集邦咨詢最新《2019 中國(guó) IGBT 產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場(chǎng)報(bào)告》顯示，2018 年中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為 153 億人民幣，相較 2017 年同比增長(zhǎng) 19.91%。受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，到 2025 年，中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 522 億人民幣，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 19.11%。

新能源汽車為最大市場(chǎng)

2012 年國(guó)務(wù)院頒布了《關(guān)于印發(fā)節(jié)能與新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》后，我國(guó)新能源汽車產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)公布的數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)新能源汽車的產(chǎn)量從 2013 年的 1.7 萬(wàn)輛增長(zhǎng)至 2017 年的 78 萬(wàn)輛，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá) 160.26%。

2017 年工信部印發(fā)《汽車產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃》，提出到 2020 年我國(guó)新能源汽車產(chǎn)量達(dá)到 200 萬(wàn)輛，2025 年達(dá)到 700 萬(wàn)輛。據(jù)此規(guī)劃發(fā)布的數(shù)據(jù)來(lái)看，從 2017 年到 2025 年，新能源汽車產(chǎn)量年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 16.95%。據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，截止 2018 年 6 月底，2018 年我國(guó)新能源汽車共生產(chǎn) 40.89 萬(wàn)輛，銷售 41.05 萬(wàn)輛，全國(guó)新能源汽車保有量達(dá)到 199 萬(wàn)輛。

由于新能源汽車中 IGBT 約占其成本的 10%，我們預(yù)計(jì)到 2025 年，中國(guó)新能源汽車所用 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 210 億人民幣，8年間累計(jì)新增市場(chǎng)份額達(dá) 900 億人民幣。

2015 年 11 月，工信部等四部委聯(lián)合印發(fā)《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南》通知，明確到 2020 年，新增集中式充換電站超過(guò) 1.2 萬(wàn)座，分散式充電樁超過(guò) 480 萬(wàn)個(gè)，以滿足全國(guó) 500 萬(wàn)輛電動(dòng)汽車充電需求。據(jù)中國(guó)充電聯(lián)盟數(shù)據(jù)，截至今年 7 月底，我國(guó)已建成充電樁約 66.2 萬(wàn)個(gè)，其中公共充電樁約 27.5 萬(wàn)個(gè)，私人充電樁約 38.7 萬(wàn)個(gè)。按照規(guī)劃需新建的充電樁超過(guò) 400 萬(wàn)個(gè)，市場(chǎng)空間巨大。

IGBT 模塊占到充電樁成本的 20% 左右，集邦咨詢預(yù)計(jì)到 2025 年，充電樁所用 IGBT 的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 100 億人民幣，8 年間累計(jì)新增市場(chǎng)份額達(dá) 300 億人民幣。

數(shù)據(jù)來(lái)源：集邦咨詢

國(guó)產(chǎn)產(chǎn)能供應(yīng)主要來(lái)自晶圓代工廠

晶圓代工廠的產(chǎn)能增量主要來(lái)源于新增 8 吋廠的產(chǎn)能釋放和現(xiàn)有廠商的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)改變。集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，目前我國(guó)在建的 8 吋廠共有 8 座，達(dá)產(chǎn)后總釋放產(chǎn)能超過(guò) 30 萬(wàn)片。由于工藝技術(shù)和產(chǎn)能上占有優(yōu)勢(shì)，未來(lái)幾年 Foundry 廠將持續(xù)是國(guó)內(nèi) IGBT 晶圓制造產(chǎn)能的主要提供者，F(xiàn)oundry 廠在這個(gè)領(lǐng)域的增長(zhǎng)空間巨大，且經(jīng)濟(jì)效益持續(xù)較為可觀。

而對(duì)于外資 IDM 廠商來(lái)說(shuō)，目前主要在模塊封裝環(huán)節(jié)布局，晶圓制造部分僅有德州儀器、萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體、羅姆半導(dǎo)體等幾家國(guó)際廠商布局。外資 IDM 產(chǎn)能增量主要來(lái)自于現(xiàn)有廠商的產(chǎn)能提升和在建廠的產(chǎn)能釋放，后續(xù)也不排除仍會(huì)有制造產(chǎn)線投資，但產(chǎn)能增量相對(duì)于內(nèi)資企業(yè)來(lái)講較小。

數(shù)據(jù)來(lái)源：集邦咨詢

SiC 器件開(kāi)始規(guī)模替代 IGBT預(yù)計(jì)未來(lái)三年，電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)將導(dǎo)入 SiC 功率器件，進(jìn)一步拓寬量產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域。目前比亞迪、特斯拉等廠商已經(jīng)在電動(dòng)車充電裝置中導(dǎo)入 SiC 功率器件。隨著 SiC 器件的價(jià)格不斷下行，將在一定程度上替代硅基 IGBT。

但對(duì)于 SiC 器件的發(fā)展目前不宜以過(guò)于樂(lè)觀的態(tài)度，由于 SiC 技術(shù)尚不完全成熟，而硅技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟且不排除創(chuàng)新的可能，因此我們判斷，2025 年以前功率器件仍以硅基為主。