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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 小米重新投入芯片自主研發(fā),預計2025年將推出手機定制SoC2024-08-29 11:47

    近日,有業(yè)內(nèi)消息人士爆料稱,小米正在積極開發(fā)自有芯片,這一消息無疑讓業(yè)界為之一振。預計在2025年上半年,小米將正式推出其首款定制手機SoC芯片解決方案。這一舉措不僅標志著小米在移動芯片領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步,也表明其在自主芯片研發(fā)之路上正穩(wěn)步推進。根據(jù)爆料信息,小米研發(fā)的這款芯片性能水平將與高通驍龍8Gen1相當。眾所周知,驍龍8Gen1是高通2021年底發(fā)布的
    soc 小米 手機芯片 2151瀏覽量
  • 如何有效減輕高壓電動汽車柵極驅(qū)動器的故障2024-08-29 11:45

    高壓柵極驅(qū)動器在確保電動汽車的電力流動可靠控制方面至關(guān)重要。從控制逆變器的IGBT或MOSFET的開關(guān)到監(jiān)測和管理電池的充電狀態(tài)、健康狀況和熱條件,高壓驅(qū)動器確保對開關(guān)事件的精確控制。電動機控制單元和車載充電器也受益于這些驅(qū)動器,使其成為電動汽車功能的重要組成部分。然而,這些高壓驅(qū)動器并非完全不易故障,讓我們來看看這些故障及其解決方案。柵極驅(qū)動器中的過電壓和
  • GaN HEMT技術(shù)引領(lǐng)儲能系統(tǒng)革命,國內(nèi)企業(yè)積極布局2024-08-28 10:58

    隨著5G通信和電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)憑借其卓越的物理和化學特性,逐漸成為儲能系統(tǒng)和電力電子器件的重要材料。業(yè)內(nèi)專家指出,GaNHEMT的高開關(guān)頻率和低導通電阻,使其在DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和整流器等應用中表現(xiàn)優(yōu)異,有望顯著提升儲能系統(tǒng)的整體效率,減少能量損失。GaNHEMT作為一種新型半導體材料,具有出色的電氣特
  • 如何通過低功耗電子技術(shù)應對能源挑戰(zhàn)與環(huán)境危機2024-08-28 10:57

    低功耗電子學是一個迅速發(fā)展的領(lǐng)域,對于解決當今的能源挑戰(zhàn)至關(guān)重要。從手機到電動車,所有設備都參與了這一進步。效率是這一領(lǐng)域的核心理念,引導著低功耗設計的關(guān)鍵原則,采用新興技術(shù)和策略,以最大化所有電氣和電子應用中的能效。使用能耗較低的設備顯然比使用高能耗的設備更為有利,原因多種多樣,包括熱量散失、電費成本、空氣污染和電池續(xù)航。設計一款關(guān)注低能耗的設備無疑意味著
  • Nexperia、東芝和Navitas擴展MOSFET產(chǎn)品線以應對高效能需求2024-08-27 11:47

    隨著電動車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)Ω咝А⒏咝阅芙M件需求的持續(xù)上升,電源管理系統(tǒng)的復雜性也隨之增加,市場對更先進和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此,Nexperia、東芝和Navitas等公司紛紛擴展了各自的MOSFET產(chǎn)品線,以滿足行業(yè)的挑戰(zhàn)和機遇。Navitas、東芝和Nexperia的新型MOSFETNexperia最近擴展了其NextPowe
    MOSFET Nexperia 東芝 423瀏覽量
  • 半導體技術(shù)如何推動現(xiàn)代醫(yī)療電子的發(fā)展2024-08-27 11:46

    在過去幾十年中,醫(yī)療技術(shù)不斷進步,促使醫(yī)療行業(yè)在當前時代經(jīng)歷了徹底的變革。創(chuàng)新半導體在電子元件中的廣泛應用迅速為開發(fā)高度復雜的醫(yī)療儀器打開了大門,這些儀器能夠高效地診斷和管理各種病理狀況。持續(xù)的小型化電子元件的努力,促成了更小、更可穿戴或便攜的醫(yī)療設備的發(fā)展,使得患者可以進行持續(xù)而細致的監(jiān)測,為大多數(shù)患者提供在家護理的便利,而不犧牲醫(yī)療監(jiān)督的質(zhì)量。可穿戴和便
  • 特斯拉上海超級工廠建設加速,Megapack電池產(chǎn)能蓄勢待發(fā)2024-08-23 11:09

    近日,特斯拉公司全球副總裁陶琳(Grace)通過其社交媒體平臺透露,位于中國上海的特斯拉新超級工廠建設正以前所未有的速度推進,當前工程進度已順利達到45%,特斯拉的目標是將生產(chǎn)時間表定在2025年第一季度,標志著這一矚目的項目正穩(wěn)步邁向新的里程碑。回溯至去年,特斯拉與上海臨港新區(qū)成功達成了具有深遠意義的合作協(xié)議,并在年底舉行了盛大的正式簽約儀式,為特斯拉在中
    儲能 特斯拉 電池 481瀏覽量
  • GaN FET(場效應晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢2024-08-23 11:02

    本文重點介紹了一項新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)中,且無需外部供電。我們將深入探討這一解決方案的優(yōu)勢、性能以及通過60W適配器電子驗證板獲得的實驗結(jié)果。集成電流傳感器與外部電流傳感電阻的比較在電力電子應用中,例如反激式變換器或功率因數(shù)校正(PFC),通常需要檢測開關(guān)電流,以實現(xiàn)峰值/谷值電流模式控
  • 新能源汽車充電技術(shù)的未來:高功率車載充電機(OBC)的崛起2024-08-20 11:34

    在全球汽車行業(yè)經(jīng)歷電動化轉(zhuǎn)型的浪潮中,新能源汽車的充電效率和便捷性成為了消費者關(guān)注的焦點。當前,大多數(shù)新能源汽車的車載充電機(OBC)功率在6.6kW至7.2kW之間,面對日益增大的電池容量,這一功率水平顯得捉襟見肘。為了滿足未來電動車的充電需求,行業(yè)內(nèi)已經(jīng)開始著手開發(fā)功率更高的OBC方案,目標功率范圍在11kW至22kW之間,這將為電動車的快速充電提供更強
  • SiC FET在固態(tài)斷路器應用中的沖擊電流處理能力2024-08-20 11:05

    固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機械斷路器具有多種優(yōu)勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應用中擴大其競爭優(yōu)勢。SSCB的優(yōu)勢傳統(tǒng)的電機械斷路器依靠電磁作用進行短路檢測和中斷,同時利用雙金屬作用實現(xiàn)過載電流保護。電磁效應依賴于線圈和接點,涉及多個運動部件。故障限制響應時間通常在幾毫秒左右,具體取決于額定值和使
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