作為中國三大儲存芯片巨頭之一，并致力于專注移動式內存的合肥長鑫來說，7月16日無疑是非常重要的一天，合肥長鑫發布首個中國自主研發的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并計劃將于2018年年底推出工程樣品，這是國產DRAM產業的一個里程碑。

同時，就在合肥長鑫即將進入量產的關鍵時間點上，兆易創新原董事長朱一明，宣布辭去兆易創新CEO，由原王寧國手上正式接任合肥長鑫存儲及睿力CEO。此人事變動似乎也宣告，合肥長鑫存儲及睿力從王寧國核心團隊為主導的建廠草創期，進入以設計研發量產為主導，邁入下一個階段。

如今看來關于LPDDR4芯片的研發正在按步就班地進行中，還有一年的試生產期與計劃節點正好對得上。踏實的研發進度，是比8Gb LPDDR4投片更值得高興的消息。

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國產DRAM跨出重要一步

國內目前有三大存儲芯片基地，紫光主導的長江存儲以武漢為基地，主要生產3D NAND閃存，預計明年正式投產32層堆棧的64Gb閃存，選擇DRAM內存芯片作為重點的有兩大陣營，福建晉華集團聯合臺聯電在晉江建設DRAM晶圓廠，此前與美光發生專利糾紛導致美光芯片被福州法院禁售的就是與聯電、晉江投資集團有關。

另一個DRAM基地是合肥長鑫，這個項目最初報道說是跟前日本爾必達董事長成立的公司合作，不過后者現在幾乎淡出，合肥長鑫現在的合作方是兆易創新，去年10月份兆易創新宣布斥資180億元進軍DRAM市場，與合肥市產業投資控股有限公司合作，目標是研發19納米工藝的DRAM內存，預計在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%。

合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元（495億人民幣），項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠，建成后月產能為12.5萬片晶圓，安徽商報表示這個產能將占到全球DRAM內存產能的8%。

此外，合肥兆鑫CEO王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。

根據計劃，合肥長鑫將于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17納米技術的研發。

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行業高度壟斷 三星、海力士、美光獨占鰲頭

從市場情況來看，據集邦咨詢的數據，2018年第一季存儲器三大廠商三星、海力士、美光在DRAM產業的市占率分別為44.9%、27.9%、22.6%，合計共占95.4%的市場份額。

三星依然穩坐DRAM產業龍頭，第一季營收再度創下歷史新高達103.60億美元，較上季成長2.9％。路透社的報道稱三星每出售一美元的DRAM芯片，就會獲得70美分的營業利潤。

海力士第一季營收達64.32億美元，較前季成長2.2％。美光今年上半年持續扮演市場中的價格領導者，價格上漲幅度高于其他兩家韓廠，第一季價格上揚幅度超過10％，帶動營收達52.13億美元，季增14.3％。

美光集團仍舊維持第三，但今年上半年美光持續扮演市場中價格領導者角色，價格漲幅高于三星、海力士。一季度美光DRAM價格上漲幅度超過10％，帶動營收達52.13億美元，季增14.3％，市占率較前一季提升約2個百分點。

從產品技術上而言，國產內存極有可能會面臨著出生即落后的境遇。就在昨天，三星宣布了8Gb LPDDR5內存顆粒的正式量產。內存三巨頭在DDR5、GDDR6的技術積累已經基本完成，產業布局也更為成熟。

相較而言，國產19納米和17納米級DRAM制程工藝還有一定差距，DRAM芯片在功耗、良率、速度、納米制程工藝小型化方面有待提高。三星稱，第二代10納米級工藝產能進一步提升，達到30%；第二代8Gb DDR4芯片的產能比第一代提高30%，而且，第二代10納米級芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

在可以預期的2-3年內，由于制程與產能的雙重落后，國產內存在短期內很難對國際DRAM市場格局造成影響。但從長期來說，國產存儲芯片的大規模投產一定會對市場格局造成沖擊。

從知識產權角度來看，未來國產內存發展壯大，須自主創新，獲取產業專利權，這樣打入國際市場才有話語權，如果一味地靠獲取外資專利授權，從長遠利益角度考慮，是不可取的。如LED、新能源等產業領域，上游核心技術很大一部分都是花錢買技術。

結語：中國作為集成電路消費和生產大國，國產DRAM芯片投產在一定時間內可提高市占率，但短期還無法撼動韓日巨頭市場地位，8Gb LPDDR4 DRAM芯片的推出可以有效擺脫對海外的依賴。同時，通過美光被調查事件，可以說明國家對國產芯片非常重視。