色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

電子發燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機功率損耗

東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機功率損耗

收藏

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

邁來芯推出智能 LIN 電機預驅動器,助力功率機電系統小型

磁場定向控制(FOC)實現電機控制小型化和高效安靜驅動。該器件不僅適用于汽車機電一體化應用 -?如油泵、發動機冷卻風扇和 BLDC 定位執行器,還可用于機器人系統和電動自行車/電動踏板車
2022-06-06 11:19:451965

Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159

Diodes超高速整流器為功率因數校正應用 提供600V 8A性能

 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出600V 8A超高速整流器DSR8F600采用特別設計,可應用于具備功率因數校正和連續導通模式的升壓二極管。目標市場為需要
2015-08-18 09:45:37915

TI推出業內速度最快的600V柵極驅動器

 近日,德州儀器 (TI) 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V
2015-10-16 16:32:111114

降低SiC牽引逆變器的功率損耗和熱耗散

損耗有關,這會影響熱性能,進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開發,減少功率損耗的需求將繼續存在,特別是隨著每輛車的電機數量的增加,卡車將遷移到純電動汽車。 牽引逆變器傳統上使用絕緣柵
2022-10-25 17:05:021428

新能源汽車電機控制器功率損耗的計算

理論計算模型:主要介紹介紹電機控制器各器件功率損耗的計算過程,可用于Matlab仿真建模,從而得知電機控制器的理論效率值和損耗值。
2023-07-10 17:45:221636

東芝推出適用于智能電表的低輸入功率與高工作溫度的光繼電器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款斷態輸出端額定電壓分別為400V和600V的光繼器---“TLP223GA”和“TLP223J”。這兩款器件都具有低輸入電流以及優化的開關特性,并采用DIP4封裝。產品于今日開始支持批量出貨。
2022-01-18 13:56:361221

英飛凌推出CIPOS? Mini IM523系列智能功率模塊,提升中低功率驅動應用的性能和可靠性

? Mini家族的產品陣容。該系列智能功率模塊采用了全新的600V逆導型驅動器2(RCD2)IGBT技術,并且帶有開放式發射極。CIPOS IM523系列智能功率模塊集成多種功率和控制器件來提高
2022-10-31 18:01:081167

東芝推出有助于減小貼裝面積的智能功率器件

? —小型高邊和低邊開關(8通道)— ? 中國上海, 2023 年 2 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN
2023-02-07 14:56:11442

東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率

線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50712

東芝推出用于直流無刷電機驅動的600V小型智能功率器件

-通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸- ? 中國上海, 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791

1200V耐壓400A/600A產品實現更低損耗小型

進一步實現小型化。開關損耗大幅降低,可進一步提升大功率應用的效率ROHM利用獨有的內部結構并優化散熱設計開發出新型封裝,從而開發并推出600A額定電流的全SiC功率模塊產品。由此,全SiC功率模塊在工業
2018-12-04 10:20:43

200V交流伺服驅動器的三相高PWM逆變器全部設計資料

開關頻率(高達 100kHz)支持以最低的電流紋波驅動低電感電機帶有集成型柵極驅動器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復雜度極速開關轉換(小于
2018-10-31 17:33:14

600V/3A開關電源問題

各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經四個大容,四個場效應管組成的對管,后經變壓器,再經整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管,大功率場效應管,兩個對管。問問是怎么回事,會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27

600V電壓輸出采樣

最近在做一個項目,直流輸出有600V,輸出與控制板完全隔離,現在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的,所以分壓電路設計上難把握。請問板上大聲有沒有有經驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15

東芝最新推出微步步進電機驅動芯片重磅來襲TB5128FTG

`如今隨著技術的發展,微步步進電機驅動不斷實現了越來越強大的性能,例如靜音驅動、降低功耗等。東芝推出的TB5128FTG擁有強大的性能,額定值為50V/5A,支持128級微步進,在降低功耗的同時
2018-12-12 12:43:42

東芝最新款分立IGBT將大幅提高空調和工業設備的效率

中國上海,2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58

功率MOSFET的開關損耗:關斷損耗

,提高開關的速度,從而降低開關損耗,但是過高的開關速度會引起EMI的問題。(2)提高柵極驅動電壓也可以提高開關的速度,降低開關損耗。同時,高的柵極驅動電壓會增加驅動損耗,特別是輕載的時候,對效率
2017-03-06 15:19:01

功率MOSFET的開關損耗:開通損耗

過程中的開關損耗。開關損耗內容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗,以及關斷過程和和關斷損耗功率MOSFET及驅動的等效電路圖如圖1所示,RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻,RG2為功率
2017-02-24 15:05:54

功率器件

。由于SiC功率器件在節能和小型化方面非常有效,因此,希望在這里能加深對元器件的了解,以幫助大家更得心應手地使用它。關鍵要點:?SiC功率器件是能夠降低損耗,并高溫環境的工作特性優異的新一代低損耗
2018-11-29 14:39:47

功率電子器件的介紹

的目的。這種器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右(參考)。(3).可控硅SCR可控硅在大電流、高耐壓場合還是必須的,但在常規工業控制的低壓、中小電流控制中,已
2018-05-08 10:08:40

電機損耗降低的方法

20%,損耗下降10%。轉子損耗電動機轉子I^2R損耗主要與轉子電流和轉子電阻有關,相應的節能方法主要有:1、減小轉子電流,這可從提高電壓和電機功率因素兩方面考慮。2、增加轉子槽截面積。3、減小
2018-10-11 10:21:49

電機額定功率和實際功率的區別

電機額定功率和實際功率的區別電機功率計算口訣電機的電流怎么算?
2021-01-28 06:43:40

降低電機損耗的關鍵制造技術

電機效率的影響因素降低電機損耗的關鍵制造技術
2021-01-26 07:49:16

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

功率損耗有關,這會影響熱性能,進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開發,減少功率損耗的需求將繼續存在,特別是隨著每輛車電機數量的增加以及卡車向純電動汽車的遷移。牽引逆變器傳統上
2022-11-02 12:02:05

FCI推出功率連接器設計助力電動汽車市場

FCI為混合動力及電動汽車推出功率連接器設計
2021-05-10 06:18:51

IR推出正弦和梯形電機控制堅固型單相高壓IC系列

獨立高側和低側參考輸出通道。該輸出驅動器有一個高脈沖電流緩沖級,適用于最小的驅動器跨導,同時浮動通道可以用來驅動工作在高達600V高側配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

阻,直流電機驅動,新型,推出,器件,業界,應用設計,承載能力,傳導損耗<br/>【DOI】:CNKI:SUN:DZZZ.0.2010-04-006<br
2010-05-06 08:55:20

MOS管功率損耗的測量

計算,實測截圖如圖3所示。  3、MOS管和PFCMOS管的實測演示視頻  MOS管損耗測試對于器件評估非常關鍵,通過示波器的電源分析軟件,可以快速有效的對器件功率損耗進行評估,ZDS3000/4000系列示波器免費標配電源分析軟件。
2018-11-09 11:43:12

ROHM功率器件助力物聯網和工業設備

二極管通電導致的元件劣化問題等特點的產品。與一般的同規格IGBT模塊相比,開關損耗降低了77%,可高頻驅動,因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統等的小型化。其可用于電機驅動、太陽能發電、轉換器等多元化
2019-04-12 05:03:38

SPM2和SPM3智能功率模塊簡述

電源模塊。我們的SPM2和SPM3智能功率模塊用于工業電機驅動。我們已擴展這兩系列至涵蓋達10kW的功率等級。這兩個系列都有600 V和1200 V版本。單相交流輸入電機驅動通常使用600 V模塊。3
2018-10-24 08:53:30

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動,從而也可以實現無源器件小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小(可實現小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關損耗降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件概述

相比,能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V~數千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成,因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件的開發背景和優點

/電子設備實現包括消減待機功耗在內的節能目標。在這種背景下,削減功率轉換時產生的能耗是當務之急。不用說,必須將超過Si極限的物質應用于功率器件。例如,利用SiC功率器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23

TB67S109AFNAG 東芝最新推出的步進電機驅動芯片之王

` 本帖最后由 CHIPSPOWER-Anne 于 2016-10-25 10:26 編輯 東芝推出了一款步進電機驅動芯片,TB67S109AFNAG。各位做機器人的朋友可以考慮測試下試試
2016-10-25 10:13:51

功率器件”的發展與“電源IC技術”的變革

。  不僅如此,羅姆正在不斷提高驅動這些功率器件的IC的耐壓性能。以往耐壓數十伏的羅姆IC,如今耐壓性能已經提高到600V,可驅動各種耐壓水平的功率器件。  對于需要絕緣的整機產品,可使用2012年5月
2018-09-26 09:44:59

【基礎知識】功率半導體器件的簡介

,目前正從傳統工業制造和4C產業向新能源、電力機車、智能電網等領域發展。另外,不同的細分領域,對功率半導體器件的電壓承受能力要求也不一樣,以IGBT為例,消費電子電壓一般在600V以下,太陽能逆變器
2019-02-26 17:04:37

全SiC功率模塊介紹

SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點,根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模塊的開關損耗

的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30

利用數字電源和優化功率器件降低數據中心的功率損耗

的數值,則可以降低功率損耗。如果相電流很高,就會提高柵極驅動電壓,以便降低RDS(on)和導通損耗。IR的CHIL?數字控制技術讓我們能夠針對MOSFET、相位數量和每個相位的電流水平來優化這些參數,從而利用服務器VR解決方案實現最大效率增益。  
2018-11-29 17:00:15

功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

SiC-SBD,藍色是第二代,可確認VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關損耗降低,加之VF的改善,在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統應用的效率提高與小型化前面已經介紹了
2018-12-04 10:26:52

在低功率壓縮機驅動電路內,意法半導體超結MOSFET與IGBT技術比較

工況下的一個低功耗電機驅動電路(例如,小功率冰箱壓縮機)內測試了基于這兩種功率技術的SLLIMM?-nano(小型損耗智能模壓模塊),從電熱性能兩個方面對這兩項技術進行了詳細的分析和比較。  1前言
2018-11-20 10:52:44

開關損耗更低,頻率更高,應用設備體積更小的全SiC功率模塊

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32

怎么樣才可以讓電機在負載不變的情況下讓功率降低

請問一下各位高手,如何去降低電機功率!在不改動負載、電壓的條件下!可以加個元器件什么的!
2014-12-17 12:03:29

未來發展導向之Sic功率器件

`①未來發展導向之Sic功率器件功率器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活,以大功率損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。在科技發展道路上的,“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43

淺析SiC功率器件SiC SBD

1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51

用2變比的高頻變壓器,高壓側600V降壓到300v,升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎?

各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側600V降壓到300v,升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓,請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54

電子書:電機控制與功率器件

`本書主要圍繞電機控制的設計與相關功率器件來展開解析,介紹了電機控制的基本概念以及功率器件運用技術。重點介紹了電機控制的設計方案,分別從DSP、MCU、FPGA這三個方面進行講解。并且通過常用的功率
2019-03-27 16:56:11

直流電機通過PWM降速后,電機的輸出功率降低嗎?

直流電機通過PWM降速后,電機的輸出功率降低嗎?直流電機如何實現在功率不變的前提下降速?電動自行車是通過什么方式降速的?
2023-03-16 10:09:00

羅姆在功率器件領域的發展與變革

的技術貢獻于節電,通過功率器件提升轉換效率。而提高轉換效率就需要減少損耗。發電站產生幾十萬伏的電壓,通過電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機充電器所提供的約5V的電壓進行使用。從發電站到充電器
2019-06-21 07:20:58

軟特性650V IGBT降低電磁干擾和電壓尖峰的優化器件

近年來,功率半導體廠商致力于提高器件的開關速度,這帶來了開關損耗降低和系統能效提升的益處。這些功率器件需要優化的直流電路寄生電感(L?)。為了滿足具有大電流的高功率應用的需求,推出了一種全新的芯片
2018-12-07 10:16:11

通帶插入損耗的雙功率計測試法

1、摘要通帶插入損耗是無源射頻器件(如濾波器,發射合路器,電纜)的重要指標。而用常見的單臺功率計輸入輸出測試法卻不能獲得準確的結果。本文解釋了產生誤差的原因,并描述了一種在工程中極為實用的雙功率
2019-06-10 07:53:22

采用半橋設計的500V600V高壓集成電路

  國際整流器公司推出一系列新一代500V600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設計,配有高端和低端驅動器,可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15

問下雙向可控硅的最大功率怎么看?

問下雙向可控硅的最大功率怎么看? 比如BT134-600 的最大電壓是600V 電流是4A,那最大功率600*4=2400W咯?
2019-07-05 16:28:57

高壓功率器件的開關技術

在t1時刻進行開啟,來達到DUT零電流的關斷,從而減小關斷損耗。軟開關與硬開關器件功耗對比如圖為采用零電壓開啟和零電流關斷的功率器件與采用硬開關方式的開關損耗對比情況。軟開啟能夠大幅降低功率器件的開啟
2019-08-29 10:11:06

零功耗PSD器件的工作和功率損耗的計算

零功耗PSD器件的工作和功率損耗的計算
2009-05-15 14:36:0311

智能功率器件的原理與應用

智能功率器件的原理與應用 摘要:目前,功率器件正朝著集成化、智能化和模塊化的方向發展。智能功率器件為機電一體化
2009-07-15 07:56:561565

適用于節能家電的創新功率轉換器件

適用于節能家電的創新功率轉換器件   英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列(RC指逆向導
2010-01-23 08:37:071109

英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件

英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列(RC指
2010-01-25 08:44:19759

500V和600V的高壓MOSFET

500V和600V的高壓MOSFET  安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664

IR推出汽車驅動應用的AUIRS2301S 600V IC

IR推出汽車驅動應用的AUIRS2301S 600V IC 國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機驅動、微型逆變器驅動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349

意法推出4款家用電器和低功率電機驅動的智能功率模塊

意法推出4款家用電器和低功率電機驅動的智能功率模塊 意法半導體宣布,其家用電器和低功率電機驅動設備半導體產品陣容新增智能功率模塊產品,為
2010-04-13 10:50:06890

新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559

英飛凌600V功率開關器件家族又添新丁

在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌科技600V逆導型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現最高達96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744

羅姆開發1000A/600V的SiC功率模塊

羅姆開發了采用SiC功率元件的功率模塊,額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發的。之所以能承受1000A的大電流,是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:461281

IR推出優化的600V車用IGBT系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46847

IR推出600V車用柵極驅動芯片AUIRS2332J

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
2011-10-21 09:45:211669

Vashay推出下一代D系列高壓功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:421433

Transphorm發布耐壓為600V的GaN類功率元件

美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業,因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優化。
2014-08-19 16:31:532356

IR為混合動力汽車和電動車推出600V車用IGBT

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日發布600V車用IGBT產品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅動應用而優化,包括空調壓縮機應用等。
2014-12-11 11:48:092248

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667

英飛凌功率器件電機驅動中的應用

英飛凌功率器件電機驅動中的應用說明。
2021-05-19 16:00:5338

ST全新推出SLLIMM大功率產品

STGIK50CH65T是最新推出的緊湊型大功率雙列直插式智能功率模塊(IPM),屬于SLLIMM(小型損耗智能模封模塊) High Power 系列。
2022-05-06 10:37:24961

英飛凌新推出功率器件驅動電機控制器為核心的吊扇方案

以IMD112T iMOTION? Driver, iMOTION?智能驅動器——帶功率器件驅動的電機控制器為核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ,逆變器采用3A 600V逆導型IGBT。
2022-06-15 10:06:161351

基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動汽車逆變器

外殼的設計很重要。第三種可能是提高操作溫度。高溫路線圖要求器件在 175°C 下運行,將來甚至在 200°C 下運行。 對于第一個方面,降低損耗,我們需要轉向基于碳化硅和氮化鎵的功率器件。對于 EV 應用,我們將討論 600 至 1,200 V 范圍
2022-08-03 10:16:55707

Vishay推出四款新型TO-244封裝第5代FRED Pt 600V Ultrafast整流器

Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944

東芝推出具有低導通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479

Vishay推出封裝的新型第四代 600V EF系列快速體二極管MOSFET

Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數(FOM)創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817

功率器件功率密度

功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:201160

東芝推出有助于減小貼裝面積的智能功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(下稱“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件——TPD2015FN高邊開關(8通道)和TPD2017FN低邊開關(8通道),用于控制電機、螺線管、燈具和工業設備可編程邏輯
2023-02-08 13:22:37268

600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21561

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列:兼具業內出優異的降噪和低損耗特性

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:21869

東芝推出有助于減小貼裝面積的智能功率器件

中國上海,2023年2月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業
2023-02-09 15:30:00156

東芝推出有助于減小貼裝面積的智能功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業設備的可編程邏輯控制器)中使
2023-02-12 09:37:42963

開關功率器件(MOSFET IGBT)損耗仿真方法

說明:IGBT 功率器件損耗與好多因素相關,比如工作電流,電壓,驅動電阻。在出設計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅動參數后(驅動電阻大小,驅動電壓等),開關器件損耗基本上
2023-02-22 14:05:543

強茂推出優越電氣參數的600V功率FRED

優越的電氣參數,呈現出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的產品線;此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180

超級結結構的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228

怎樣減少減速電機損耗

無論是電機還是減速器,長期使用可能會增加損耗,增加支出成本。具體方法是如何降低減速電機的電壓和功率。電力是我們日常生活中的基本能源,因此必須保證供電的可靠性和穩定性。供電線路的電壓損耗功率損耗是供電過程中不可避免的。以下是我們對電壓損耗功率損耗的簡要介紹。
2021-11-01 14:49:46460

森國科推出功率IGBT分立器件

森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355

Toshiba推出適用于直流無刷電動機的600V小型智能功率元件

?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(下稱“Toshiba”)推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496

東芝推出兩款用于直流無刷電機驅動的600V小型智能功率器件

表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機驅動電路板的尺寸
2023-08-28 09:40:39179

東芝推出適用于半導體測試設備中高頻信號開關的小型光繼電器-降低插入損耗,改善高頻信號傳輸特性-

,并抑制功率衰減 [1] ,適用于使用大量繼電器且需要實現高速信號傳輸的半導體測試設備的引腳電子器件。該產品于近日開始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經過優化的封裝設計,這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信
2023-10-17 23:10:02321

東芝推出用于直流無刷電機驅動的600V小型智能功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657

Toshiba發布用于無刷直流電機驅動器的600V小型智能功率器件

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產品,適用于空調、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301

美格納推出第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管

美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473

已全部加載完成

主站蜘蛛池模板: 午夜福利体验免费体验区 | 国内精自品线一区91 | 邻居的阿2中文字版电影 | 亚洲影院在线播放 | 美女丝袜夹b | 欧美人与禽ZOZO性伦交视频 | 含羞草完整视频在线播放免费 | 18美女腿打开无遮软件 | 国产亚洲精品AV片在线观看播放 | 在线涩涩免费观看国产精品 | 精品久久久久中文字幕加勒比东京热 | 欧美乱妇日本无乱码特黄大片 | 激情床戏揉胸吃胸视频 | 国产学生在线播放精品视频 | 久久AV国产麻豆HD真实 | 美女扣逼软件 | 一品道门在线视频高清完整版 | 达达兔欧美午夜国产亚洲 | 免费国产成人 | 草柳最新地址 | 亚洲精品无码葡京AV天堂 | 粗大分开挺进内射 | 九九精品国产亚洲A片无码 九九精彩视频在线观看视频 | 国产精品AV无码免费播放 | 少妇人妻偷人精品视蜜桃 | 国产精品久久久久一区二区三区 | 日本19禁啪啪吃奶大尺度 | 狠狠鲁 我喜欢 | gay台湾无套男同志xnxⅹ | 小护士大pp | 精品国产乱码久久久久久软件 | 俄罗斯爱爱 | 欧美久久无码AV麻豆 | 一二三四在线高清中文版免费观看电影 | 成人免费视频无遮挡在线看 | 亚洲国产精品无码AV久久久 | 性啪啪chinese东北女人 | 欧美精品一区二区蜜臀亚洲 | 男女肉大捧进出全过程免费 | 97se se| 久久精品国产欧美成人 |