我們經(jīng)常看到，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？

如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13

這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。

限制G極電流

MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳?a href="http://m.1cnz.cn/tags/電容/" target="_blank">電容的存在，在MOS管打開(kāi)或關(guān)閉的時(shí)候，因?yàn)橐獙?duì)電容進(jìn)行充電，所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開(kāi)關(guān)電源中，MOS管頻繁的開(kāi)啟和關(guān)閉，那么就要更要考慮這個(gè)帶來(lái)的影響了。

如上圖，MOS管的寄生電容有三個(gè)，Cgs，Cgd，Cds

一般在MOS管規(guī)格書(shū)中，一般會(huì)標(biāo)下面三個(gè)參數(shù)：Ciss，Coss，Crss，他們與寄生電容的關(guān)系如下：

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

如以MOS管FDS2582為例：

Ciss=1290pF，可以看到，這個(gè)寄生電容是很可觀的。

簡(jiǎn)單估算一下，假設(shè)Vgs=10V，dt=Tr(上升時(shí)間)=20ns ，Ciss=1290pF，那么可得G極在開(kāi)關(guān)時(shí)的瞬間電流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。

在基極串聯(lián)一個(gè)電阻，與Ciss形成一個(gè)RC充放電電路，可以減小瞬間電流值，不至于損毀MOS管的驅(qū)動(dòng)芯片。

因?yàn)樵黾拥倪@個(gè)電阻，會(huì)減緩MOS管的開(kāi)啟與通斷時(shí)間，增加損耗，所以不能接太大。這也是為什么電阻是幾歐姆或者幾十歐姆的原因所在。

抑制振蕩

MOS管接入電路，也會(huì)有引線產(chǎn)生的寄生電感的存在，與寄生電容一起，形成LC振蕩電路。對(duì)于開(kāi)關(guān)方波波形，是有很多頻率成分存在的，那么很可能與諧振頻率相同或者相近，形成串聯(lián)諧振電路。

串聯(lián)一個(gè)電阻，可以減小振蕩電路的Q值，是振蕩快速衰減，不至于引起電路故障。