NEON 是適用于 Arm Cortex-A 系列處理器的一種128位 SIMD 擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，每個(gè)處理器核心均有一個(gè) NEON 單元，因此可以實(shí)現(xiàn)多線程并行的加速效果。

1. NEON基本原理

1.1 NEON 指令執(zhí)行流程

上圖為 NEON 單元完成加速計(jì)算的流程圖。其中向量寄存器中的每個(gè)元素同步執(zhí)行計(jì)算，以此來加速計(jì)算過程。

1.2 NEON 計(jì)算資源

NEON 與 Arm?處理器資源關(guān)系

- NEON 單元作為 Arm指令集的擴(kuò)展，使用獨(dú)立于 ARM 原有寄存器的 64位 或 128 位寄存器進(jìn)行 SIMD 處理，在 64位 寄存器的寄存器文件上運(yùn)行。
- NEON 和 VFP 單元完全集成到了處理器中，并共享處理器資源以進(jìn)行整數(shù)運(yùn)算、循環(huán)控制和緩存。
與硬件加速器相比，這顯著降低了面積和功耗成本。并且其還使用更簡(jiǎn)單的編程模型，因?yàn)镹EON 單元使用與應(yīng)用程序相同的地址空間。

NEON 與 VFP 資源關(guān)系

NEON 寄存器與 VFP 寄存器重疊，Armv7 有 32 個(gè) NEON D 寄存器，如下圖所示。

NEON 寄存器

2. NEON指令

2.1 自動(dòng)矢量化

向量化編譯器可以使用 C 或 C++ 源代碼，以一種能夠有效使用 NEO N硬件的方式對(duì)其進(jìn)行矢量化。這意味著可以通過編寫可移植的 C 代碼，同時(shí)仍然可以獲得 NEON 指令所帶來的性能水平。

為了幫助矢量化，將循環(huán)迭代次數(shù)設(shè)為矢量長(zhǎng)度的倍數(shù)。GCC 和 ARM 編譯器工具鏈都具有為 NEON 技術(shù)啟用自動(dòng)矢量化的選項(xiàng)。

2.2 NEON匯編

對(duì)于性能要求特別高的程序，手工編寫匯編代碼是更適合的方式。

GNU 匯編器（gas） 和 Arm Compile r工具鏈匯編器（armasm）都支持 NEON 指令的匯編。

編寫匯編函數(shù)時(shí)，需要了解?Arm?EABI，其定義了如何使用寄存器。ARM嵌入式應(yīng)用程序二進(jìn)制接口（EABI）指定哪些寄存器用于傳遞參數(shù)、返回結(jié)果或必須保留，指定了除Arm內(nèi)核寄存器之外的32個(gè)D寄存器的使用。下圖對(duì)寄存器功能進(jìn)行了總結(jié)。

寄存器功能

2.3 NEON Intrinsics

NEON intrinsic 函數(shù)提供了一種編寫 NEON 代碼的方法，該方法比匯編代碼更易于維護(hù)，同時(shí)仍然可以控制生成的 NEON 指令。

內(nèi)部函數(shù)使用與 D 和 Q NEON 寄存器對(duì)應(yīng)的新數(shù)據(jù)類型。數(shù)據(jù)類型支持創(chuàng)建直接映射到NEON 寄存器的 C 變量。

NEON intrinsic 函數(shù)的編寫類似于使用這些變量作為參數(shù)或返回值的函數(shù)調(diào)用。編譯器做了一些通常與編寫匯編語言相關(guān)的繁重工作，例如：

寄存器分配
代碼調(diào)度或重新排序指令

intrinsic 缺點(diǎn)

無法讓編譯器準(zhǔn)確輸出想要的代碼，因此在轉(zhuǎn)向NEON匯編代碼時(shí)仍有一些改進(jìn)的可能性。

NEON 指令簡(jiǎn)類型

NEON 數(shù)據(jù)處理指令可以分為正常指令、長(zhǎng)指令、寬指令、窄指令和飽和指令。
以 Intrinsic 的長(zhǎng)指令為例?int16x8_t vaddl_s8(int8x8_t __a, int8x8_t __b);
- 上面的函數(shù)將兩個(gè)64位的 D 寄存器向量（每個(gè)向量包含8個(gè)8位數(shù)字）相加，生成一個(gè)包含8個(gè)16位數(shù)字的向量（存儲(chǔ)在128位的Q寄存器中），從而避免相加的結(jié)果溢出。

四、其他 SIMD 技術(shù)

1. 其他平臺(tái)上的 SIMD 技術(shù)

SIMD 處理不是 Arm 獨(dú)有的，下圖將其與 x86 和 Altivec 進(jìn)行了比較。

SIMD 對(duì)比

2. 與專用 DSP 對(duì)比

許多基于 Arm 的 SOC 中還包含 DSP 等協(xié)處理硬件，因此可以同時(shí)包含 NEON 單元和DSP。相對(duì)于 DSP，NEON 的特點(diǎn)有：

五、總結(jié)

本節(jié)主要介紹基本 SIMD 及其他的指令流與數(shù)據(jù)流的處理方式，NEON 的基本原理、指令以及與其他平臺(tái)及硬件的對(duì)比。

編輯：黃飛

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