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發布了產品 2022-07-11 10:16
GTRA364002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA364002FC-V1 典型的脈沖連續波性能：3400-3600兆赫 P3dB 時的輸出功： 400 W 效率 ：60%95瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-11 10:06
GTRA362802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA362802FC-V1 峰值 P3dB ：180 W 典型值 典型的脈沖連續波性能：3400-3600兆赫 P3dB 時的輸出功： 280 W93瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-11 09:54
GTRA362002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA362002FC-V1 P3dB輸出功率： 200 W 效率：60% 增益：12.5 分貝99瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 18:54
MRF137 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管放大器 MACOM品牌
產品型號：MRF137 輸出功率：30 W 最小增益：13 dB 效率：60%345瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 18:17
MRF136 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 MACOM品牌
產品型號：MRF136 晶體管極性:：N-Channel 工作頻率:：400 MHz 增益:：16 dB456瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:50
GTRA360502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA360502M-V1 峰值:P3dB：36w 典型脈沖：連續波性能 占空比：10%92瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:36
GTRA263902FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA263902FC-V2 輸出功率為：P3dB = 370 W 典型脈沖：連續波性能 效率：70%227瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:25
GTRA262802FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA262802FC-V2 連續波性能：典型的脈沖 脈沖寬度：16 μs 占空比：10%89瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:12
GTRA260502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA260502M-V1 連續波性能：典型脈沖 占空比：10% 效率：64%145瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 09:13
GTRA214602FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA214602FC-V1 P3dB ：170 W 典型值 峰值：350 W 典型值 增益：15 dB75瀏覽量
