N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結構
N
2009-09-16 09:41:43
23374 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場
2012-04-10 11:40:4829475 
從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題，從而優化MOSFET的驅動性能，提高整個系統的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構
2023-02-12 16:03:093214 
功率電路中常用垂直導電結構的MOSFET(還有橫向導電結構的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結構圖。
2023-02-16 11:25:471303 
現在所有電子產品中的芯片、放大器中的基本結構就是MOSFET，學好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。
2023-02-16 11:34:052670 
），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫向導電雙擴散型場效應晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074310 
），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結構有：橫向導電雙擴散
2023-06-28 08:39:353665 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42622 
本文介紹了MOSFET的物理實現和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構成，有截止區、線性區和飽和區。圖示了NMOS和PMOS的物理結構，以及針對不同驅動電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區的細節，展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關系。
2023-11-15 09:30:471436 
MOS結構加上一對背靠背的PN結，就構成一個MOSFET。如果MOS結構在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結的反向截止效果，源漏之間不會導通。當外加柵壓使半導體表面反型時，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
采用超級接面結構設計不僅可克服現有功率MOSFET結構的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結構及其工作原理詳解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結構及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
MOSFET及MOSFET驅動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET的結構原理，漏電流等相關問題，新型MOSFET等等。
2015-03-09 18:57:08
在做電機驅動的時候很多人會用到MOSS管在這里詳細講解MOSFET管驅動電路
2016-01-20 14:15:56
請問MOSFET的internal substrate和external substrate分別是什么意思？有何區別？
2016-08-15 17:31:26
步進電機詳解概述步進電機的分類、結構、原理單相步進電機2相步進電機概述根據電壓種類分類，可以分為AC和DC。根據旋轉速度以及電源頻錄之間的關系可以分為同步電機和異步電機。小型電機中步進電機的位置如下
2021-07-08 06:46:29
ARM應用系統開發詳解，本書全面介紹arm知識結構、開發系統、應用教程、指令設計和開發工具知識等。本書是廣大arm學習愛好者不可缺少的軟件編程和硬件開發設計的最佳參考手冊
2011-08-29 11:17:06
硬件設計:電源設計--DC/DC工作原理及芯片詳解參考資料：DC/DC降壓電源芯片內部設計原理和結構MP2315(DC/DC電源芯片)解讀DC/DC電源詳解第一次寫博客，不喜勿噴，謝謝！！！ DC
2021-11-11 08:49:58
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
USART 初始化結構體詳解標準庫函數對每個外設都建立了一個初始化結構體，比如USART_InitTypeDef，結構體成員用于設置外設工作參數，并由外設初始化配置函數，比如USART_Init
2022-02-22 06:08:41
cadence16.6約束規則設置詳解很全面
2015-04-18 14:27:33
`技術解讀（框架、場景案例解讀）`
2021-06-04 17:12:32
走近HarmonyOS設計背后的故事，全面介紹HarmonyOS設計指南與整體架構，解讀其設計哲學、設計原則及設計系統。
2021-12-01 11:22:13
1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到
2019-03-06 06:30:00
二極管二極管全面詳解
2013-03-31 16:01:51
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
` 本帖最后由 易飛揚通信 于 2018-1-31 14:43 編輯
什么是HDMI AOC有源光纜？詳解HDMI 2.0 AOC結構特性`
2017-08-28 14:02:51
無不積極研發經濟型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結構、碳化硅MOSFET平面柵結構、碳化硅MOSFET溝槽柵結構等。這些不同的技術對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先
2022-03-29 10:58:06
1 橫向雙擴散型場效應晶體管的結構功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
`從MOSFET 物理結構分析器件特性，想深入了解MOSFET有幫助。`
2011-03-07 23:02:53
`功率場效應管(MOSFET)的結構,工作原理及應用 功率場效應管(MOSFET)的結構 圖1是典型平面N溝道增強型場效應管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
由淺入深逐步介紹示波器的原理、使用，以及各性能術語詳解。實乃不可多得的教材之一，堪稱史上最全面的示波器介紹！
2012-08-01 20:51:11
，尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題，從而優化MOSFET的驅動性能，提高整個系統的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
混合SET/MOSFET 結構與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器？
2021-04-13 07:12:01
什么是間接尋址？查表的流程是怎樣的？如何對EEPROM的程序進行解讀？
2021-10-20 07:11:21
結構 引言 功率MOSFET以其開關速度快、驅動功率小和功耗低等優點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應用。當采用功率MOSFET橋式拓撲結構時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉換過程中，柵極驅動信號
2018-08-27 16:00:08
汽車結構基本知識詳解(圖文)
2013-10-09 14:17:01
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
注冊表結構詳解
2009-03-05 15:06:09
`本書介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類導電溝道槽結構特殊的場效應管，它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關器件。本書深入解讀了MOSFET的關鍵特性和指標，通過圖表讓讀者
2019-03-06 16:20:14
硬盤故障提示全面解讀 硬盤最常見的故障就是引導型故障，即硬盤不能啟動等。出現引導型故障時，系統會有很多錯誤提示，我們如果讀懂了這些提示，對于解決硬盤問題也是非常有幫助的. 1.錯誤提示：HDD
2011-02-27 16:39:11
MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開發的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
功率MOSFET的結構和工作原理功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 復合量子點MOSFET結構存儲器的電路模擬摘要:本文采用準經典近似的Monte Carlo 方法對復合量子點MOSFET結構存儲器的等效單電子電路進行了模擬. 研究結果表明,由于
2010-05-11 16:37:4129 V62/14609-01XE參數詳解及應用探索當我們深入探索電子元件的世界，會發現每一個小小的芯片、每一個模塊都承載著無盡的技術和智慧。今天，我們就來詳細解讀一款備受矚目的電子元件——V62
2024-01-14 21:51:10
圖所示為IR功率MOSFET的基本結構。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞（cell）。正因為原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 
全面解讀集線器
如果我們經常接觸網絡，對作為構建局域網的基礎設備集線器應該不會陌生,但是對于集線器背后各方面的知識，我們又知道多
2009-08-01 09:49:231832 醫藥價格改革公布，各方影響全面解讀
時隔半月，猶抱琵琶半遮面的《改革藥品和醫療服務價格形成機制的意見》(下稱《意見》)，昨日終于正式發布。此前在11月9日
2009-11-30 11:01:42540 全面解讀環保標準之ROHS
什么是RoHS？
RoHS是由歐盟立法制定的一項強制性標準，它的全稱是《關于限制在電子電器設備中使用某
2010-01-18 10:24:37974 全面解讀環保標準之GreenGuard
綠色衛士認證計劃通過模擬室內環境來檢測產品中的甲醛排放量、揮發性有機物(VOCs)、乙醛、可吸入顆
2010-01-18 11:01:081326 P溝MOSFET,P溝MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結構，按照導電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程
2011-09-14 17:39:1765 Java開發利器Myeclipse全面詳解。
2015-11-06 11:17:110 電源連接環結構與特性解讀 非常實用的技術文檔 免費下載
2016-05-12 15:30:020 MOSFET憑開關速度快、導通電阻低等優點在開關電源及電機驅動等應用中得到了廣泛應用。要想使MOSFET在應用中充分發揮其性能，就必須設計一個適合應用的最優驅動電路和參數。在應用中MOSFET一般工作在橋式拓撲結構模式下，如圖1所示。
2016-10-09 19:03:5562239 
開關電源拓撲結構詳解
2017-01-14 11:18:1468 本文詳解了天線結構及天線的制作方法。
2017-11-15 15:50:4242 全面詳解LTE：MATLAB建模、仿真與實現
2018-05-21 11:09:3815 備受矚目的人臉識別技術浪潮席卷全球，今天，我們就來全面解讀人臉識別究竟是什么。
2018-07-16 17:39:298185 一眨眼，ABB機器人7月新品解讀就迎來了第四款，也是本次的最后一款新品——YuMi單臂機器人。
2018-08-02 16:08:0515171 -氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，簡稱包括NMOS、PMOS等。本文帶大家熟悉一下MOSFET的結構和前景。
2018-09-15 11:46:044932 以平面耗盡型N溝道MOSFET為例，基本結構如下圖所示。可以看到，從左到右為NPN的摻雜，在擴散作用下，會自然形成像圖中所示的深紅色的耗盡區(depletion region)，根據前面所述，耗盡
2019-08-12 09:34:054191 
等）。 所以，我肝了將近一個星期，整理了一下。這應該是全網最全面、最細致的EXPLAIN解讀文章了，下面是全文。 文章比較長，建議收藏。 TIPS 本文基于MySQL 8.0編寫，理論支持MySQL 5.0
2020-10-30 16:39:402055 電子發燒友網站提供《一文詳解藍牙模塊原理與結構.pdf》資料免費下載
2020-11-26 16:40:2993 MOSFET規格書解讀與參數詳解說明。
2021-06-23 09:32:35108 盡管分立式功率MOSFET的幾何結構，電壓和電流電平與超大規模集成電路（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。
2022-02-08 15:59:067 功率MOSFET為多單元集成結構，如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列。
2022-08-04 15:35:071121 功率MOSFET為多單元集成結構，如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列
2022-10-07 10:39:00571 全面解讀電子封裝工藝技術
2022-10-10 11:00:51876 集成電路的歷史、產業分工、分類、設計、制造、封裝、測試等方面，多維度全面解讀集成電路產業鏈和相關技術。
2022-11-21 10:13:03638 近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102935 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生電容更小，開關速度快，開關損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:171329 Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取決于VGS的值。
2023-05-26 17:29:596532 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 垂直導電平面結構功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應，如果把水平的溝道變為垂直溝道，從側面控制溝道，就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:392924 
MOSFET處于導通狀態下的阻抗。導通阻抗越大，則開啟狀態時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
詳解高密 PCB走線布線的垂直導電結構 (VeCS)
2023-11-28 17:00:09362 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17222 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 【科普小貼士】按結構分類的MOSFET特性摘要
2023-12-13 14:15:07127 
【科普小貼士】MOSFET的結構和工作原理
2023-12-13 14:20:43367 
功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36295 
常用的MOSFET驅動電路結構如圖1所示，驅動信號經過圖騰柱放大后，經過一個驅動電阻Rg給MOSFET驅動。
2024-01-22 18:09:54288 
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