介紹

本設計實例報告描述了使用InnoSwitch-CH INN2023K的10 W CV / CC單面USB充電器。它具有內置的高效率同步整流和單面PCB。此外，它具有次級側控制的所有優點，以及初級側調節的簡單性。<10 mW空載輸入功率和±3％CV，±5％CC調節，對變壓器變化不敏感，其瞬態響應與負載時序無關。該設計適用于手機/ USB充電器。

圖1填充電路板，頂視圖圖2填充電路板，底視圖
圖3示意圖

輸入EMI濾波

保險絲F1提供保護，防止初級側組件的災難性故障。

由于整流橋BR1的低浪涌電流額定值和大容量存儲電容器C1和C2的相對高的值并且因此低的阻抗，浪涌限制熱敏電阻（RT1）是必要的。

由于空間有限，特別是從PCB到外殼的高度，因此選擇了物理小型橋式整流器BR1。

電容C1和C2提供對整流交流輸入的濾波，并與L1和L2一起形成π（π）濾波器，以衰減差模EMI。低值Y電容（C8）可降低共模EMI。

InnoSwitch-CH IC Primary

變壓器原邊的一側連接到整流DC總線，另一邊連接到InnoSwitch-CH IC（U1）內的集成650 V功率MOSFET。

由D1，R1，R2和C3組成的低成本RCD鉗位電路限制了由于變壓器和輸出走線電感的影響而產生的峰值漏極電壓。

IC是自啟動的，當首次使用AC時，使用內部高壓電流源為BPP引腳電容（C4）充電。正常運行期間，初級側塊由變壓器上的輔助繞組供電。其輸出配置為反激式繞組，整流和濾波（D2和C5），并通過限流電阻R3饋入BPP引腳。

InnoSwitch-CH IC Secondary

InnoSwitch-CH的次級端提供輸出電壓，輸出電流檢測和驅動到一個提供同步整流的MOSFET。

變壓器的二次側由Q1進行整流，并由C10進行濾波。在開關瞬態期間發生高頻振鈴，否則會在Q1兩端產生高電壓，輻射EMI會通過緩沖器組件R5和C9降低。

IC的次級側由次級繞組的正向電壓或輸出電壓自供電。在CV操作期間，輸出電壓為器件供電，并饋入VO引腳。