30V 30A雙N溝道MOSFET

納祥科技NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。

在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。

NX7011主要特性

NX7011的主要特性有以下幾個(gè)：

●30V，30A

●RDS(ON) =7.3m? (Typ.) @ VGS = 10V

●RDS(ON)=9.8m? (Typ.) @ VGS = 4.5V

●先進(jìn)的溝槽技術(shù)

●提供先進(jìn)的RDS(ON)

NX7011芯片亮點(diǎn)

NX7011采用小型化封裝，導(dǎo)通電阻低，電路性能優(yōu)良。

① 小型化封裝

NX7011采用PDFN3*3小型化封裝，有助于節(jié)省PCB設(shè)計(jì)空間。NX7011還具備良好的電氣性能與熱性能，通用性和兼容性強(qiáng)。

② 低漏源導(dǎo)通電阻

在柵極電壓為 10V 時(shí)，NX7011的漏極與源極之間呈現(xiàn)的典型導(dǎo)通電阻為 7.3 m? ，能夠減少功率損耗，簡化散熱要求，增強(qiáng)電路性能。

NX7011應(yīng)用領(lǐng)域

因其性能特質(zhì)，NX7011應(yīng)用范圍廣泛，特別適用于需要高電流處理和大功率控制的場合，如無線充，電動(dòng)工具、液晶電視、電動(dòng)自行車、安防、電機(jī)?等領(lǐng)域中。