聯電3日公告,大陸福州中級人民法院對美光提出禁止令,要美光在與聯電專利侵權訴訟期間,停止美光半導體(西安)及美光半導體(上海)各12項及17項產品生產及銷售。
美商美光是全球第三大記憶體廠,據悉,美光大陸業務占比超過五成。近期美中貿易大戰持續升溫,福州中級人民法院此時對美光發出產品禁產禁銷令,市場揣測可能是大陸官方藉由削弱美國指標企業來制衡美方。對此,聯電財務長暨發言人劉啟東表示,目前案件仍在訴訟中,聯電無法對此置評。
臺廠發展記憶體,多需仰賴國際大廠技術授權,美光曾是臺塑集團發展DRAM的技術伙伴,之后收購雙方合資的華亞科。聯電此次在與美光專利訴訟案先馳得點,凸顯臺廠在記憶體專利開發能量獲肯定。至截稿前,無法取得美光回應。
劉啟東表示,聯電與美光在大陸的專利侵權訴訟仍進行中,福州市中級人民法院為防止未來調查期間,聯電在專利權方面的權利可能持續受到侵害,因此先在案件調查期間提出禁止令,但不代表聯電在專利訴訟中勝訴。
此次福州市中級人民法院公布的主要內容提到,美光半導體(西安)公司立即停止制造、銷售、進口鉑勝運動Ballistix鉑勝臺式內存DDR4 2400 8G等12項產品;美光半導體銷售(上海)公司立即停止銷售、進口Crucial英睿達DDR4 2400 8G等17項產品。另外,廈門市思明區信通源電腦經營部立即停止銷售Crucial英睿達MX300 2.5英吋SSD 525GB固態硬碟芯片。
美光3日ADR一度下跌逾1.7%,隨即拉至平盤附近,聯電ADR早盤也在平盤附近震蕩。
聯電與美光之間的專利訴訟,起源于***美光何姓和王姓二名員工先后跳槽聯電,由于聯電計畫與大陸福建晉華科技合作生產32納米DRAM,***美光認為何、王兩名員工盜取機密技術資料,去年2月在***對聯電提出告訴,并于去年9月也在美國對聯電提起同案專利訴訟。
聯電今年1月開始反制,在大陸對美光提出三款產品侵權,也就是昨日福州市中級人民法院做出禁止令的案件。
前程提要:聯電在國內對美光提起 3 起訴訟!
今年年初,聯電分別向福州市中級人民法院遞狀,對美光半導體(西安)、美光半導體銷售(上海)、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技等公司提起 3 起訴訟,請求賠償金額總計人民幣 2.7 億元。
此外,聯電請求法院判令相關被告停止制造、加工、進口、銷售、許諾銷售被訴侵權產品之行為,并銷毀全部庫存及相關模具與工具。
據悉,聯電不僅控告美光侵犯其多項專利,并主張美光制造、生產、銷售的 Crucial DDR4 2400 8G 筆記型電腦存儲器、Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB 固態硬盤與七彩虹 iGame1080 烈焰戰神 X-8GD5X 顯卡中的顯卡存儲芯片涉嫌侵害聯電在中國大陸的專利。
聯電表示,公司長期投入大量資源和人力,研發半導體制造技術,成果用于邏輯芯片或存儲器芯片(DRAM),歷年來已經在各國提出申請,并獲得多項專利,也不斷關注公司專利在市場上的狀況。而美光為國際知名公司,最近一年間對聯電動作頻頻,明顯將其與離職員工間之爭議,渲染為企業間的侵害行為,并在美國起訴聯電。而經過深入檢視,聯電發現美光公司在中國大陸銷售的產品,侵害了聯電的專利權,因此在中國大陸提出專利侵權訴訟,希望能獲得公正裁判。
美光和聯電斗爭白熱化,與大陸存儲密切相關
其實美光和聯電的競爭,就是中國想推自主DRAM和美光不想讓中國發展DRAM的矛盾。早兩年,聯電宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作,聯電接受晉華委托開發 DRAM 相關制程技術。有關聯電與晉華合作,***地檢署調查系由晉華提供三億美元資金采購研發設備,并依進度陸續支付聯電四億美元,開發成果雙方共有,整體技術完成后,再轉移到晉華進行量產。
因為福建晉華所深耕的DRAM,正是美光的核心產品所在,去年他們也在這個領域掙得盤滿缽滿,且國內是他們的重要市場,為此從某個角度看,他們不愿意看到國內在這方面的崛起,為此啟動了幾次的針對性訴訟。
去年12月11日,***電子時報引述行業人士報道,日前,美光科技公司在美國加州的一家聯邦地方法庭提交了訴狀,指控中國***的聯華電子以及下屬的福建省晉華集成電路公司盜用了自身的內存芯片技術。
據悉,這是美光科技罕見同時對***和大陸地區的半導體公司發起訴訟,表明其捍衛知識產權的決心。過去,***地區的半導體產業比較發達,美國公司的訴訟往往針對***公司。
原告指控稱,美光科技的兩位前員工通過閃存盤盜取了公司的技術資料,然后交給了新東家聯華電子公司的高管,而聯華電子也計劃和旗下的福建晉華集成電路公司分享這些技術。
聯華電子否認了美光科技的指控,表示并未侵犯第三方公司的知識產權。
行業人士指出,美光科技的訴訟,不僅僅是保護知識產權,此外也準備利用法律訴訟作為武器,阻止中國公司開發自有的DRAM內存芯片技術。
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原文標題:【今日頭條】美光多款產品被大陸禁售 中美DRAM角力進入白熱化階段
文章出處:【微信號:ChinaAET,微信公眾號:電子技術應用ChinaAET】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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