自上世紀90 年代以來， 隨著LED 顯示技術設計制造水平的不斷提高，LED 數字屏逐漸在生產和生活中大量使用，LED 數字屏以其特有的顯示介質， 在大面積， 全天候， 高亮度和超高亮度顯示屏領域凸現優勢。LED 顯示技術發展的十幾年中， 新器件和新技術不斷采用， 制造成本逐漸降低， 生產分工不斷細化， 但大量應用的同時也暴露出LED 顯示技術的若干缺陷， 總體上技術尚未成熟， 標準尚未完全建立， 有許多方面值得進行更深入的研究與改進。

隨著大規模集成電路的迅猛發展， 微處理器的運算、控制能力大大增加， 單片計算機已在很多工業及民用系統中承擔智能化的任務， 與迅猛發展的運算速度相比， 其端口擴展能力則遜色得多（ 數目有限且擴展困難）， 因此研發過程中不得不在節省端口上投入大量精力， 目前國內為解決端口擴展問題可采用軟件處理的方式，這樣加重了軟件編寫的難度，或采用擴展端口的專用芯片。這兩種方法將引起軟件成本的提高或硬件電路復雜度的提高，不利于一些小型系統的研發，STC12C5A60S2單片機具有多種串行傳輸模式， 在一定程度上解決了這個矛盾。

LED 數字屏應用非常廣泛， 不僅能顯示文字， 還能顯示各種圖形、圖表， 甚至各種動畫效果， 是廣告宣傳、新聞傳播的有力工具。

本文采用STC12C5A60S2 單片機、接口NAND 閃存和上位PC 機，實現了對16×128 點陣LED 數字屏的控制。

1 芯片選型

1.1 屏體

由于屏體是商業成品， 因此系統芯片的選型首選為能與屏體配合的芯片。屏體自備電源， 能直接將蓄電池的能量轉變為5 V 的直流電源， 并且這個電源也通過屏體的接口電纜輸出到系統板上。因此系統可直接引用該電源， 不必自備電源電路。

1.2 單片機

綜合考慮屏體和系統需求， 選用國內宏晶科技生產的單時鐘/機器周期（1T） 的單片機STC12C5A60S2。

STC12C5A60S2 是新一代高速8051 單片機， 其指令代碼完全兼容傳統8051, 但速度快8~12 倍。內部集成MAX810 專用復位電路， 其工作電壓范圍是3.5 V~5.5 V,滿足要求的電壓。由于是單周期的8051 （ 傳統8051 是12 周期）， 可選擇較易于獲得準確波特率的11.059 2 MHz晶振， 而不必擔心工作速度降低。

STC12C5A60S2 有60 KB 的用戶應用程序空間，256 B的RAM 和1024 B 的XRAM.能滿足程序代碼的需求和緩沖區定義的需求。另有與程序存儲空間獨立的一片閃存區域， 可在應用編程中作EEPROM 使用。

STC12C5A60S2 有雙UART 以及ISP 串口， 串口資源足夠系統使用。另外通過宏晶科技提供的軟件， 使用UART 可很容易地實現程序下載。STC12C5A60S2 有36個通用I/O 口， 大部分可位控， 并具有強推挽輸出的能力， 足夠系統使用。

STC12C5A60S2 有4 個16 bit 定時器和一個獨立的波特率發生器， 另外還有兩個PCA 模塊， 能獲得豐富的定時器資源。STC12C5A60S2 有PDIP-40 封裝的芯片， 易于快速進入實驗。

1.3 閃存

因為16 ×16 點陣的漢字庫容量在250 KB 左右， 而MCS51 的尋址空間只有64 KB.接口大于64 KB 容量的普通存儲芯片就必須進行總線擴展， 采用兩次鎖存地址的方法來讀寫， 既需要復雜的電路， 又占用較長的存取時間。同樣，NOR 閃存與EPROM 的引腳結構相類似， 有同樣的接口復雜性， 成本也十分高。要實現單片機與字庫芯片的簡單接口（ 不需擴展） , 只能選用串行結構的存儲器或命令、地址和數據復用總線結構的存儲器。

串行結構的存儲器多為EEPROM, 沒有很大的容量， 不適合做字庫芯片。因此只有選用命令、地址和數據復用總線的NAND 閃存作為字庫存儲芯片。

字庫所需的容量不大， 但最好能5 V 供電， 且編程的緩存要求較小的芯片。SAMSUNG 公司出品的K9F4008W 是一款512 KB 的NAND 閃存， 僅有8 個IO端口， 且工作電壓范圍較廣（3 V~5.5 V）， 可以兼容3 V 和5 V 的硬件系統， 并且幀編程時僅需要32 B 的緩沖， 正適合作為字庫存儲的芯片。

因此， 閃存芯片的可電擦寫特性頁非常適用于需要更換字庫的場合。故該芯片是十分理想的漢字庫存儲器。

2 電路設計

根據系統整體結構設計的電路的原理圖如圖1 所示。

3 總體設計

3.1 屏體接口模塊

屏體接口包括屏體接口頭文件、屏幕緩沖區的定義、屏體接口初始化、刷新定時器中斷服務程序和SPI中斷服務程序幾個部分。

屏體接口的頭文件screen.h 應該使屏幕緩沖區對其他應用可見， 并提供屏體初始化函數。具體定義如下：

#ifndef _SCREEN_H_

#define _SCREEN_H_

#include "inc\board.h"

extern u8 xdata SCR_BUF[16][16];

void screen_init（void）；

#endif

這樣就把屏幕緩沖區的結構暴露給應用， 但應用不必關心具體的屏幕刷新操作。

具體屏體接口的實現集中在一個文件screen.c 中定義。具體如下：

首先是屏幕緩沖區定義：

u8 xdata SCR_BUF[16][16]_at_0x0000;//~0x00ff 256Bytes其次是當前顯示行和輸出列變量定義， 屬于靜態變量， 應用程序不可見。

static u8 data row,col;

然后是屏幕初始化， 包括刷新定時器0 的初始化、SPI 的初始化、鎖存bLatch 信號的初始化、屏幕緩沖區的初始清零以及定時器和SPI 中斷的優先權和使能位的初始化代碼略。

SPI 和定時器0 的中斷服務程序是屏體接口的關鍵。

定時器0 的中斷服務程序首先進行掃描行增量取模運算，并將掃描行輸出。然后依據掃描行取出屏幕緩沖區對應行的第一個字節發送到SPI 端口。同時列增量。

void display_one_screen（void）interrupt 1 using 3{

row = （++row）&0x0f;

P0 = （P0 & 0xf0）|（（~row）& 0xf）；

col = 0;SPDAT = ~SCR_BUF[row][col++];

}

這樣編寫的屏體驅動， 應用只要在初始化屏體后，向屏幕緩沖區中寫入要顯示的數據即可， 而不必關心屏幕顯示的細節。

3.2 UART 接口

UART 接口負責與上位機的數據收發， 盡管發送可以同步進行， 但接收必須異步進行。因而UART 接口的核心仍然應該是一個中斷服務程序。

UART 接口的頭文件uart.h 隱藏了接收緩沖區的信息， 用戶可調用的函數只有初始化、發送和接收。

#ifndef _UART_H_

#define _UART_H_

void uart_init（void）；

void uart_put_c（u8 ch）；

u8 uart_get_c（u8 *）；

#endif

UART 的接口實現首先定義一個接收緩沖FIFO, 以及對FIFO 的讀下標uart_rd 和寫下標uart_wr, 他們都是文件內可見的靜態變量：

static u8 xdata uart_buf[64];

static u8 uart_rd,uart_wr;

bit fSend

UART 的初始化包括進行FIFO 的初始化和UART格式、波特率、中斷的初始化。代碼略。

UART 的ISR 主要是服務于接收， 無條件地將數據裝入FIFO, 并調整寫入指針。

static void uart_isr（void）interrupt 4 using 1{

if（RI）{RI = 0;

uart_buf[uart_wr++] = SBUF;

uart_wr &= 0x0f;

}

}

提供給用戶的發送程序首先檢測發送結束標記， 如果為0, 表示上次發送尚未結束， 直接返回錯誤信息1。

否則將要發送的信息發送并清零發送結束標記。這樣設計的發送程序， 其目的是將發送等待不限制在接口底層， 而是給上層一個決定是否等待發送結束的機會。

u8 uart_put_c（u8 ch）{

if（！ TI）return 1;

TI = 0;SBUF = ch; return 0;

}

同樣， 接收程序也給上層一個選擇等待的機會。接收函數首先判斷接收FIFO 是否為空， 如果為空或輸入指針參數錯誤， 則直接返回錯誤， 否則才從FIFO 中讀取數據并將數據存儲到指針指向的地址， 然后返回成功。

u8 uart_get_c（u8 *ch）{

u8 i;

if（！ ch）return 1;

if（（i = （uart_rd+1）&0x0f） == uart_wr）return 1;

uart_rd = i; *ch = uart_buf[i];return 0;

}

3.3 閃存接口

閃存的存取有特殊的時序， 閃存的內部結構也和具體應用要求有很大的不同。因此閃存的接口需要仔細設計。

K9F4008 閃存芯片的存儲結構組織如圖2所示。

K9F4008 閃存的存儲以塊為單位， 每個芯片共有128 塊。每塊有32 行， 每行有4 個幀， 每幀含有32 B.全部芯片為512 KB。

閃存接口提供的閃存初始化函數中就包括對這樣情況的處理。初始化函數要從閃存的第一個塊中讀出一個塊映射表， 該表下標是邏輯扇區， 表內每項存儲的是該邏輯扇區對應的物理塊編號。初始化函數在必要時對閃存進行讀寫校驗， 然后將壞塊從表中刪除。再尋找新的良好塊， 將其編號填入到對應邏輯扇區的表項中。這樣對應用來說， 只見到連續的扇區編號， 而不知道扇區究竟對應到那個塊。

閃存的接口頭文件flash.h 如下：

#ifndef _K9F4008_H_

#define _K9F4008_H_

void read_log_page（u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf）；

u8 prog_log_page（u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf）；

void erase_log_blk（u8 sector）；

bit flash_init（void）；

#endif

實現閃存的接口， 首先就是依據說明書的時序定義閃存的基本操作。這里是以宏定義實現基本操作的。

#define W_CMD（cmd_）\

bCLE=1; bWE=0; P2=（cmd_）； bWE=1; bCLE=0

#define W_ADDR（addr1_,addr2_,addr3_）\

bALE=1; bWE=0; P2=（addr1_）； bWE=1; \

bWE=0; P2=（addr2_）； bWE=1; \

bWE=0; P2=（addr3_）； bWE=1; \

bALE=0

#define W_DAT（dat_） bWE=0; P2=（dat_）； bWE=1

#define wait_RB while（！ bRB）

#define l2p（x_） fat_tbl[（x_）]

3.4 EEPROM

內部集成的EEPROM 是與程序空間分開的， 利用ISP/IAP 技術可將內部DATAFLASH 當EEPROM,擦寫次數10 萬次以上。EEPROM 可分為若干個扇區， 每個扇區包含512 B.使用時， 建議同一次修改的數據放在同一個扇區， 不是同一次修改的數據放在不同的扇區， 不一定要用滿。數據存儲器的擦除操作是按扇區進行的。

sfr IAP_DATA = 0xC2; //Flash data register

sfr IAP_ADDRH = 0xC3; //Flash address HIGH

sfr IAP_ADDRL = 0xC4; //Flash address LOW

sfr IAP_CMD = 0xC5; //Flash command register

sfr IAP_TRIG = 0xC6; //Flash command trigger

sfr IAP_CONTR = 0xC7; //Flash control register

根據使用說明對EEPROM 的寄存器進行定義。