如果從LED照明技術的發展來看，可以從三個方面來講，一個是芯片層面，一個是封裝層面，一個是應用層面。芯片層面主要關注LED的制成技術；封裝層面主要是如何把LED芯片轉換成可以用來照明的燈珠或是光源；LED應用層面技術發展相對復雜，主要包括電子控制技術的發展、新型材料的發展和使用，環境照明質量評價技術的發展和完善。

　　一、芯片層面

　　一直以追求高的發光效率為LED芯片技術發展的動力。倒裝技術是目前獲取高效大功率LED芯片的主要技術之一，襯底材料中藍寶石和與之配套的垂直結構的激光襯底剝離技術（LLO）和新型鍵合技術仍將在較長時間內占統治地位。但在不久的將來，采用金屬半導體結構，改善歐姆接觸，提高晶體質量，改善電子遷移率和電注入效率，同時通過LED芯片外形表面粗化和光子晶體，高反射率鏡面，透明電極改善提取光效率，那時白光LED的總效率可達到52%。隨著LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片數越來越多，從而降低單顆芯片的成本，另一方面單芯片功率越做越大，如現在是3W，將來會往5W、10W發展。這對有功率要求的照明應用可以減少芯片使用數，降低應用系統的成本。總之，倒裝法、高電壓、硅基氮化鎵仍將是半導體照明芯片的發展方向。

　　二、封裝層面

　　芯片級封裝、LED燈絲封裝、高顯色指數及廣色域將是未來封裝工藝的發展趨勢。采用透明導電膜、表面粗化技術、DBR反射器技術來提升LED燈珠的光效正裝封裝仍然是技術主流；同時倒裝結構的COB/COF技術也是封裝廠家關注的重點，集成封裝式光引擎將會成為下一季研發重點。

　　去電源方案（高壓LED），COB/COF應用的普及：在成本因素驅動下，去電源方案逐步成為可接受的產品，而高壓LED充分迎合了去電源方案，但其需要解決的是芯片可靠性。憑借低熱阻、光型好、免焊接以及成本低廉等優勢，COB應用在今后將會得到廣泛普及。

　　另外，中功率將成為主流封裝方式，目前市場上的產品多為大功率LED產品或是小功率LED產品，它們雖各有優點，但也有著無法克服的缺陷，而結合兩者優點的中功率LED產品應運而生。

　　還有就是新材料在封裝中的應用。耐高溫、抗紫外以及低吸水率等更高環境耐受性的材料，如熱固型材料EMC、熱塑性PCT、改性PPA以及類陶瓷塑料等將會被廣泛應用。對于光品質的需求，針對室內照明方面，LED顯色指數CRI以80為標準，以90+為目標，盡量使照明產品的光色接近普朗克曲線，這樣才能改善LED的光品質，今后室內照明也將更關注光的品質。

　　通過優化LED封裝技術，光效進一步提高，目前已經超過200lm/W，遠高于其他大量使用的傳統光源。LED燈珠的散熱性能將進一步改善，可靠性進一步提高，燈珠的壽命也會進一步延長，從而光色品質進一步提高，最終人眼舒適度達到進一步改善。