MOSFET柵極電壓對電流的影響

FET通過影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者空穴流）。溝道是由（是否）加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的（為了討論的簡便，這默認體和源極是相連的）。導(dǎo)電溝道是從源極到漏極的電子流。

耗盡模式

在一個n溝道“耗盡模式”器件，一個負的柵源電壓將造成一個耗盡區(qū)去拓展寬度，自邊界侵占溝道，使溝道變窄。如果耗盡區(qū)擴展至完全關(guān)閉溝道，源極和漏極之間溝道的電阻將會變得很大，F(xiàn)ET就會像開關(guān)一樣有效的關(guān)閉（如右圖所示，當柵極電壓很低時，導(dǎo)電溝道幾乎不存在）。類似的，一個正的柵源電壓將增大溝道尺寸，而使電子更易流過（如右圖所示，當柵極電壓足夠高時，溝道導(dǎo)通）。

增強模式

相反的，在一個n溝道“增強模式”器件中，一個正的柵源電壓是制造導(dǎo)電溝道所必需的，因為它不可能在晶體管中自然的存在。正電壓吸引了體中的自由移動的電子向柵極運動，形成了導(dǎo)電溝道。但是首先，充足的電子需要被吸引到柵極的附近區(qū)域去對抗加在FET中的摻雜離子；這形成了一個沒有運動載流子的被稱為耗盡區(qū)的區(qū)域，這種現(xiàn)象被稱為FET的閾值電壓。更高的柵源電壓將會吸引更多的電子通過柵極，則會制造一個從源極到漏極的導(dǎo)電溝道；這個過程叫做“反型”。