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鎂光bx200評(píng)測(cè) 史上最差勁的固態(tài)硬盤

454398 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-09-05 15:08 ? 次閱讀

閃存大廠美光一直在談?wù)撟约旱腡LC NAND閃存顆粒,但一直沒有投入實(shí)用,直到今天,旗下消費(fèi)品牌Crucial(英睿達(dá))終于帶來了首款TLC固態(tài)硬盤“BX200”。

BX200采用了美光今年六月份宣布的16nm TLC閃存顆粒,單Die容量為128Gb(16GB),而此前BX100使用的是16nm 128Gb MLC。容量提供240GB、480GB、960GB三種。

BX200還是用了新的主控慧榮Slicon Motion SM2256,支持更高級(jí)的LPDC糾錯(cuò),也是TLC SSD的必備技術(shù)。

造型還是2.5寸規(guī)格,7毫米厚度,SATA 6Gbps接口,但是性能指標(biāo)除了隨機(jī)讀取之外反而比BX100整體還有所提升,持續(xù)讀寫540、490MB/s,隨機(jī)讀寫66000、78000 IOPS,而壽命保持不變,終生寫入量還是72TB,并繼續(xù)提供三年質(zhì)保。

Crucial官網(wǎng)已經(jīng)開賣,價(jià)格那也是相當(dāng)實(shí)惠:240/480/960GB分別要84.99/149.99/299.99美元,約合人民幣540/950/1900元。

這比起當(dāng)前流行的一線品牌SSD可以說相當(dāng)驚喜,大量鋪貨后再降降價(jià),有望成為絕對(duì)的高性價(jià)比神器。難道終于要復(fù)刻m4神話了?

別急,我們看看實(shí)測(cè)性能(來自AnandTech),但是大家也看到題目了,請(qǐng)先深呼吸。

【持續(xù)/隨機(jī)讀寫性能:無比丟人】

持續(xù)讀取速度485MB/s,雖然不如標(biāo)稱但也湊合,屬于主流檔次,當(dāng)然相比BX100 522MB/s是差多了。

功耗也高了一半,但整體仍然是較低水平。

在高隊(duì)列深度下,其實(shí)能達(dá)到SATA 6Gbps接口的極限呢,功耗也不錯(cuò),480GB還越來越低了。

剛剛開了個(gè)好頭,持續(xù)寫入就完了,最高還不到90MB/s的速度順利取代OCZ Trion 100,成為最慢的一個(gè),就算是后者也有150MB/s左右呢。

剛好反而上去了。

上邊的曲線其實(shí)是功耗,很搞笑吧。

不足45MB/s的隨機(jī)讀取速度又一次墊底,OCZ Trion 100的難兄難弟。

功耗中檔,不過也高于Trion 100。

性能歲隊(duì)列深度加大而穩(wěn)步提升,但起點(diǎn)實(shí)在太低了,近乎為零,結(jié)果最高也不到300MB/s。

隨機(jī)寫入繼續(xù)副班長,960GB才跑出76MB/s,480GB竟然只有不到60MB/s。Trion 100還超過了100MB/s。

功耗依然不低。

這一次,無論隊(duì)列深度如何,性能都不肯上去了,功耗反倒是越來越高。

【混合讀寫性能:繼續(xù)汗顏】

混合持續(xù)讀取:讀取中庸,寫入廢柴,綜合起來依然完敗,150MB/s左右。MX200 250GB雖然也不行,但是至少500GB的還湊合。

功耗還是那么高,960GB都逆天了。

果然是寫入比例越大,性能越差。

混合隨機(jī)寫入:480GB的只比850 EVO M.2 120略好一點(diǎn)點(diǎn),960GB的高了一些但也不咋地。

功耗還是高水準(zhǔn)。

隨機(jī)讀寫性能差不多,所以混合起來也比較均勻。

兩種容量的ATTO性能都很詭異,讀取挺好都超過了550MB/s,而寫入簡(jiǎn)直是瘋了般忽高忽低,根本無法穩(wěn)定下來。

不可壓縮持續(xù)讀取性能:這個(gè)倒是沒啥,不過大家基本都一樣。

不可壓縮持續(xù)寫入性能:仍然處于下游,960GB的更低。

【高中低負(fù)載測(cè)試:太血腥了】

以下是AnandTech自創(chuàng)的測(cè)試套裝,分極高、高、低三種負(fù)載水平。具體成績就不廢話了,因?yàn)閷?shí)在沒啥可說的……

【性能一致性測(cè)試:上躥下跳】

有了前邊的鋪墊,這個(gè)也沒啥可指望的,結(jié)果還真是。穩(wěn)定狀態(tài)的4K隨機(jī)寫入性能還不足2000 IOPS。

隨機(jī)寫入一致性……

隨時(shí)間變化的4K隨機(jī)寫入更能說明問題:開始的瞬間高高在上,完全符合標(biāo)稱,隨后幾分鐘里就像個(gè)入門級(jí)SSD也認(rèn)了,但緩存和冗余空間耗盡后就徹底凌亂了。

偶爾升至9000 IOPS或者20000-25000 IOPS,但大部分時(shí)候只有200-700 IOPS。這是什么水平?也就比機(jī)械硬盤好一點(diǎn)!

【待機(jī)功耗、TIRM、總結(jié)】

由于不支持DevSlp深度休眠,待機(jī)功耗是相當(dāng)高的,僅次于OCZ Vector 180,是一般產(chǎn)品的十幾倍。

TRIM再不正常就瘋了。

總結(jié):

美光曾經(jīng)以m4的神話獨(dú)步天下,但此后日漸沉淪,推出的一系列固態(tài)硬盤都沒什么特色,無論性能價(jià)格都很平庸。

接下來就是TLC的時(shí)代了,美光也終于邁出了自己的腳步,但即便都知道TLC性能相對(duì)較差,第一款產(chǎn)品沒經(jīng)驗(yàn)怎么都可以原諒,也實(shí)在沒想到BX200會(huì)是這么個(gè)樣子。

除了持續(xù)讀取速度還算過得去,持續(xù)寫入和隨機(jī)讀寫都慘得沒法看,性能一致性也極其差勁,說它是史上最差勁的固態(tài)硬盤也并不為過。

目前還不清楚到底出了什么問題。希望不是美光16nm TLC閃存本身的毛病,否則麻煩就大了。或許是固件完全沒有優(yōu)化到位吧,那接下來的工作就是徹底重寫了。

這也讓BX100根本就沒有升級(jí)的必要了,它依然是當(dāng)前最好的入門級(jí)SSD之一,而且還是MLC閃存喲,但是美光計(jì)劃迅速淘汰BX100,只是這樣的繼任者誰能接受呢?

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