高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計的核心需求,羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能,為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。本文將重點介紹羅姆的MOSFET系列產(chǎn)品,帶您了解其技術(shù)優(yōu)勢和應(yīng)用場景,更多信息您可點擊文內(nèi)相關(guān)鏈接查看。
羅姆MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的特點,其產(chǎn)品線覆蓋小信號器件至800V高耐壓規(guī)格,廣泛適用于電源、電機等多元化應(yīng)用場景。同時,MOSFET是汽車電動化的必需品,羅姆的車載MOSFET是符合車載可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的高可靠性產(chǎn)品,并且封裝陣容豐富,可靈活滿足各種車載系統(tǒng)的需求。
車載MOSFET
該系列提供可用于各種應(yīng)用的可高速開關(guān)的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。而且封裝產(chǎn)品陣容豐富,可以適應(yīng)小型化、大電流化的趨勢,靈活滿足客戶的要求。還將通過開發(fā)新工藝結(jié)構(gòu),進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)速度。
產(chǎn)品推薦
車載Nch MOSFET
產(chǎn)品特點
車載Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐壓分別為40V、60V和100V,均通過采用split gate實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,有助于車載應(yīng)用的高效運行。所有型號的產(chǎn)品均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,并確保高可靠性。
封裝有適用于不同應(yīng)用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常適用于高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等安裝面積較小的應(yīng)用。另外還有已被廣泛用于車載電源等應(yīng)用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù),TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結(jié)構(gòu),安裝可靠性都非常高。
產(chǎn)品陣容
RF9G120BKFRA | RF9L120BKFRA |
RQ3G270BKFRA | RQ3L270BKFRA |
RQ3L270BLFRA | RQ3L120BKFRA |
RQ3P270BKFRA | RD3G08CBKHRB |
RD3L04BBKHRB | RD3P06BBKHRB |
190-800V功率MOSFET
羅姆額定電壓為600-800V的功率MOSFET產(chǎn)品,采用先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù),兼具高速開關(guān)與低導(dǎo)通電阻的卓越性能,能降低應(yīng)用過程中的能耗損失。該系列精心打造了低噪聲規(guī)格和高速開關(guān)規(guī)格兩類產(chǎn)品,可依據(jù)客戶的具體需求精準(zhǔn)推薦。
在電源應(yīng)用領(lǐng)域,如PC、服務(wù)器、充電器及照明等設(shè)備的PFC電路,低噪聲規(guī)格和高速開關(guān)規(guī)格產(chǎn)品都是理想之選。專為電機及逆變器節(jié)能化量身定制的PrestoMOS系列產(chǎn)品,內(nèi)置運用羅姆專利技術(shù)制成的快速二極管。此系列適配空調(diào)、冰箱、洗衣機等家電,以及太陽能發(fā)電等領(lǐng)域所使用的電機及逆變器電路,同時也適用于圖騰柱型PFC電路和LLC電路,能有效提升能源利用效率。對于LED照明和工業(yè)用途,羅姆特別推薦使用800V規(guī)格的產(chǎn)品,以滿足其對高電壓和高性能的嚴(yán)苛要求。
產(chǎn)品推薦
采用SOT-223-3小型封裝的
600V耐壓Super Junction MOSFET
產(chǎn)品特點
1. 與以往TO-252封裝(6.60mm × 10.00mm × 2.30mm)的產(chǎn)品相比,該產(chǎn)品的面積減少約31%,厚度減少約27%,有助于實現(xiàn)更小、更薄的應(yīng)用產(chǎn)品。另外,該產(chǎn)品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案(焊盤圖案),因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。
2. 五款產(chǎn)品分別適用于小型電源和電機應(yīng)用,各有不同的特點。
適用于小型電源的有3款型號,“R6004END4”具有低噪聲的特點,適用于需要采取降噪措施的應(yīng)用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開關(guān)的特點,適用于需要低損耗且高效率工作的應(yīng)用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術(shù)加快了反向恢復(fù)時間(trr)并大大降低了開關(guān)損耗,屬于“PrestoMOS”產(chǎn)品,非常適用于電機應(yīng)用。
產(chǎn)品陣容
R6004END4 | R6003KND4 | R6006KND4 |
R6002JND4 | R6003JND4 | 查看更多 |
12-150V MOSFET
該系列涵蓋N通道、P通道MOSFET以及Dual MOSFET。這些產(chǎn)品均具備低導(dǎo)通電阻與高開關(guān)速度的卓越特性,能有效提升系統(tǒng)效率與響應(yīng)速度。從小信號處理所需的 MOSFET,到滿足大功率需求的功率MOSFET,該系列構(gòu)建起了完備的產(chǎn)品矩陣,可廣泛適用于各類應(yīng)用場景。另外羅姆還為各位工程師提供產(chǎn)品選型手冊及網(wǎng)頁,您可點擊查看。
- PchMOS專用選型指南
- 電機用新產(chǎn)品規(guī)格書數(shù)據(jù)下載頁面
產(chǎn)品推薦
100V耐壓雙MOSFET
產(chǎn)品特點
1. 采用ROHM新工藝和背面散熱封裝,實現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻(Ron) (Nch+Nch產(chǎn)品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與普通的雙MOSFET相比,導(dǎo)通電阻降低達(dá)56%,非常有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用設(shè)備的功耗。
2. 通過將兩枚芯片一體化封裝,可以減少安裝面積,有助于應(yīng)用設(shè)備進(jìn)一步節(jié)省空間。
產(chǎn)品陣容
HP8KE6 | HP8KE7 | HT8KE5 |
HT8KE6 | HP8ME5 | 查看更多 |
Nch MOSFET RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列
產(chǎn)品特點
1. 該產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron),相比以往產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻降低了50%。
2. 通過改進(jìn)柵極結(jié)構(gòu),Qgd(柵-漏電荷,通常與導(dǎo)通電阻之間存在權(quán)衡關(guān)系)也比以往產(chǎn)品減少了約40%(Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產(chǎn)品之間的比較)。這可以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,非常有助于各種應(yīng)用產(chǎn)品的高效率工作。
產(chǎn)品陣容
RS6G120BG | RS6G100BG | RS6L120BG |
RS6L090BG | RS6N120BH | RS6P100BH |
RS6P060BH | RS6R060BH | RS6R035BH |
RH6G040BG | RH6L040BG | RH6P040BH |
RH6R025BH | 查看更多 |
羅姆的MOSFET系列產(chǎn)品憑借其顯著的技術(shù)特性、豐富多元的產(chǎn)品陣容以及在車載領(lǐng)域穩(wěn)定可靠的表現(xiàn),為電子行業(yè)提供了廣泛且適配性強的解決方案。
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