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• 發布了產品 2022-07-14 15:28

  GTVA355001EC氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTVA355001EC 脈沖寬度：300 μs 占空比：10% 輸出功率：P3dB = 500 W

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• 發布了產品 2022-07-14 14:41

  GTVA220701FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTVA220701FA-V1 輸出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分貝

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• 發布了產品 2022-07-14 14:28

  GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTVA212701FA-V2 占空比：10% 輸出功率： P3dB 300 W 效率： 68.5%

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• 發布了產品 2022-07-12 15:04

  GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTVA126001EC-V1 占空比；：10% 輸出功率（P3dB）：600W 排水效率 ：65%；

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• 發布了產品 2022-07-12 09:15

  GTVA123501FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTVA123501FA-V1 輸出功率：350W； 排水效率 ：70 %； 增益：18 分貝

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• 發布了產品 2022-07-11 15:20

  GTVA107001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTVA107001EC-V1 典型的脈沖連續波性能：1030兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10%

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• 發布了產品 2022-07-11 14:40

  GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續波性能：960 – 1215 兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10%

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• 發布了產品 2022-07-11 14:26

  GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續波性能：4100兆赫 P3dB 時的輸出功：235 W 增益：10 分貝

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• 發布了產品 2022-07-11 14:18

  GTRA384802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA384802FC-V1 峰值 P3dB： 280 W 典型的脈沖連續波性能：3800兆赫 輸出功率： 400 瓦

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• 發布了產品 2022-07-11 10:27

  GTRA374902FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA374902FC-V1 典型的脈沖連續波性能：3700兆赫 輸出功率：450 瓦 效率 ：60%

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