Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650V E系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業和計算領域的功率轉換效率和功率密度，顯著改善了前代產品的性能。

SiHK050N65E采用了先進的n-channel設計，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導通電阻降低，且其電阻乘以柵極電荷的值降低了65.4%。這一關鍵性能指標(FOM)對于650V MOSFET在電源轉換應用中的表現至關重要。Vishay的MOSFET技術產品組合覆蓋電源轉換過程的每個階段，從高壓輸入到為現代設備供電所需的低壓輸出。

在電源系統架構的早期階段，尤其是在功率因數校正(PFC)電路和后續的DC/DC轉換模塊中，對更高的效率和功率密度的需求日益增加。SiHK050N65E及其同系列產品正是為滿足這一需求而設計的。其應用領域廣泛，包括服務器、邊緣計算系統、超級計算機、不間斷電源(UPS)、高強度放電(HID)燈、熒光燈鎮流器、通信開關模式電源(SMPS)、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱系統、電動驅動和電池充電器等。

SiHK050N65E基于Vishay的E系列超結技術，能夠在10V下實現典型的導通電阻為0.048Ω，適合超過6kW的高功率應用。同時，該器件的擊穿電壓達到額外的50V，使其可以在200VAC至277VAC的輸入電壓范圍內穩定工作，并符合開放計算項目的開放機架V3(ORV3)標準。此外，SiHK050N65E的超低柵極電荷僅為78nC，提供了優越的FOM值3.74Ω*nC，這對減少導通和開關損耗至關重要，從而進一步提升系統效率并節省能源。

為了在硬開關拓撲(如PFC電路和雙開關前饋設計)中優化開關性能，SiHK050N65E具備非常低的有效輸出電容值，Co(er)為167pF，Co(tr)為1119pF。其在電阻乘以Co(er)的FOM上達到創紀錄的8.0Ω*pF，最大限度地減少了開關損耗，進一步提升了整體系統效率。該器件以PowerPAK? 10×12封裝形式提供，并配備Kelvin連接以降低柵極噪聲，同時提高dV/dt的抗擾性，確保在苛刻的工作條件下依然表現出色。

SiHK050N65E符合RoHS標準且無鹵素，經過特別設計以承受雪崩模式下的過壓瞬態，100%的UIS測試確保了其耐用性和可靠性。作為Vishay第4.5代650V E系列的最新成員，SiHK050N65E標志著高性能MOSFET解決方案在下一代電源轉換應用中的重要進展，期待其在各類高效能應用中的廣泛部署。