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如何增加Cp、Rp以及TVS,提高隔離接口的ESD抗擾能力?

AGk5_ZLG_zhiyua ? 來源:未知 ? 作者:佚名 ? 2018-06-20 09:15 ? 次閱讀

隔離模塊應用于各類復雜的工業環境中,以提升總線的抗干擾能力,但設備接口可能會采用端子與外部連接,可能會在安裝、維修過程中有靜電等能量輸入,從而導致隔離模塊損壞。那么該如何避免這樣的問題呢?本文為你揭秘。

帶隔離通信接口的設備,在不同的使用、安裝狀態下,接口會表現出完全不同的ESD特性,了解設備在不同的使用狀態下,ESD對接口的影響的機理,才能有針對性地增加保護器件,提升隔離接口的ESD能力。下面以帶有隔離CANRS-485通信接口為例,對常見的設備狀態下,ESD的作用機理進行分析,并提出相應的改善措施。

一、設備控制側有接保護地,總線側懸空

如圖1,此狀態下,設備控制側有接入保護地(PE),總線側參考地懸空,與PE無任何連接。

圖 1

此狀態出現的可能場景:

產品開發測試過程中;

單個產品進行ESD測試時;

設備組網時,控制側已接入保護地,正在進行總線接入或斷開操作時;

設備組網后,總線側未進行接地處理的。

靜電分析:

假設控制側均做了足夠的保護措施,當控制側接口受到靜電放電時,能量通過控制側保護器泄放至PE,對隔離通信接口基本無影響,如圖 2。

圖 2

當總線接口受到靜電放電時,由于總線側懸空,能量只能通過隔離柵的等效電容Ciso進行泄放,由于Ciso非常小,僅有幾皮法至十幾皮法,Ciso被迅速充電,兩端電壓Viso會非常高,幾乎等同于放電電壓,如圖 3。電壓全部施加在隔離接口模塊的隔離柵,若電壓超出了隔離柵的電壓承受范圍,則會導致內部隔離柵損壞。

圖 3

對于一般的隔離接口模塊,隔離柵可承受的靜電放電電壓只有4kV,對于更高等級的6kV或8kV的靜電來說是非常脆弱的,極易出現損壞情況。

改善方法:

為了減輕隔離柵的壓力,可以在隔離柵兩邊增加一個電容Cp, 為靜電能量提供一個低阻抗的路徑。如圖 4,總線側的靜電能量大部分通過此電容泄放至PE,并可以有效降低隔離柵兩側電壓,從而起到保護隔離接口模塊的作用。

圖 4

為了達到良好效果,Cp容值應遠大于Ciso,建議取100pF~1000pF之間。若無安規要求,可與Cp并聯一個大阻值泄放電阻,如1M,以防靜電積累;若有安規要求,一般需要去除泄放電阻,同時選擇安規電容。器件選擇時,注意阻容耐壓需要滿足設備指標要求。

二、設備控制側懸空,總線側有接保護地

如圖 5,此狀態下,設備控制側參考地懸空,與PE無任何連接,總線側有接入保護地(PE)。

圖 5

此狀態出現的可能場景:

產品開發測試過程中;

單個產品進行ESD測試時;

設備組網時,總線側先接地,控制側未接地時;

設備組網后,控制側未進行接地處理的。

靜電分析:

類似的,當控制側接口受到靜電放電時,由于控制側懸空,能量只能通過隔離柵的等效電容Ciso進行泄放,由于Ciso非常小,兩端電壓Viso會非常高,如圖 6。電壓全部施加在隔離接口模塊的隔離柵,若電壓超出了隔離柵的電壓承受范圍,則會導致內部隔離柵損壞。

圖 6

當總線側接口受到靜電放電時,靜電能量通過隔離接口模塊內部總線側器件泄放至PE,如圖 7。若ESD能量超出了接口模塊內部總線側器件的ESD抗擾能力,總線接口則可能損壞。

圖 7

改善方法:

類似的,在隔離柵并聯增加一個電容Cp,可以為來自控制側的靜電能量提供一個低阻抗的路徑。如圖 8,控制側的靜電能量大部分通過此電容泄放至PE,從而起到保護隔離接口模塊的作用。若無安規要求,可與Cp并聯一個大阻值泄放電阻,如1M,以防靜電積累。

圖 8

對于總線側的靜電,可以在總線側增加高等級ESD防護器件(如TVS管),靜電能量會通過防護器件泄放至PE,由此來提高總線側的靜電能力,如圖 9。TVS選型時需注意,其導通電壓必須小于隔離接口可承受的最大電壓,同時大于信號電壓;在通信速率高、或節點數較多時,也需要注意盡量選取等效電容小的器件,以免影響總線正常通信。

圖 9

三、設備控制側、總線側均有接保護地

如圖 10,此狀態下,設備控制側、總線側都通過一定方式接入保護地(PE)。

圖 10

狀態出現的可能場景:

設備自身接PE,總線組網后單點接PE。

靜電分析:

當控制側接口受到靜電放電時,能量通過控制側保護器泄放至PE1,對隔離通信接口基本無影響,如圖 11。

圖 11

當總線側接口受到靜電放電時,靜電能量通過隔離接口模塊內部總線側器件泄放至PE2,如圖 12。若ESD能量超出了接口模塊內部總線側器件的ESD抗擾能力,總線接口則可能損壞。

圖 12

改善方法:

在總線側增加高等級ESD防護器件(如TVS管),靜電能量會通過防護器件泄放至PE2,由此來提高總線側的靜電能力,如圖 13。

圖 13

推薦的實際應用電路

為了滿足上述提到的三種設備狀態下,隔離接口模塊均得到有效的靜電保護,建議進行隔離接口設計時,參考圖 14所示電路,增加Cp、Rp以及TVS,提高隔離接口的ESD抗擾能力。注意,若產品有安規要求,如需要進行耐壓測試、絕緣電阻測試,則不能增加Rp電阻。

由于設備實際應用中會存在各種不同的狀態,對于與上述描述不同的情況,也可按以上的方法進行分析,并有針對性的增加保護器件,從而達到提升ESD抗擾能力的作用。

圖 14

圖 15 CTM1051(A)HP的EMC性能

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原文標題:如何提高總線隔離的ESD抗擾能力?

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