功率MOS管的損壞機(jī)理介紹
此文主要參考renasus功率二極管應(yīng)用說(shuō)明，考慮大部分人比較懶，有針對(duì)性的分成幾個(gè)部分，第一個(gè)部分是介紹，就是本文，以后會(huì)把對(duì)策
2009-11-21 10:48:58
2894 做開(kāi)關(guān)電源尋找MOS功率管時(shí)，對(duì)其電流參數(shù)不理解，Continuous Drain Current (Package limited)=100A，Continuous Drain Current
2018-01-09 12:08:26
MOS管主要參數(shù)MOS管主要參數(shù)：1.開(kāi)啟電壓VT ·開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過(guò)工藝上
2012-08-15 21:08:49
? 1、功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖 一般來(lái)說(shuō)，MOS管開(kāi)關(guān)工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以
2018-11-09 11:43:12
請(qǐng)較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發(fā)生，最近一產(chǎn)品在家里面用從來(lái)沒(méi)有壞過(guò)！但是拿出去用很容易損壞！條件沒(méi)什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流
2018-10-31 13:59:26
稱為芯片，而為計(jì)算機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)的IC稱為計(jì)算機(jī)芯片。 雖然制造集成電路的方法有多種，但對(duì)于數(shù)字邏輯電路而言MO管是主要的方法。桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)、工作站、視頻游戲以及其它成千上萬(wàn)的其它產(chǎn)品都依賴于MOS管
2018-11-20 14:04:45
擊穿，進(jìn)而保護(hù)MOS；對(duì)于高速開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，寄生二極管由于開(kāi)通速度慢，導(dǎo)致反向后無(wú)法迅速開(kāi)通，進(jìn)而損壞MOS，因此需要在外部并聯(lián)一個(gè)快恢復(fù)或肖特基二極管。 2.MOS管的主要參數(shù) IRF3205
2021-01-20 16:20:24
Mos管有哪些參數(shù)？Mos管的功耗主要來(lái)自哪？
2021-09-30 06:34:24
1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全
2020-10-10 11:21:32
，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個(gè)差距可能很大。Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；過(guò)壓
2021-07-05 07:19:31
很大。 Mos損壞主要原因： 過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；過(guò)壓----------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；靜電----------靜電擊穿，CMOS電路
2020-06-26 13:11:45
PCB加工電鍍金層發(fā)黑的主要原因是什么？
2021-04-26 06:59:31
PCB鉆孔：斷鉆咀的主要原因及預(yù)防措施
2021-01-22 07:49:42
，或者是沒(méi)有吸到料而履行以上的一個(gè)拋料動(dòng)作。拋料形成材料的損耗，延長(zhǎng)了出產(chǎn)時(shí)刻，降抵了出產(chǎn)功率，提高了出產(chǎn)成本，為了優(yōu)化出產(chǎn)功率，降低成本，必須處理拋料率高的問(wèn)題。 拋料的主要原因及對(duì)策： 1、真空
2020-12-04 17:23:51
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。 典型電路： 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
很大。Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；過(guò)壓----------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕
2019-07-26 07:00:00
一個(gè)簡(jiǎn)單的NPN+P_MOS開(kāi)關(guān)控制，負(fù)載是850nm激光二極管，驅(qū)動(dòng)MCU是STC15F2。現(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，本人菜鳥(niǎo)不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點(diǎn)一二
2018-08-29 18:06:20
產(chǎn)生EMI干擾的主要原因是什么？EMI干擾分為哪幾類？
2021-04-25 09:53:00
作為伺服電機(jī)內(nèi)部幾乎唯一的電子元器件，反饋編碼器真的可以算的上是易損部件了，其損壞原因大致可以分為機(jī)械損傷、電氣損壞和環(huán)境影響...等幾個(gè)方面。機(jī)械損傷伺服反饋編碼器故障中最常見(jiàn)的就是各種機(jī)械損傷
2018-10-18 11:10:42
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流
2018-10-25 14:40:18
。例如有一款42寸液晶電視的背光高壓板損壞，經(jīng)過(guò)檢查是內(nèi)部的大功率MOS管損壞，因?yàn)闊o(wú)原型號(hào)的代換，就選用了一個(gè)，電壓、電流、功率均不小于原來(lái)的MOS管替換，結(jié)果是背光管出現(xiàn)連續(xù)的閃爍（啟動(dòng)困難），最后
2019-02-23 16:23:40
變換系統(tǒng)中發(fā)生腐蝕的主要原因是什么？氨合成反應(yīng)分為哪幾種反應(yīng)？
2021-07-22 07:11:40
隨著個(gè)人智能移動(dòng)設(shè)備的普及，它已成為人們最重要的日常必需品之一。可調(diào)直流穩(wěn)壓電源在日常使用中損壞的主要原因是什么?今天我們就來(lái)了解一下，大多數(shù)工程師遇到的問(wèn)題給出的解決方案。可調(diào)直流穩(wěn)壓電源在
2021-11-12 08:25:38
噪聲產(chǎn)生的主要原因是什么？如何排除噪聲？
2021-06-04 06:13:55
地線造成電磁干擾的主要原因
2021-03-18 07:17:14
導(dǎo)致磁芯電流探頭降額功率的主要原因是什么？為什么磁芯電流探頭會(huì)有降額曲線指標(biāo)？
2021-09-18 08:34:02
尖峰電流的形成產(chǎn)生尖峰電流的主要原因尖峰電流的抑制方法
2021-03-16 11:57:18
哪位大神能幫忙分析下這個(gè)電路，安裝電池的過(guò)程中MOS管會(huì)有20%的損壞。除開(kāi)靜電的損壞，還有有其他可能沒(méi)有呢?
2018-09-11 13:36:23
形成貼片電感噪音大的三大主要原因形成貼片電感噪音大的三大主要原因隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，電感變得越來(lái)越重要，人們生活用品息息相關(guān)，而貼片電感成為電路運(yùn)轉(zhuǎn)中的主力軍之一，擔(dān)當(dāng)不行替代的效果。最近深圳金昊德
2023-01-29 11:39:18
的曲線圖： 開(kāi)關(guān)損耗 柵極電荷Qg是產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷是MOS管門(mén)極充放電所需的能量，相同電流、電壓規(guī)格的MOSFET，具有比較大的柵極電荷意味著在MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)損耗更多的能量。所以
2018-11-06 13:45:30
斬波電路電流能夠連續(xù)的主要原因是什么？
2023-05-11 17:08:28
`這兩款板子經(jīng)常燒mos管，制程調(diào)查沒(méi)有發(fā)現(xiàn)異常，靜電防護(hù)措施也做得到位，會(huì)不會(huì)是電路設(shè)計(jì)上存在缺陷？Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；過(guò)壓----------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；`
2016-03-02 08:17:52
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面： 1)防止柵極di／dt過(guò)高：由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩
2018-12-10 14:59:16
急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。 3、MOS損壞主要原因： 過(guò)流，大電流引起的高溫損壞（分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超過(guò)承受值）；過(guò)壓，源漏級(jí)大于擊穿電壓而擊穿；柵極擊穿，一般由于柵極電壓受
2019-02-28 10:53:29
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MOS管被擊穿的原因及解決方案如下： 第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或
2012-07-14 15:34:14
電動(dòng)機(jī)運(yùn)行中，軸承部分發(fā)生故障是最常見(jiàn)的，因?yàn)檩S承是電動(dòng)機(jī)上較易磨損的零件，又是負(fù)載最重部分。一般電動(dòng)機(jī)運(yùn)行中，軸承溫度不超過(guò)95度，超過(guò)這個(gè)溫度就容易損壞。 軸承損壞的主要原因： （1
2023-03-23 15:13:01
什么是諧波電壓？電子設(shè)備誤動(dòng)作的主要原因是什么？
2021-09-26 07:28:12
電源開(kāi)關(guān)管損壞的原因分析
2019-05-28 11:27:38
電源開(kāi)關(guān)管損壞的主要原因有以下13種：1．軟啟動(dòng)電路失效2．開(kāi)關(guān)管集成電路板反峰吸收電路失效3．正反饋過(guò)強(qiáng)4．定時(shí)電容失效漏電5．穩(wěn)壓電路中的去耦電容失效6．穩(wěn)壓電路的負(fù)反饋開(kāi)環(huán)7．開(kāi)關(guān)管發(fā)射極
2011-08-09 11:51:44
采用的材料是99%的氧化鋁瓷，油泵軸折斷的主要原因是，因?yàn)橛捅每者\(yùn)轉(zhuǎn)，軸承干磨而將軸扭斷。拆開(kāi)油泵檢查時(shí)可看到軸承已磨損嚴(yán)重預(yù)防油泵折斷的主要辦法是避免油泵的空運(yùn)轉(zhuǎn)。 (2)磁力油泵軸承損壞。CQB
2012-09-24 10:25:55
華天電力專業(yè)生產(chǎn)電纜故障測(cè)試儀，接下來(lái)華天為大家分享電纜故障的主要原因有哪些？電纜可能在使用中出現(xiàn)故障的原因有很多，其中最嚴(yán)重的故障導(dǎo)致火災(zāi)或其他嚴(yán)重故障。]電纜故障的一些主要原因包括：老化：
2018-12-12 11:11:44
華天電力專業(yè)生產(chǎn)電纜故障測(cè)試儀（又稱電纜故障查找儀），接下來(lái)為大家分享電纜故障起火的主要原因和預(yù)防措施。電氣故障是引起火災(zāi)的常見(jiàn)原因。下面簡(jiǎn)要介紹電氣火災(zāi)的主要原因和預(yù)防措施。1.電線起火的主要原因
2021-01-06 14:13:52
`電路造成電阻尺線性誤差的主要原因目前，在工業(yè)發(fā)展的快步時(shí)代，拉繩位移傳感器的用量是越來(lái)越大，可是此類傳感器只能用在常溫的環(huán)境下，可是在惡劣的環(huán)境下用什么可以代替呢，那就要用到電阻尺了，那么在
2018-12-18 10:25:29
磁芯電流探頭降額功率的主要原因是什么？交直流混合探頭的結(jié)構(gòu)是怎樣的？磁芯電流探頭自熱的主要原因有哪些？
2021-09-18 06:03:14
的時(shí)候，為了測(cè)試實(shí)際情況，采用空氣開(kāi)關(guān)，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動(dòng)的時(shí)候，因?yàn)闁艠O平臺(tái)電壓時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致此時(shí)電流很大，但是同時(shí)Vdc又有110VDC電壓，因此導(dǎo)致MOS管過(guò)功率損壞短路。。2
2020-04-26 14:17:30
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
晶體振蕩器啟動(dòng)時(shí)間長(zhǎng)的主要原因是什么？怎么解決？
2021-04-13 06:02:06
，為了測(cè)試實(shí)際情況，采用空氣開(kāi)關(guān)，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動(dòng)的時(shí)候，因?yàn)闁艠O平臺(tái)電壓時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致此時(shí)電流很大，但是同時(shí)Vdc又有110VDC電壓，因此導(dǎo)致MOS管過(guò)功率損壞短路。。2、還有可能就是
2020-05-20 10:06:20
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計(jì)電路時(shí)MOSFET管出現(xiàn)損壞，請(qǐng)問(wèn)造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
增加到幾百安培，在這種情況下，功率MOS管容易損壞。 磷酸鐵鋰電池短路保護(hù)的難點(diǎn) （1）短路電流大 在電動(dòng)車(chē)中，磷酸鐵鋰電池的電壓一般為36V或48V，短路電流隨電池的容量、內(nèi)阻、線路的寄生電感
2018-12-26 14:37:48
開(kāi)關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷是MOS管門(mén)極充放電所需的能量，相同電流、電壓規(guī)格的MOSFET，具有比較大的柵極電荷意味著在MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)損耗更多的能量。所以，為了盡可能降低MOS管的開(kāi)關(guān)損耗
2016-12-23 19:06:35
電池膨脹主要原因
不同種類的電池，產(chǎn)生膨脹的原因是不一
2009-10-19 14:20:055488 電動(dòng)車(chē)電池膨脹主要原因
不同種類的電池，產(chǎn)生膨脹的原因是不一樣的，針對(duì)
2009-11-11 09:27:437285 造成LED燈具損壞的主要原因有哪些?
白光LED屬于電壓敏感型的器件，在實(shí)際工作中是以20mA的電流為上限，但往往會(huì)由于在使用中的各
2009-11-19 11:23:341061 影響變壓器噪聲的主要原因
一、影響空載噪聲的因素
鐵心產(chǎn)生噪聲的原因主要是在交變磁場(chǎng)作用
2009-12-09 11:38:191031 電源開(kāi)關(guān)管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，其損壞的原因，除了過(guò)流過(guò)壓之外，還應(yīng)考慮到占空比，即飽和導(dǎo)通時(shí)間與截止時(shí)間之比。大體上說(shuō)，電源開(kāi)關(guān)管損壞的主要原因有
2010-11-27 11:10:2415311 主要介紹電源中功率MOS損壞分析，為從事此方面的模擬故障診斷工程師提供參考。
2015-10-28 11:07:23
15 mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2019-07-27 08:08:007470 Mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2019-08-01 16:45:587262 什么是MOS管？它有什么特點(diǎn)？在常見(jiàn)的控制器電路中，MOS管有幾個(gè)工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，本文就來(lái)探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在Mos承受規(guī)格之內(nèi)，Mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同Mos這個(gè)差距可能很大。 Mos損壞主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 發(fā)售之后，iPhone 12的問(wèn)題頻頻曝出，包括續(xù)航短、5G發(fā)熱掉電快、卡片消磁，或許這正是本次價(jià)格破發(fā)的主要原因。
2020-10-31 10:51:212365 
繞組電路中汲取并饋入示波器。如下所示： 交直流混合探頭的結(jié)構(gòu)圖如下： 在降額曲線中，只能在低于10K的頻率下測(cè)試15Arms的最大連續(xù)電流。 磁芯電流探頭降額功率的主要原因是，當(dāng)測(cè)量高頻和高振幅電流時(shí)，探針本身會(huì)發(fā)熱。這
2022-01-07 17:09:17258 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來(lái)就由小編針對(duì)mos管的損壞原因做以下簡(jiǎn)明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
介紹芯片貼片機(jī)拋擲的主要原因。 所謂拋料，是指貼片機(jī)在生產(chǎn)過(guò)程中的拋擲動(dòng)作，被吸后不合身，然后試圖將廢料扔進(jìn)拋料箱或其他地方，導(dǎo)致無(wú)法執(zhí)行任務(wù)生產(chǎn)。 拋料的主要原因： 原因1：吸嘴有問(wèn)題。吸嘴變形、堵塞和損壞，導(dǎo)致氣
2022-03-23 10:16:256307 在電磁爐中，IGBT是一個(gè)損壞占有率很大的元器件，在沒(méi)有查明故障原因的時(shí)候就試機(jī)，會(huì)引起IGBT再次損壞。
2022-04-11 14:42:496671 MOS是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了MOS芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻），內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱小）。
2022-04-14 08:34:1518859 在本文中，我們將討論機(jī)械繼電器故障的主要原因，并研究使用常用手動(dòng)工具測(cè)試?yán)^電器的簡(jiǎn)單方法。
2022-05-05 16:12:373899 
Congestion也分為幾種情況，和前端密切相關(guān)的是Logic Congestion（更多關(guān)于后端Congetsion問(wèn)題，查看文末參考文章），主要原因是RTL設(shè)計(jì)問(wèn)題導(dǎo)致，這種問(wèn)題的現(xiàn)象從后端看上去就是Cell數(shù)沒(méi)多少，就是線密。
2022-08-18 10:57:221514 功率開(kāi)關(guān)器件的高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作是導(dǎo)致產(chǎn)生電磁干擾(EMI)的主要原因。開(kāi)關(guān)頻率的提高一方面減小了電源的體積和重量，另一方面也導(dǎo)致了更為嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。
2022-12-09 11:03:372084 Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。
2023-02-07 09:46:111584 os是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381351 繞組電路中汲取并饋入示波器。如下所示：交直流混合探頭的結(jié)構(gòu)圖如下：在降額曲線中，只能在低于10K的頻率下測(cè)試15Arms的最大連續(xù)電流。磁芯電流探頭降額功率的主要原因是，當(dāng)測(cè)量高頻和高振幅電流時(shí)，探針本
2021-03-29 16:51:18542 
。 一、自然因素 自然因素是元器件損壞的主要原因之一。這些自然因素可能是由于環(huán)境因素造成的，比如溫度，濕度，震動(dòng)等。 1. 溫度： 元器件在工作的過(guò)程中，如果溫度過(guò)高或過(guò)低，都會(huì)影響它們的性能，甚至?xí)?dǎo)致元器件損壞。溫度過(guò)高
2023-08-29 16:46:461227 功率MOS管為什么會(huì)燒？原因分析? 功率MOS管，作為半導(dǎo)體器件的一種，被廣泛應(yīng)用于電源、變頻器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。但在使用中，我們有時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)功率MOS管會(huì)出現(xiàn)燒毀的情況。那么，功率MOS
2023-10-29 16:23:501018 可調(diào)直流穩(wěn)壓電源在日常使用中損壞的主要原因是什么？ 可調(diào)直流穩(wěn)壓電源是一種常見(jiàn)的電子設(shè)備，用于為電子設(shè)備提供穩(wěn)定的直流電源。在日常使用中，可調(diào)直流穩(wěn)壓電源容易損壞的主要原因可以歸納為以下幾個(gè)方面
2023-11-16 14:39:23621 為什么共模電流是EMI的主要原因
2023-12-05 15:56:05175 
7種光纜故障的主要原因? 光纜故障是指光纜在傳輸信息過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題，影響著光信號(hào)的傳輸質(zhì)量和速度。這些故障可能由多種原因引起，下面將詳細(xì)介紹7種光纜故障的主要原因。 1. 光纜折斷 光纜折斷是最常
2023-12-07 09:40:24808 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管可能會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而損壞。本文將對(duì)MOS管損壞的原因進(jìn)行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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2024-01-10 14:10:360 電涌的主要原因是什么？什么時(shí)候需要電涌保護(hù)器？常見(jiàn)的浪涌抑制技術(shù)有哪些？功率電阻器如何幫助防止電涌？如何選擇合適的浪涌抑制電阻器？浪涌抑制電阻器有哪些行業(yè)應(yīng)用？ 電涌的主要原因是快速的電流變化，這可
2024-02-02 16:24:39218 諧波是指在電力系統(tǒng)中出現(xiàn)的頻率為整數(shù)倍于基波頻率的波動(dòng)現(xiàn)象。在電纜中傳輸?shù)碾娔苤校C波存在的情況是很常見(jiàn)的。然而，諧波也是導(dǎo)致電纜損壞的主要原因之一。
2024-03-14 14:20:2790 
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