先進(jìn)3D NAND存儲(chǔ)器芯片的深度技術(shù)分析和成本對(duì)比報(bào)告據(jù)麥姆斯咨詢介紹，不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)電子和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)正在加速對(duì)更高容量、更可靠的儲(chǔ)存器需求。這使得2016至2018年期間，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收從770億美元增長(zhǎng)到1770億美元。3D NAND閃存制造商發(fā)現(xiàn)：既要滿足上述市場(chǎng)對(duì)更高存儲(chǔ)容量和可靠性的需求，同時(shí)還要降低每比特（bit）成本，是一項(xiàng)不小的挑戰(zhàn)。

每家制造商實(shí)施不同的技術(shù)手段，改變存儲(chǔ)類型和存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)，并在每一代產(chǎn)品中堆疊更多層，以增加比特密度，減小芯片尺寸。存儲(chǔ)單元架構(gòu)的技術(shù)變化和基本存儲(chǔ)器特征的改變，增加了制造工藝的復(fù)雜性。然而，這些技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。

這些存儲(chǔ)器產(chǎn)品來自東芝（Toshiba）/閃迪（SanDisk）、三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和英特爾（Intel）/美光（Micron）。我們的分析基于對(duì)3D NAND閃存拆解與制造工藝分析，揭示了制造商采用的技術(shù)。此外，本報(bào)告還明確了供應(yīng)鏈中的其它參與者。所以，我們根據(jù)上述信息可以預(yù)估內(nèi)存晶圓和裸片的成本。

本報(bào)告研究的主要廠商及其3D NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)品（樣刊模糊化）本報(bào)告對(duì)最新3D NAND裸片進(jìn)行研究，包括對(duì)芯片橫截面和制造工藝的深度剖析，詳細(xì)介紹了物理結(jié)構(gòu)，突出了存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)和存儲(chǔ)類型。同時(shí)，我們將存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)與相關(guān)的專利進(jìn)行匹配。

3D NAND存儲(chǔ)器芯片逆向分析圖示最后，本報(bào)告對(duì)所研究的3D NAND存儲(chǔ)器進(jìn)行了詳盡的對(duì)比分析，以突出了它們之間相似點(diǎn)、不同點(diǎn)和對(duì)成本的影響。

先進(jìn)3D NAND存儲(chǔ)器芯片對(duì)比分析（樣刊模糊化）

先進(jìn)3D NAND存儲(chǔ)器物理分析（樣刊模糊化）

先進(jìn)3D NAND存儲(chǔ)器芯片成本對(duì)比分析（樣刊模糊化）