2018年下半，包括GlobalFoundries、聯(lián)電、中芯國際等主要全球晶圓代工廠相繼宣布退出10納米及其以下先進工藝研發(fā)競賽行列，相較之下，臺積電與Samsung Foundry(以下簡稱三星)不僅將7納米工藝先后導(dǎo)入量產(chǎn)，由二家公司技術(shù)藍圖比較，未來朝5納米與3納米工藝前進，DIGITIMES Research預(yù)估，3納米將成臺積電與三星下個重要決勝工藝。

臺積電認為在人工智能(AI)與5G帶動下，將驅(qū)動包括Mobile、HPC、IoT、Automotive等四大技術(shù)平臺持續(xù)成長，這也將成為未來臺積電營收年成長5~10%的重要動能。為在這四大技術(shù)平臺取得優(yōu)勢，臺積電除規(guī)劃將Mobile、HPC、Automotive核心運算芯片工藝往16FFC/12FFC、N7/N7+，乃至2020年上半才導(dǎo)入量產(chǎn)的5納米工藝集中，更將各工藝加以優(yōu)化，創(chuàng)造出多個平臺，并協(xié)助客戶升級，一方面滿足客戶需求，另一方面則是設(shè)下技術(shù)障礙，讓競爭者難以進入。

除依循摩爾定律，持續(xù)在微縮工藝技術(shù)投入研發(fā)外，三星亦在全空乏絕緣上覆硅(Fully Depleted Silicon On Insulator；FD-SOI)工藝多所著墨。三星規(guī)劃于2020年推出18納米FD-SOI工藝的18FDS+RF/eMRAM整合平臺，目標(biāo)鎖定以超低功耗與及時上市(time to market)為產(chǎn)品訴求的IoT與MCU市場，包括GlobalFoundries、聯(lián)電、中芯國際等晶圓代工廠于這些市場競爭將面臨許多挑戰(zhàn)。