概述
HMC908A 是一款緊湊型砷化鎵 (GaAs) 微波單片集成電路 (MMIC) 同相/正交 (I/Q) 下變頻器，此器件采用符合 RoHS 指令的陶瓷無引線芯片載體。此器件提供 11 dB 的小信號轉換增益，噪聲指數(shù)為 2 dB，100 MHz 時的鏡像抑制為 25 dB。HMC908A 在低噪聲放大器 (LNA) 之后使用鏡像抑制混頻器，該混頻器由本地振蕩器 (LO) 緩沖放大器驅動。借助鏡像抑制混頻器，LNA 后面不再需要使用濾波器，并且消除了鏡頻下的熱噪聲。提供 I 和 Q 混頻器輸出，并需要使用外部 90° 混合模式選擇所需的邊帶。HMC908A 是混合式鏡像抑制混頻器下變頻器組件的替代方案，但外形大大縮小，且可以使用表面安裝制造技術，無需線焊。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC908A 9GHz至12 GHz，GaAs，MMIC，I Q下變頻器技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 單點對多點無線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
• 測試設備和傳感器
• 軍事最終用途

特性

• 轉換增益：IF~OUT = 100 MHz 時為 11 dB（典型值）
• 鏡像抑制：IF~OUT= 100 MHz 時為 25 dB（典型值）
• LO 到 RF 隔離：46 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔離：26 dB（典型值）
• IF 輸出頻率：直流至 3.5 GHz
• 32 引腳 4.9 mm × 4.9 mm 陶瓷無引線芯片載體

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息
圖81展示了HMC908A的典型應用電路。要選擇合適的邊帶，需要一個外部90°混合耦合器。對于不需要對直流進行操作的應用，可以關閉芯片上的去耦電容。對于需要本振（LO）信號抑制的應用，可以使用一個偏置T或射頻扼流圈。確保用于本振抑制的源電流或灌電流在每個中頻（IF）端口處小于5 mA，以防止對器件造成損壞。中頻端口的共模電壓為0 V。

要選擇上邊帶（低本振），將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，并將IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。要選擇下邊帶（高本振），將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，并將IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。混合耦合器的輸出是來自和端口的信號，差分端口接50Ω 終端。

應用中使用的EV1HMC908ALC5評估印刷電路板（PCB）必須采用射頻電路設計技術。信號線必須具有50Ω 阻抗，并且設計的封裝焊盤引線與圖82所示的接地平面直接相連。使用足夠數(shù)量的過孔，將頂層和底層接地平面連接起來。圖82所示的評估電路板可應要求從亞德諾半導體（Analog Devices）獲取。

布局

將HMC908A底面的外露焊盤焊接到低導熱和低導電的接地平面上。該焊盤通常焊接到評估板阻焊層上的一個開孔處。將這些接地過孔連接到評估板上的所有其他接地層，以最大程度地減少器件封裝的散熱。圖80展示了EV1HMC908ALC5評估板的PCB焊盤圖案輪廓。