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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅動、MCU等硬件知識,行業應用和解決方案,以及電子相關的行業資訊。

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 先進封裝市場迎來黃金增長期,預計2029年規模將達695億美元2024-08-01 10:59

    根據Yole最新發布的《2024年先進封裝狀況》報告,預計從2023年至2029年,先進封裝市場的年復合增長率將達到11%,市場規模有望顯著擴展至695億美元。推動這一顯著增長的主要動力來自于多個技術趨勢的協同發展。人工智能(AI)、高性能計算(HPC)、汽車電子以及AI個人電腦(AIPCs)等領域的快速發展,對芯片性能、功耗和集成度提出了更高要求,從而促進
  • 利用SLC技術改善熱導率,增強IGBT模塊功率密度2024-08-01 10:58

    第七代工業IGBT模塊已成功開發用于650V和1200V級,以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統要求。與低損耗第七代芯片組結合的SLC技術在熱循環能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻等方面的卓越表現,是第七代NX型IGBT模塊成功的關鍵原因。為了將該技術擴展到1700V級IGBT模塊,已經改善了SLC技術IMB的絕緣能力和熱導率。第七代650V和
    IGBT slc 模塊 電力電子 443瀏覽量
  • 德州儀器(TI)推出六款新型DC-DC電源模塊,采用MagPack組件封裝2024-07-30 11:24

    德州儀器(TexasInstruments,簡稱TI)近日正式推出了其最新的MagPack組件封裝,其中涵蓋六款高性能功率磁性模塊。該系列模塊相較于TI的前幾代產品,體積縮小了50%,同時相比于市場競爭對手的同類產品也小了23%。這一創新封裝不僅在尺寸上具有優勢,還在電磁干擾(EMI)方面表現出色,降低了8dB的EMI,同時提高了2%的能效。MagPack電
  • 采用GaN功率IC簡化電力電子設計2024-07-30 11:23

    早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復雜、昂貴且頻率受限的外部電路,以及復雜的封裝來保護和控制脆弱的柵極,這嚴重限制了市場的采用。單片集成的GaN功率IC的引入,將驅動、邏輯和場效應管集成在一個芯片上,是向前邁出的重要一步。這種信號與功率的強大融合提供了一種堅固的解決方案,易于使用,并極大簡化了整體系統設計。本文強調了一些早期GaN技術的困難,介紹了新款GaN
    GaN 功率IC 電子設計 520瀏覽量
  • 集成電路產業強勁增長:上半年我國產量飆升28.9%2024-07-29 11:14

    國家統計局近日發布的最新數據顯示,2024年上半年,我國集成電路產品的產量同比增長了28.9%,這一增速遠超同期的GDP增速,成為推動經濟增長的重要力量。隨著國家對高新技術產業的重視和支持,集成電路行業正在迅速崛起,成為經濟發展的“新引擎”。在這一背景下,各省市紛紛交出了亮眼的成績單,顯示出集成電路產業的強勁發展勢頭。北京、上海、重慶和江蘇等地區在集成電路領
    電子信息 集成電路 480瀏覽量
  • 電動汽車中的(EV)的電子原理應用2024-07-29 11:03

    在一輛合格的電動車中,所有設備都依賴電力運行:從牽引電機到冷卻系統、照明系統和制動能量回收系統,一切皆為電動。其主要特征在于使用清潔能源,盡管有時能量可能來自不完全可再生的其他來源。本文將專注于電動車運行背后的電子原理。電力電子電力電子是電動車的主要領域之一,在電動車的能量管理中發揮著至關重要的作用。它是電氣工程的一個分支,涉及將能量從一種形式轉化為另一種形
  • ABOV現代單片機A31G314RLN——空調應用2024-07-26 10:51

    在現代智能家居系統中,空調無疑是非常重要的一環,單片機(MCU)作為一種集成電路芯片,具備處理能力強、功耗低、體積小等特點,在智能家居空調系統中扮演者至關重要的角色,本文將討論現代(abov)單片機在智能家居空調系統中的應用。現代單片機MCU產品為空調提供整體解決方案。實現更先進的系統控制、節能技術以及通過內置實用的外圍功能來降低系統成本。電機控制MCU可以
  • 國內綠色能源轉型成果顯著,預計提前達成2030年再生能源目標2024-07-25 11:19

    隨著全球對可再生能源的重視不斷提升,中國在綠色能源轉型方面取得了顯著進展。根據最新的報告,國內在風能和太陽能領域的發展速度遠超預期,預計提前達成2030年再生能源目標。據全球風能理事會和Electrek的報告顯示,在去年2023年,中國新增風能裝置容量就占全球新增風能裝置的65%。其中,6月份,中國成功啟用了全球最大的海上風力發電機,標志著中國在海上風電領域
  • 直接液體冷卻功率半導體器件的影響2024-07-25 11:18

    在電力電子領域,面臨的挑戰是如何在更小的設備中實現更高的功率傳輸并降低成本。這些目標往往相互矛盾,導致必須做出妥協。更高的電流會導致器件內部的熱應力增加,從而縮短其使用壽命。為了解決這個問題,可以考慮使用損耗更低的解決方案,比如用SiC-MOSFET替代IGBT。不過,這樣的解決方案會更昂貴。另一種方法是改善冷卻效果,但絕緣基材在熱傳導上存在物理限制,而解決
  • 氮化鎵(GaN)技術的迅猛發展與市場潛力2024-07-24 10:55

    近年來,氮化鎵(GaN)技術以其在高功率、高效率和高頻率應用中的顯著優勢,迅速成為半導體行業的焦點。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領域的推動下,氮化鎵正迎來前所未有的發展機遇,市場潛力巨大。根據市場研究機構的預測,氮化鎵功率元件市場的營收將在2024年顯著增長,預計到2026年市場規模將達到13.3億美元,復合年增長率高達65%。這一增長趨
    GaN 功率元件 氮化鎵 674瀏覽量
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