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臺積電3納米建廠過關 三星另一頭猛放話

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:工程師李察 ? 2018-12-22 10:47 ? 次閱讀

在2018年臺積電的7納米工藝領跑三星后,三星不甘示弱地推出于2020年3納米工藝量產計劃,以超車臺積電。至此,先進工藝賽道呈現“你方未唱罷我已登場”的競爭態勢。

臺積電3納米廠通過環評 2022年底量產

根據19日***地區消息指出,晶圓代工龍頭臺積電預計斥資新臺幣6,000億元,于南科興建3納米廠的計劃已通過環境測評。

一直以來,臺積電對3納米量產時程處于保密狀態,除了防止“對手”的投資腳步,也是因為環評案未過關,避免橫生波折,如今隨著3納米環評案通過,臺積電可順利興建晶圓18廠第四到六期新廠。

按照原本臺積電的規劃,這座3納米廠將在2020年建廠,2021年試產、2022年量產,將會鎖定AI人工智能芯片以及高運算效能的芯片代工廠。

三星、臺積電晶圓代工爭雄

另一方面,三星這邊也已“放話”,目前旗下的3納米廠已經完成相關認證,目前正在進行相關工藝的優化中,預計在2020年正式量產。倘若如期實現量產,這將會比臺積電計劃量產的2022年還要早兩年,似乎IC江湖又將掀起一場“鏖戰”。

據IC insights數據顯示,2018年全球芯片代工市場出現了顯著的改變,三星的市場份額由2017年的6%提升至2018年14%,同比上升133.3%,成為前五大芯片代工企業當中上升最快的。在資本與技術拉高進入門檻下,隨著Global Foundries的退場、代工并非本業的英特爾傳出放棄代工業務,7納米以下先進工藝代工戰場已成為臺積電、三星晶圓代工雙雄對戰。

目前臺積電在2018年第2季度就搶先進入7納米時代,至年底設計定案(Tape out)逾50個,7納米EUV工藝也準備就緒,5納米將在2019年第2季如期進行風險試產,2020年正式量產,南科廠區已開始移入機臺,而3納米工藝則通過環評階段,另外,臺積電也再度重啟布局供需吃緊的8吋工藝。

相比之下,三星先前雖大動作宣布最新工藝大計,將直接推出采用EUV技術的7納米LPP工藝,現已研發完成,將進入商用化階段,不過,除三星自身產品外,并未見重要客戶大單落袋,目前蘋果2019年A13芯片仍是由臺積電獨家代工。

不過,近日IBM宣布其最新Power處理器將由三星7納米工藝打造。其實,IBM與三星已有數年技術的合作,自2015年起IBM就宣布其IBM Research Alliance含括三星在內,并共同生產第一批用EUV技術打造的7納米測試芯片,其他也包括首個用于5納米以下的NanoSheet Device、High-K/Metal Gate。

競爭“轉場” 三星、臺積電封裝大比拼

除了在晶圓代工工藝上的較量,三星與臺積電也在封裝技術上比拼。此前,臺積電、三星分食的蘋果A9處理器發生“芯片門”事件后,后續的A10、A11、A12處理器均由臺積電獨家代工。

為搶回被臺積電借由整合型晶圓級扇出封裝(Integrated Fan-Out;InFO)綁定晶圓代工先進工藝所流失的蘋果iPhone應用處理器訂單,三星“斥巨資”投資面板級扇出型封裝(Fan-Out Panel Level Packaging;FOPLP)技術。

盡管目前三星電子尚未奪回蘋果AP大單,然近期三星電機已制訂出新的先進封裝計劃,加上三星在存儲器、面板產業全方位的垂直整合營運模式,將是半導體供應鏈不可忽視的競爭對手。

而臺積電方面,仍將持續堅持晶圓級工藝,包括進入量產的整合10納米邏輯芯片與存儲器的InFO-PoP,2018年底將通過驗證的整合型晶圓級扇出暨基板封裝(InFO_OS)、整合晶圓級扇出存儲器基板封裝(InFO_MS)等,將切入高效運算(HPC)、網通芯片應用市場。

知情人士透露,臺積電相關工藝均已有客戶導入,加上未來5G時代整合型晶圓級扇出天線封裝(InFO_AiP)等應用層面相當廣泛,新時代InFO將會陸續商品化。

隨著半導體先進工藝推進,5納米、甚至3納米的藍圖的大致確立,然而摩爾定律勢必會面臨工藝微縮的物理極限,面對AI時代對于芯片算力的要求越來越高,加上整合存儲器的異質整合趨勢,未來先進封裝技術將會是下一個戰場。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:【IC制造】誰能笑傲IC江湖?臺積電3納米建廠過關 三星另一頭猛放話

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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