近日迎來了華虹無錫項目舉行了首臺工藝設備搬入儀式。

華虹無錫集成電路研發和制造基地項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65/55納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。

華虹半導體（無錫）有限公司副總裁、華虹七廠廠長倪立華此前曾表示，華虹進入無錫后，無錫的通用半導體制造技術將從8英寸時代進入到12英寸時代，工藝技術能力將提升至55納米節點，而之前為0.13微米。

2017年8月，華虹半導體與無錫市政府及大基金簽訂了一份投資協議，三方將在無錫投資建設一座12英寸晶圓廠。據介紹，大基金向華虹注資9.22億美元，其中4億美元投給華虹半導體，持股18.94%；5.22億美元投給華虹無錫，持股29%。

2018年3月2日華虹無錫集成電路研發和制造基地項目舉行開工典禮舉行；4月3日，一期樁基工程啟動；7月21日，F1廠房首件鋼柱完成吊裝；8月12日，生產廠房首根桁架吊裝完成，項目進入施工新階段；12月21日實現主廠房結構封頂。實現當年開工，當年主廠房結構封頂。

項目計劃2019年下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝通線并逐步實現達產。