獨(dú)石電容生產(chǎn)工藝

1、配料

將陶瓷粉和粘合劑及溶劑等按一定比例經(jīng)過(guò)球磨一定時(shí)間，形成陶瓷漿料。

2、流延

將陶瓷漿料通過(guò)流延機(jī)的澆注口，使其涂布在繞行的PET膜上，從而形成一層均勻的漿料薄層，再通過(guò)熱風(fēng)區(qū)（將漿料中絕大部分溶劑揮發(fā)），經(jīng)干燥后可得到陶瓷膜片，一般膜片的厚度在10um-30um之間。

3、印刷

按照工藝要求，通過(guò)絲網(wǎng)印版將內(nèi)電極漿料印刷到陶瓷膜片上。

4、疊層

把印刷有內(nèi)電極的陶瓷膜片按設(shè)計(jì)的錯(cuò)位要求，疊壓在一起，使之形成MLCC的巴塊（Bar）。

5、制蓋

制作電容器的上下保護(hù)片。疊層時(shí)，底和頂面加上陶瓷保護(hù)片，以增加機(jī)械強(qiáng)度和提高絕緣性能。

6、層壓

疊層好的巴塊（Bar），用層壓袋將巴塊（Bar）裝好，抽真空包封后，用等靜壓方式加壓使巴塊（Bar）中的層與層之間結(jié)合更加緊密，嚴(yán)實(shí)。

7、切割

層壓好的巴塊（Bar）切割成獨(dú)立的電容器生坯。

8、排膠

將電容器生坯放置在承燒板上，按一定的溫度曲線（高溫度一般在400度℃左右），經(jīng)高溫烘烤，去除芯片中的粘合劑等有機(jī)物質(zhì)。

9、燒結(jié)

排膠完成的芯片進(jìn)行高溫處理，一般燒結(jié)溫度在1140℃~1340℃之間，使其成為具有高機(jī)械強(qiáng)度，優(yōu)良的電氣性能的陶瓷體的工藝過(guò)程。

10、倒角

燒結(jié)成瓷的電容器與水和磨介裝在倒角罐，通過(guò)球磨、行星磨等方式運(yùn)動(dòng)，使之形成光潔的表面，以保證產(chǎn)品的內(nèi)電極充分暴露，保證內(nèi)外電極的連接。

11、端接

將端漿涂覆在經(jīng)倒角處理的芯片外露內(nèi)部電極的兩端上，將同側(cè)內(nèi)部電極連接起來(lái)，形成外部電極。

12、燒端

端接后產(chǎn)品經(jīng)過(guò)低溫?zé)Y(jié)后才能確保內(nèi)外電極的連接。并使端頭與瓷體具有一定的結(jié)合強(qiáng)度。

13、端頭處理

表面處理過(guò)程是一種電沉積過(guò)程，它是指電解液中的金屬離子（或絡(luò)合離子）在直流電作用下，在陰極表面還原成金屬（或合金）的過(guò)程。電容一般是在端頭（Ag端頭或Cu端頭）上鍍一層鎳后，再鍍層錫。

14、外觀挑選

借助放大鏡或顯微鏡將具有表面缺陷的產(chǎn)品挑選出來(lái)。

15、測(cè)試

對(duì)電容產(chǎn)品電性能方面進(jìn)行選別：容量、損耗、絕緣、電阻、耐壓進(jìn)行100%測(cè)量分檔，把不良品剔除。

16、編帶

將電容按照尺寸大小及數(shù)量要求包裝在紙帶或塑料袋內(nèi)。