無線充電在技術行業中變得越來越普遍,提供了一種更方便的設備充電方式,而無需使用電纜或插頭。隨著技術的進步,由于氮化鎵(GaN)功率器件的使用,無線充電變得越來越高效和快速。 無線充電技術 無線充電
2023-07-28 17:07:478828 GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例:高密度手機充電器?應用實例:高性能電機驅動器?應用示例;高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
(86) ,因此在正常體溫下,它會在人的手中融化。
又過了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物,氮化鎵的熔點超過1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域,隨著技術的進步以及人們的需求,氮化鎵產品已經走進了我們生活中,尤其在充電器中的應用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的節能。這些電力足以為30多萬個家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網獲得電力的設備(從智能手機充電器到數據中心),或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備,均可受益于氮化鎵等技術,從而提高電源管理系統的效率和規模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個新的水平。)
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。聯想此舉直接將氮化鎵快充拉到普通充電器一樣的售價,如果以往是因為“貴”不買氮化鎵而選擇普通充電器,那么這次聯想 59.9 元售價可謂是不給你任何拒絕它的理由。氮化鎵快充價格走勢氮化鎵(GaN)具有禁帶寬
2022-06-14 11:11:16
付出更大的成本?本文會以適配器(Adaptor)的應用來做說明。圖1目標產品應用種類 氮化鎵(GaN)是橫向結構的功率元件,其具有小於矽(Si)的十分之一以下的閘極電荷(Qg)與輸出電荷(Qoss),且沒
2019-09-19 09:05:03
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
的系統級解決方案,其市場潛力剛剛開始被關注。氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用,它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱,這一發展歷程融合了多種因素,是其一致發揮作用的結果
2017-08-15 17:47:34
數據中心),或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備,均可受益于氮化鎵等技術,從而提高電源管理系統的效率和規模。(白皮書下載:GaN將能效提高到一個新的水平。)
?
尋找理想開關
任何電源管理系統的核心
2019-03-14 06:45:11
和功率密度,這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此,開始了氮化鎵晶體管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
激光器是20世紀四大發明之一,半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優勢,是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
數據已證實,硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求,其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術。 硅基氮化鎵成為射頻半導體行業前沿技術之時正值商用無線基礎設施發展
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點,可以簡化設計,降低GaN快充的開發難度,有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
充電器變得高效起來,發熱更低,體積也縮小便于攜帶,推進了百瓦大功率充電器的普及,也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅動電壓要求非常敏感,并且對布線要求也很高,這也導致了應用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線
2017-08-30 10:51:37
,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術,共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點:國外某知名品牌半導體企業,深圳氮化鎵實驗室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電
2019-07-31 06:16:52
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵發展技術編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
速度。這些功能對于牽引逆變器來說是最佳的,因為它們需要間歇地將大量能量傳輸回電池。與此同時,硅上氮化鎵開關為從低kW到10kW寬范圍的供電系統帶來了益處,即交流到直流板載充電器(OBC)、直流到直流輔助
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導體,其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
電子產品中。這種氧化物是個好選擇,因為它能與AlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸,并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報道證實在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物(ITO)柵極,并且已經表明,在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,氮化鎵充電器的充電器件運行速度,比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統的硅,可以在更小的器件空間內處理更大的電場,同時提供更快的開關速度。此外,氮化鎵比硅基半導體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題,下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源,因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
在過去的十多年里,行業專家和分析人士一直在預測,基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
氮化鎵技術是功率級的真正推動者,如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當柵極驅動器與晶體管具有相同程度的性能和創新時,才能獲得GaN的最大性能和優勢。經過多年的研發,MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統的MOSFET而言有很多不同和優勢,但在設計上也帶來一定挑戰。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
我經常感到奇怪,我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能,有助消除死區時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統,因為頻率越高,氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15
`網絡基礎設施與反導雷達等領域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件,這使得市場對于射頻氮化鎵(GaN)器件的需求不斷升溫。舉個例子,現在的無線基站里面,已經開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件,在
2016-08-30 16:39:28
OPPO公司分享了這一應用的優勢,一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續時間。不僅如此,氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
一下,目前已經推出氮化鎵快充的電商品牌及其產品。ANKER安克1、ANKER 30W氮化鎵充電器ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN氮化鎵充電器于2018年10月推出,是業內首款
2021-04-16 09:33:21
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中,一些TI最優秀的人才討論當今最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于先前使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
電源并聯控制,并且支持雙路獨立的過流、過壓以及短路保護,確保使用安全。
充電頭網了解到,英集芯IP2738此前已被麥多多40W雙USB-C氮化鎵充電器、愛蘭博140W 2C1A氮化鎵充電器、安克65W
2023-06-16 14:05:50
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術,可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么,為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢?
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
)。WBG 板載電動汽車充電器示意圖此外,這兩種寬帶隙化合物半導體(如氮化鎵和碳化硅)的所用材料晶體管據說具有很高的擊穿電壓,可以在高溫下工作。考慮到這一點,本文打算研究 GaN 和 SiC 晶體管之間
2022-06-15 11:43:25
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側展示的是鍺化硅基MIMO天線,它有1024個元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對比的,是右側氮化
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
,是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
,我們的設備都被連接在了一起,我們需要消耗更多的電能,”GaN開發團隊的系統和應用工程師Eric Faraci說,“更多的能耗意味著需要建造更多的大型電廠。但是,如果我們使用諸如氮化鎵的技術,我們可以將
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵 (GaN) 電源解決方案,氮化鎵 (GaN) 在充電器和適配器中的應用技術交流;
2021-11-22 09:26:58
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎,比如高合汽車采用GaN無線充電,而且遠距離無線輸電也在采用氮化鎵技術。
2022-12-08 11:50:011947 氮化鎵充電器什么意思?氮化鎵充電器的優點?氮化鎵充電器和普通充電器的區別是什么? 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵(GaN)材料制造的充電器。GaN是一種新型的寬禁帶半導體材料,具有高電子遷移率、高熱
2023-11-21 16:15:24981
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