近日消息，研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告指出，由于現(xiàn)行射頻前端元件制造商依手機(jī)通信元件功能需求，逐漸以砷化鎵（GaAs）晶圓作為元件的制造材料，加上5G布建逐步展開(kāi)，射頻元件使用量較4G時(shí)代倍增，預(yù)期GaAs射頻元件市場(chǎng)將自2020年起進(jìn)入新一波成長(zhǎng)期。

拓墣指出，由于射頻前端元件特性是耐高電壓、耐高溫及高頻等，在4G與5G時(shí)代有高度需求，傳統(tǒng)如HBT和CMOS的硅（Si）元件已無(wú)法滿(mǎn)足，廠(chǎng)商逐漸轉(zhuǎn)向GaAs化合物半導(dǎo)體。

拓墣強(qiáng)調(diào)，GaAs化合物半導(dǎo)體的電子遷移率較Si快速，且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性，因此特別適合應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信中的高頻傳輸領(lǐng)域。

由于4G時(shí)代的手機(jī)通信頻率使用范圍已進(jìn)展至1.8～2.7GHz，對(duì)傳統(tǒng)3G的Si射頻前端元件已不敷使用，加上5G通信市場(chǎng)正步入高速成長(zhǎng)期，使用頻段也將更廣泛，包含3-5GHz、20-30GHz，因此無(wú)論是4G或5G通信應(yīng)用，現(xiàn)行射頻元件都將逐漸被GaAs取代。

若以目前市場(chǎng)發(fā)展來(lái)看，受2018年下半年手機(jī)銷(xiāo)量下滑、中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，沖擊GaAs通信元件IDM廠(chǎng)營(yíng)收表現(xiàn)，預(yù)估2019年IDM廠(chǎng)總營(yíng)收將下滑至58.35億美元（單位下同），年減8.9%。

不過(guò)，隨5G持續(xù)發(fā)展，射頻前端元件使用數(shù)量將顯著提升，如功率放大器（PA）使用量，由3G時(shí)代的2顆、4G的5-7顆，倍增至5G時(shí)代的16顆，將帶動(dòng)2020年IDM廠(chǎng)整體營(yíng)收，預(yù)估GaAs射頻前端元件總營(yíng)收將達(dá)64.92億元，年增11.3%。

整體而言，各國(guó)持續(xù)投資5G基站等基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)估2021、2022年將達(dá)高峰，加上射頻前端元件使用量較4G時(shí)代翻倍，可望成為IDM廠(chǎng)如思佳訊（Skyworks）、科沃（Qorvo）新一波營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能，而臺(tái)廠(chǎng)射頻代工制造業(yè)穩(wěn)懋、宏捷科、環(huán)宇等也將受惠，擺脫營(yíng)收衰退陰霾。