兩個(gè)主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們?cè)陔娫聪到y(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過(guò)解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-11-04 20:43:07
1290 
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件，在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開關(guān)就可以了，但估計(jì)很少人能夠說(shuō)出IGBT和MOSFET工作區(qū)的命名和區(qū)別，同時(shí)由于不同參考書對(duì)工作區(qū)的命名又有很多種，很容易讓人混淆。
2021-01-01 17:34:0018659 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-03-17 11:59:25
IGBT模塊工作原理以及檢測(cè)方法,希望會(huì)對(duì)大家有所幫助
2011-08-09 18:30:26
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT
2018-10-18 10:53:03
的是，MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復(fù)特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管
2018-08-27 20:50:45
本帖最后由 松山歸人 于 2022-2-10 16:57 編輯
大家下午好！今天給大家?guī)?lái)【MOSFET與IGBT基礎(chǔ)講解】，會(huì)持續(xù)更新，有問(wèn)題可以留言一同交流討論。需要更多學(xué)習(xí)資料可點(diǎn)擊下方鏈接，添加客服領(lǐng)取http://zyunying.zhangfeidz.com?id=28
2022-02-10 16:54:31
應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線相交點(diǎn)為2.65A RMS。對(duì)PFC電路而言，當(dāng)交流輸入
2020-06-28 15:16:35
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
用于Si8751隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器的Si8751-EVB，Si875x評(píng)估套件是驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中使用的功率開關(guān)的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長(zhǎng)的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 11:07 編輯
請(qǐng)教大家，stc89c51單片機(jī)的工作環(huán)境溫度有要求嗎？
2015-01-13 11:14:20
具有更高的開關(guān)損耗。 對(duì)于低頻 (小于20kHz) 、高壓 (大于1000V) 、小或窄負(fù)載或線路變化、高工作溫度，以及超過(guò)5kw的額定輸出功率應(yīng)用，IGBT是首選。而MOSFET更適合低電壓 (小于
2022-06-28 10:26:31
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達(dá)+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達(dá)控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅(qū)動(dòng)，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。也就是說(shuō)，兩者的區(qū)別之一是驅(qū)動(dòng)電壓要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
23.3FIT，故障率比同等級(jí)Si-IGBT和Si-MOSFET低3～4個(gè)數(shù)量級(jí)。耐壓實(shí)力值更高，并具有足夠的余量，從而可以在高原應(yīng)用或多個(gè)使用的應(yīng)用中，降低因宇宙射線引起的中子誘發(fā)故障的風(fēng)險(xiǎn)。靜電
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
使用orCAD軟件時(shí)，需要先配置好工作環(huán)境。再進(jìn)行下一步的創(chuàng)建工作。1.OrCAD工作環(huán)境設(shè)置（Cadende16.6）(1)首先啟動(dòng)ORCAD Capture CIS(2)設(shè)置Preference
2017-02-27 10:31:05
CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線相交點(diǎn)為2.65A RMS
2017-04-15 15:48:51
的是，MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復(fù)特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管的選擇
2019-03-06 06:30:00
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡(jiǎn)單易懂的語(yǔ)言來(lái)為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
求各位大佬解惑。為什么LRC的LR78M05D工作環(huán)境溫度最低可以到-40℃，但Tj最低只到0℃。
2021-11-30 12:26:32
在高負(fù)載時(shí)保持了與IGBT同等的效率。這是空調(diào)的例子，這款Hybrid MOS的特征在其他很多設(shè)備中也同樣表現(xiàn)非凡。對(duì)比使用現(xiàn)有IGBT的應(yīng)用以及使用SJ MOSFET的應(yīng)用，Hybrid MOS
2018-11-28 14:25:36
天線一般的工作環(huán)境溫度是怎么樣的區(qū)間值？求大咖解答，謝謝！
2018-04-26 15:23:52
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
無(wú)線通信基站系統(tǒng)在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中會(huì)受到散熱、灰塵、油煙、濕度、腐蝕等環(huán)境因素的影響，而運(yùn)營(yíng)商降低建設(shè)成本和維護(hù)成本的考慮使得設(shè)備工作環(huán)境更加惡化。從實(shí)踐角度出發(fā)，基于實(shí)際部署經(jīng)驗(yàn)，系統(tǒng)性地分析了上述因素
2019-07-12 07:01:27
資料請(qǐng)參看產(chǎn)品手冊(cè)）。通常，較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封裝器件更昂貴。所以，小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷。工作環(huán)境 晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如
2016-01-13 17:57:02
逆變的時(shí)候直流輸入是25V，工作電流是250A.現(xiàn)在用的器件是IPM，以后可能還要增大工作電流，我害怕IPM不夠使，所以想請(qǐng)大家推薦一個(gè)電力開關(guān)。聽說(shuō)MOSFET比較適合低壓大電流的工作環(huán)境，有熟悉這方面的朋友能不能介紹一兩個(gè)比較靠譜的MOSFET型號(hào)嗎？{:22:}
2014-03-13 08:29:34
電機(jī)控制中的MOSFET和IGBT基礎(chǔ)知識(shí)當(dāng)前的發(fā)動(dòng)機(jī)越來(lái)越傾向于電子控制，相對(duì)于通過(guò)直接連接到相應(yīng)電源（無(wú)論是直流源還是交流源）的做法來(lái)說(shuō)，這種方式可以提供更好的控制速度、位置以及扭矩，以及更高
2016-01-27 17:22:21
：SCT30N120 輸出特性 （Tj = 25 °C） SiC MOSFET 基本上與 Si MOSFET 或 IGBT 的電壓電平一起工作，但不是最佳參數(shù)。理想情況下，SiC MOSFET 在其
2023-02-24 15:03:59
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
保險(xiǎn)絲是否正常動(dòng)作，這是需要一定條件的，下面秦晉電子給大家講解自恢復(fù)保險(xiǎn)絲正常動(dòng)作需要的工作環(huán)境及條件。
2021-01-07 06:39:09
，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 igbt工作原理及應(yīng)用
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 09:45:1811134 
SI9114采用MOSFET電路圖
2009-05-12 14:33:00650 
基站靠墻安裝、散熱和工作環(huán)境的考慮
華為公司BTS3812基站靠自帶風(fēng)扇后排風(fēng)設(shè)計(jì)，但依然滿足靠墻安裝的需求。靠墻安裝不是貼墻安裝，
2009-06-30 09:32:00698 電容器的工作環(huán)境條件
這里所說(shuō)的工作環(huán)境條件是對(duì)電容器性能影響最大的溫度與溫度。
電容器的工作溫度過(guò)高，會(huì)使電容器容易老化;而溫度過(guò)
2009-08-21 16:50:322737 IGBT的工作原理是什么?
IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使
2010-03-05 11:43:4296991 MOSFET和IGBT是當(dāng)
2010-12-31 10:31:242463 
為了實(shí)現(xiàn)分布式虛擬設(shè)計(jì)過(guò)程中的信息共享、協(xié)作以及沖突消解，建立了一個(gè)面向分布式虛擬設(shè)計(jì)的協(xié)同工作環(huán)境=描述了系統(tǒng)體系模型的研究方法和基于.)L+的多層分布式結(jié)構(gòu)，詳細(xì)介
2011-06-28 15:27:3526 東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
應(yīng)用說(shuō)明：使用Si828x驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT交換機(jī)
2016-12-28 11:09:170 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí)，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436485 
簡(jiǎn)單的說(shuō)晶圓廠就是生產(chǎn)硅片。本文開始介紹了晶圓廠的概念，其次對(duì)晶圓廠工作環(huán)境進(jìn)行了分析，最后分析了晶圓廠是否有輻射。
2018-03-16 13:33:0416568 本文開始介紹了PLC的結(jié)構(gòu)及各部分的作用，其次介紹了PLC的基本特點(diǎn)與工作環(huán)境，最后介紹了PLC常見的六大應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-04-19 09:09:536490 
羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 了解在Xilinx工作的感受。員工提供有關(guān)我們的文化，工作環(huán)境和產(chǎn)生影響的機(jī)會(huì)的觀點(diǎn)。
2019-01-08 07:11:002178 當(dāng)提到VR時(shí)，大多數(shù)人認(rèn)為它是沉浸式游戲和娛樂(lè)的工具。微軟研究院最近發(fā)表了一篇論文，其中討論了VR在工作環(huán)境中的潛力。他們聲稱，基于沉浸式頭戴式顯示器（HMD）的VR辦公室將實(shí)現(xiàn)身臨其境，靈活和流暢的工作。基于VR的工作環(huán)境將提供諸多優(yōu)勢(shì)。
2019-01-24 10:39:09505 眾所周知，在整條SMT生產(chǎn)線之中，貼片機(jī)是最為重要并且精密程度最高的設(shè)備。因此，為了設(shè)備的精度、穩(wěn)定性，延長(zhǎng)設(shè)備的生命周期，大家需要重視良好的工作環(huán)境。下面豪本電子為大家介紹適宜的設(shè)備工作環(huán)境
2020-05-11 10:04:431146 80℃的工作環(huán)境的，工控機(jī)主要應(yīng)用是在熱帶或亞熱帶的戶外陽(yáng)光正射的工作環(huán)境。在工控機(jī)廠家在設(shè)計(jì)之前就會(huì)對(duì)市場(chǎng)有一個(gè)認(rèn)知，對(duì)于小眾市場(chǎng)，很少公司去專業(yè)開發(fā)一款工業(yè)主板滿足高溫工作環(huán)境的工控機(jī)市場(chǎng)需求。
2020-07-10 16:19:252096 企業(yè)如何在遠(yuǎn)程工作環(huán)境中利用云計(jì)算技術(shù)？以下是組織快速將其員工轉(zhuǎn)換為在家遠(yuǎn)程工作的一些優(yōu)秀實(shí)踐。
2020-09-09 14:13:211772 本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
IGBT MOSFET建模(電源4572)-該文檔為利用Simplorer?IGBT MOSFET建模仿真，simplorer為最近幾年新出的仿真軟件，模型具有比較準(zhǔn)確的可仿真性
2021-07-26 13:35:4091 1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。
2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2022-02-11 10:47:5631 本書在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參
數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)重點(diǎn)討論50多種電力
2022-08-13 09:21:390 伺服電動(dòng)缸是高精密傳動(dòng)機(jī)械，我們對(duì)于伺服電動(dòng)缸的應(yīng)用環(huán)境可以參考所選用電機(jī)能夠工作的環(huán)境，以此來(lái)作為正常工作環(huán)境。比如說(shuō)客戶工作環(huán)境特殊存在粉塵，高溫，低溫，雨水等工況，就需要綜合考慮電機(jī)和缸體，兩者缺一不可。
2022-10-27 15:37:50716 上期分析了發(fā)光二極管在NPN和PNP三極管電路中放置位置以及用PNP三極管如何搭建電路的兩個(gè)問(wèn)題，接下來(lái)的問(wèn)題就是如何用三極管放大小信號(hào)，那么如何給三極管基極B提供一個(gè)“不大不小”的基極電流Ib，提供一個(gè)可靠的直流工作環(huán)境使其工作在放大區(qū)，就是我們要討論的問(wèn)題了。
2023-01-19 15:30:001547 
上期對(duì)三極管直流工作環(huán)境進(jìn)行了分析，主要由三個(gè)偏置參數(shù)決定：基極電壓、集電極電流、集電極電壓，這期除了分析集電極電壓之外，有必要對(duì)三極管“負(fù)載曲線”進(jìn)行分析。
2023-01-19 15:31:001370 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)
2023-02-17 16:40:23914 MOSFET和IGBT的對(duì)比 MOSFET工作原理 MOSFET （metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體
2023-02-22 13:56:541 IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。
2023-02-22 15:52:241202 
本文章主要講述五種主流器件：BJT,SCR,JFET,MOSFET,IGBT的器件工作原理，為阻態(tài)，開通，通態(tài)以及關(guān)斷其器
件內(nèi)部的原理，從而更好的了解器件工作，更好的區(qū)分各器件更加適合應(yīng)用在何項(xiàng)目中。
2023-02-23 10:08:136 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十M
2023-02-23 15:51:011 功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不
錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十MHZ，射頻領(lǐng)
域的產(chǎn)品。
2023-02-24 10:33:326 雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來(lái)巨大好處，但對(duì)于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來(lái)說(shuō)，在更高電壓下的性能會(huì)受到影響。
2023-03-16 12:35:51585 vcs工作環(huán)境
2023-05-15 09:38:170 隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無(wú)法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513 
1.工作環(huán)境1.1環(huán)境溫度*工作溫度：-10℃to+65℃.（-40℃可正常起機(jī)）*存儲(chǔ)溫度：-40℃to+70℃.*運(yùn)輸溫度：-40℃to+70℃.1.2環(huán)境濕度*工作濕度：5%到95%相對(duì)濕度
2022-11-14 11:39:58379 
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō)，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:401038 
Strand7允許用戶對(duì)工作環(huán)境的各類設(shè)置進(jìn)行調(diào)整。例如，你可以根據(jù)需要改變諸如顏色、亮度和視角等顯示設(shè)置。你還能指定文件位置，這在網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中非常重要－你可以將模型文件存放在網(wǎng)絡(luò)中的共享驅(qū)動(dòng)器上
2023-10-22 14:50:27325 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
MOSFET與IGBT的區(qū)別
2023-11-27 15:36:45369 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成電路在工作環(huán)境中所受威脅的本質(zhì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-28 10:26:310 、詳實(shí)、細(xì)致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它們的主要區(qū)別在于結(jié)構(gòu)和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構(gòu)成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 晶閘管開關(guān)是一種在電力控制領(lǐng)域中極其重要的設(shè)備，其使用環(huán)境是影響其工作性能和壽命的關(guān)鍵因素。為了確保晶閘管開關(guān)能夠正常工作并具有長(zhǎng)久的使用壽命，以下是一些晶閘管開關(guān)工作環(huán)境的重要要求。
2024-01-04 14:35:24221 IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521681 不同工作環(huán)境溫度對(duì)電感性能有何影響？? 電感是一種電子元器件，其功能是存儲(chǔ)和釋放電能。在不同的工作環(huán)境溫度下，電感的性能可能會(huì)發(fā)生變化，包括電感值、損耗、電感線圈的材料等方面。本文將從不同角度探討
2024-01-30 16:18:10341 IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們?cè)谠S多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是IGBT和MOSFET工作的一個(gè)重要區(qū)域，但是
2024-02-18 14:35:35326
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論