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300億美元!Yole預測RF產值2017年到2023年復合成長率達14%

章鷹觀察 ? 來源:新電子 ? 作者:新電子 ? 2018-07-30 09:26 ? 次閱讀
中興通訊在前段時間遭遇美國商務部制裁,禁止采購美國芯片,有工程師專家分析,中興通訊被禁止采購的并非是高通芯片而是射頻芯片,光電通信芯片(國產只能做到10gb/S,市場占有率只有1%,主要的供應商有華為、紫光,海信,??低?/u>,但美國博通和日本三菱可以做到100gb/s)。射頻芯片對5G的發展也是尤為重要。

5G時代即將來臨,電信設備業者、芯片大廠以及手技制造商紛紛展開技術研發,以因應下世代通訊發展。過去幾年LTE技術持續發展,帶動行動裝置的射頻前端(RF front-end, RFFE)模組市場成長。而5G NR非獨立式(NSA)標準出爐后,更進一步提升濾波器(Filters)、低雜訊放大器(LNA)與天線交換器(Switch)等模組需求。Yole Développement預估,整體RFFE模組市場產值將在2023年突破300億美元。

LTE技術演進掀起RFFE模組市場第一波熱潮,不過2017年底5G NR NSA標準出現,才是驅動RFFE市場大幅成長的主因。5G NR NSA在架構上采用4G/5G聯合組網,并引入雙連結(Dual Connectivity)技術確保設備能同時使用兩個基地臺的無線資源,也促使RFFE技術復雜度以及元件需求向上提升。根據市調機構Yole發布的報告,RFFE模組市場2023年市場產值達352億美元,2017~2023年復合成長率(CAGR)為14%。

Yole電源與無線連接部門總監Claire Troadec表示,并非所有RFFE元件市場都會有一致性的成長。其中,市場占比最大的濾波器市場,2017~2023年間有望達到3倍的成長率,是所有RFFE元件成長幅度最大者。Troadec進一步分析濾波器市場成長原因,主要是受到高階體聲波(BAW)濾波器所驅動。高階BAW濾波器因在5G NR高頻段區域仍可維持良好的效能,市場滲透率不斷提升。

伴隨著高整合性的功率放大器(Power Amplifier, PA)模組與分集模組(Diversity Module)需求逐漸攀升,將連帶提高低雜訊放大器的市場產值,Yole預估LNA市場2017~2023年CAGR將達到16%;此外,4×4多輸入多輸出(MIMO)天線架構使得RFFE系統設計更為復雜,進而帶動RFFE分集交換器的市場需求,其CAGR亦將達到16%。

根據該報告,功率放大器將成為這波成長趨勢下,市場唯一呈現持平狀態的RFFE元件。其中,高階LTE PA在高頻段以及超高頻段的市場成長,正好彌補其在2G/3G市場的萎縮。目前2G/3G市場主要由多模多頻功率放大器(MMMB PA)所主導,MMMB PA整合度高因而降低周邊元件用量。

法國半導體逆向工程顧問公司System Plus Consulting經理Stéphane Elisabeth表示,2018年對于RFFE模組供應商而言將是全新的一年,而這也可能成為部分OEM廠的轉機。Elisabeth根據其觀察進一步說明,2017年時是否選用雙工器功率放大器模組(PAMiDs),明顯區分出高階與中階智慧型手機,而隨著各廠陸續投入5G通訊技術開發,未來高階與中階智慧型手機的效能差距將越來越大;高階OEM廠也正積極開發將更多元件整合進單一裝置的技術,創造更多印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB)空間以容納5G所需的元件。

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